7.5. Плоскостность пластин
Связываемые поверхности двух пластин никогда не бывают совершенно плоскими. Локальные несвязываемые области могут возникать за счет щелей на границе связывания, вызываемых волнистостью связываемых поверхностей. Плоскостность, волнистость являются фундаментальными и макроскопическими свойствами связываемых поверхностей. Пластины с достаточно гладкими (ровными) поверхностями, но имеющими определенную степень волнистости, могут все же связываться между собой, так как упругая деформация двух связываемых пластин может аккумулировать этот масштаб поверхностной волнистости (волнообразности). Результирующие напряжения на поверхности связывания составляют величину порядка 1107 Н/м2, намного меньше, чем напряжения, требуемые для зарождения дислокаций и пластической деформации кремния (2,5109 Н/м2), и не должны воздействовать на структурные свойства пластин кремния связываемых пар.
Связываемость пластин зависит не только от энергии связи при комнатной температуре, но также от количества и размера пор (щелей) на границе связывания. При радиусе поры R, превышающей удвоенную толщину пластины R > 2tw условие для закрытия щели дается выражением [4]
, (7.1)
где h – радиус расклинивающей частицы; R – радиус щели; tw – толщина пластины; E = E/(1–γ2) (γ, E – соответственно, соотношение Пуассона и модуль Юнга для кремния); tw – толщина пластины.
При R < 2tw условие для закрытия щели не зависит от толщины пластины tw и дается формулой
. (7.2)
В работах [1,4] показаны участки закрытия или незакрытия щели для двух пластин кремния равной толщины tw при выбранной величине = 100 мДж/м2. Для реальных структурированных пластин в неравенствах (7.1) и (7.2) нужно заменить на fb, где fb – отношение между реальным пространством границы раздела в контакте и полным пространством пластины. Практически изменение плоскостности в 1 – 3 мкм на пластине кремния диаметром 100 мм не препятствует связыванию при комнатной температуре. Прогиб и коробление пластин до 25 мкм также несущественны.
Плоскостность пластин обычно определяется следующими параметрами [1]: полным изменением толщины, отклонением от центральной плоскости, локальной неплоскостностью и прогибом.
Современное оборудование позволяет измерять эти параметры посредством сканирования поверхности с помощью оптических (интерференционных) и емкостных методов, дающих ее трехмерную топографическую картину.
- Введение
- 1. Основы молекулярно- кинетической теории (мкт).
- 1.1 Количественное выражение элементов системы.
- 1.2 Мкт газов.
- 1.3 Изопроцессы
- 1.4 Закон Авагадро.
- 1.5 Закон Дальтона.
- 1.6 Вероятный характер скорости хаотического движения.
- 1.7 Реальные газы
- 2 Термодинамика
- 2.1 Основные понятия и определения термодинамики.
- 2.2 Понятие о тд системах.
- 2.3 Законы начала термодинамики. Их использование.
- 2.4 Термохимия. Использование первого закона тд.
- 2.5 Закон Гесса.
- 2.6 Теплота образования
- 2.7. Теплота растворения
- 2.8 Теплота нейтрализации
- 2.9 Зависимость тепловых эффектов от температуры.
- 3 Второй закон термодинамики
- 3.1 Обратимые и необратимые процессы.
- 3.2 Характеристические функции тд систем.
- 3.3 Направление протекания процессов.
- 3.4 Химический потенциал
- 4.1 Закон действия масс. Константа равновесия.
- 4.2 Правило фаз
- 4.3 Общие представления о диаграммах состояния.
- 4.4 Однокомпонентные системы
- 4.5 Двухкомпонентные системы
- 4.6 Основные виды диаграмм состояния двухкомпонентных систем.
- 4.7 Термический анализ.
- 4.8 Фазовые переходы
- 5 Закон Рауля.
- 6 Физико-химические особенности процессов подготовки подложек при получении эс и микроэлектронных изделий
- 6.1 Поверхностные явления при изготовлении ис, эс
- 6.2. Технология очистки подложек для производства микроэлектронных изделий
- 6.2.1. Важность снижения уровня загрязнений
- 6.2.2. Классификация загрязнений
- 6.2.3. Источники загрязнений
- 6.3. Влияние загрязнений на характеристики микроэлектронных изделий
- 6.3.1. Механические загрязнения
- 6.3.2. Металлические загрязнения
- 6.3.3. Микронеровности поверхности
- 6.3.4. Кристаллические дефекты
- 6.4. Механические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- 6.4.1. Адгезия механических частиц на поверхность полупроводниковых пластин
- 6.4.2. Удаление загрязнений с поверхности пластин в процессах химической обработки
- 6.4.3. Очистка поверхности подложек в перекисно-аммиачном растворе
- 6.5. Методы исследования состояния и характеристик поверхности подложек
- 6.5.1. Методы анализа частиц на поверхности пластин
- 6.5.2. Методы анализа органических загрязнений на поверхности пластин
- 6.5.3. Методы анализа металлических загрязнений на поверхности пластин
- 6.5.4. Методы исследования рельефа поверхности подложек
- 6.6. Технологические процессы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- 6.6.1. "Жидкостная" химическая обработка
- 6.6.2. Методы проведения "жидкостной" химической обработки
- 6.6.3. "Сухая" химическая обработка
- 6.7. Проблемы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- 6.7.1. Влияние химической обработки на шероховатость поверхности Si пластин
- 6.7.2. Проблемы нежелательного формирования слоев оксида на поверхности кремниевых пластин
- 6.7.3. Органические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- 7. Физико-химические аспекты получения многослойных структур
- 7.1. Имплантация ионов водорода в кремниевые пластины
- 7.2. Особенности технологии прямого сращивания подложек
- 7.3. Сращивание пластин, покрытых SiO2
- 7.4. Состояние сращенных пластин
- 7.5. Плоскостность пластин
- 7.6. Утончение сращенных пластин
- 7.7. Микродефекты сращенных структур
- 7.8. Радиационные свойства многослойных структур
- 7.9. Движение и залечивание пор на границе сращивания стандартных пластин кремния
- 7.9.1. Скорость движения пор, связанных с диффузионными потоками в объеме матрицы, в поле температурного градиента
- 7.9.2. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов на ее поверхности в поле температурного градиента
- 7.9.3. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов в объеме в поле температурного градиента
- 7.9.4. Скорость движения пор в неоднородном поле напряжений при разных механизмах перемещения
- 7.9.5. Диффузионное движение пор вблизи границы кристалла, обусловленное поверхностной диффузией
- 7.9.6. Диффузионное движение пор под действием сил со стороны дислокаций
- 7.9.7. Рекристаллизация, спекание и залечивание пор
- 7.10. Пористый кремний в технологии прямого соединения
- 7.10.1. Теория и экспериментальные исследования заращивания пористых слоев
- 7.10.2 Осаждение слоев кремния на стенках пор и капилляров из парогазовых смесей
- 8. Исследование физико-химических свойств многослойных структур
- 8.1. Определение энергии связи прямого связывания пластин кремния методом генерации трещины между поверхностями сращивания
- 8.2. Исследование многослойных структур и материалов, используемых в процессе их производства эс, методами позитронной аннигиляционной спектроскопии
- 8.2.1. Сущность и особенности методов позитронной аннигиляционной спектроскопии
- 8.2.2. Теория метода ураф и результаты исследований
- 8.2.3. Определение концентрации электронов np в зоне проводимости металлов
- 8.2.4. Исследование полупроводников методом пас
- 8.3. Исследование поверхности пластин
- 8.3.1. Метод масс-спектрометрического исследования процесса термодесорбции с поверхности кремниевых пластин
- 8.3.2. Измерения контактной разности потенциалов подложек
- 8.3.3. Влияние адсорбции на электронные свойства поверхности твердых тел
- Список литературы к главе 8