6.6.3. "Сухая" химическая обработка

Другим подходом к процессам травления и очистки поверхно­сти полупроводниковых пластин является применение "сухих" ме­тодов обработки. Указанные методы развиваются и находят ши­рокое применение в современном производстве ИС [68, 69]. Име­ется тенденция замены в будущем "жидкостной" химической обра­ботки на "сухую" [70]. С повышением степени сложности процес­сов, применяемых при изготовлении структур, стали применяться новые типы фоторезиста, удаление которых в процессе "жидкост­ной" обработки постепенно становится неэффективным. С умень­шением B_min ИС до 0,18 мкм связано появление новых технологий травления. На поверхности остаются загрязнения, которые не мо­гут быть удалены при помощи "жидкостных" методов очистки. В табл. 6.5 представлены "сухие" методы химической обработки по­верхности.

Таблица 6.5 Методы "Сухой" химической обработки поверхности

Испарение. Очистка поверхности подложек производится в па­рах химических реагентов. В этом случае подложка нагревается, происходит химическая реакция на поверхности полупроводнико­вых пластин (например, комплексообразование металлических примесей), после чего испарением удаляются продукты реакции с поверхности. Основной целью подобной обработки является уда­ление слоев SiO₂ [14,71]. Удаление металлических загрязнений за­труднительно, поэтому необходимо сочетание с другими методами очистки поверхности полупроводниковых пластин, так как воз­можны вторичные реакции на поверхности подложек, повреждение поверхности.

Обработка в плазме. Плазменные методы очистки основаны в основном на операциях снятия фоторезиста, зачистки перед уда­лением слоя SiO₂ [72]. Однако использование плазмы для очистки поверхности от различных загрязнений, например, с использова­нием фторидных соединений, требует дополнительного удаления продуктов плазменного процесса [73].

Криогенная обработка аэрозолями. Метод применяется для удаления продуктов плазменного травления. Он заключается в бомбардировке поверхности кремниевой структуры замерзшими частицами инертных газов, таких как Ar или CO₂, отрывающими загрязнения с поверхности пластин. Происходит передача импуль­сов движения частицам загрязнений на поверхности, которые в ре­зультате бомбардировки отделяются и переносятся от поверхности структуры потоком газа-носителя. Криогенная обработка наиболее эффективна по удалению полимерной высадки, остающейся после снятия пленки фоторезиста [73–75].

Воздействие УФ-излучением. В процессе воздействия УФ-из­лучения при нагревании происходит быстрое разложение и удале­ние органического вещества. Далее образовавшийся слой SiO₂ уда­ляют травлением в водном растворе плавиковой кислоты. На под­готовленной таким образом поверхности структуры находится мо­ноатомный слой водорода (H), соединенного свободными связями Si. Поверхность структуры, пассивированная водородом, обладает значительно большей устойчивостью к окислению по сравнению с поверхностью, полученной обычными методами [73]. Отмечаются лучшие характеристики диэлектрических слоев, полученных после проведения УФ-обработки по сравнению с "жидкостной" обработ­кой [27].

Лазерное излучение. В [76] рассмотрен метод очистки в смеси газов при 200 С с использованием лазера 248 нм KrF. В [77] авто­рами утверждается, что очистка с применением лазера эффектив­нее "жидкостной" очистки RCA. Применением того же эксимер­ного лазера убирают полимерную высадку, образующуюся при плазмохимическом травлении металлических покрытий (к при­меру, Al–Cu–TiN). При обработке погружением в растворы поли­мерная высадка удаляется специальными реагентами, к примеру, растворами фирмы "ЕКС Technology" [78].

Таким образом, в микроэлектронике осуществлен переход на уровень технологии изготовления полупроводниковых приборов, где применение "жидкостных" методов обработки невозможно. Основным преимуществом "сухих" методов обработки поверхно­сти подложек является снижение количества продуктов химиче­ских реакций за счет уменьшения объема потребляемых реагентов, минимизации размеров установок. Однако у "сухих" методов обра­ботки есть существенные недостатки. В [79,80] авторами рас­сматриваются основные проблемы, возникающие при обработке структур "сухими" методами очистки и удалении фоторезиста. Наиболее важной является повреждение поверхности подложек в результате обработки, дополнительный заряд на пластинах [81]. Максимальная устойчивость маски фоторезиста к температуре около 150 С, поэтому серьезной проблемой является температур­ный предел нагревания пластины. "Сухие" методы обработки по­верхности подложек не в полной мере удовлетворяют требованиям удаления всех типов загрязнений [2]. Кроме того, при "жидкост­ной" обработке очищаются обе поверхности полупроводниковых пластин, а при "сухой" в основном уделяется внимание только ли­цевой стороне подложек.