8.2.1. Сущность и особенности методов позитронной аннигиляционной спектроскопии
Методы позитронной и мюонной спектроскопии позволяют получать уникальную информацию о первичных актах взаимодействия излучения с веществом [38–63]. Методы позитроной и мюонной спектроскопии (SR-muon spin rotation) получили широкое распространение при изучении трансформации первичных продуктов взаимодействия излучения со средой. В конденсированных средах вдоль трека заряженных частиц (в том числе мюона и позитрона) возникает последовательность микрообластей с высокой концентрацией первичных продуктов радиолиза – электронно-возбужденных состояний, положительных и отрицательных ионов и квазисвободных (свободных в газовой фазе) электронов.
Все эти частицы крайне нестабильны и за доли пикосекунды трансформируются в гораздо более долгоживущие вторичные продукты радиолиза. Позитрон и мюон в среде можно рассматривать как зонд, внедренный в трек ионизирующей частицы (собственный трек). Параметры аннигиляции позитронов и деполяризации мюонов в конденсированных средах тесным образом связаны со свойствами как среды, так и первичных продуктов радиолиза среды, окружающих позитрон и мюон на конечном участке собственного трека. Таким образом, измерения параметров аннигиляции позитронов и деполяризации мюонов в среде позволяют получать информацию о физико-химических свойствах среды, первичных продуктах радиолиза среды и процессах с их участием.
Использование методов позитронной и мюонной спектроскопии для изучения твердого тела дает информацию о строении твердого тела, дефектах кристаллической структуры, состоянии поверхности и свойствах приповерхностных слоев вещества и слоистых структур, распределении валентных электронов и электронов зоны проводимости по импульсам и позволяет изучать локальные микрополя в веществе.
Позитронный метод основан на экспериментальном измерении параметров аннигиляции позитронов и позитронии (временном и угловом распределении аннигиляционных фотонов) в среде при варьировании состава среды, напряженности внешнего электрического поля, температуры и иных термодинамических условий. В мюонном методе ведется наблюдение за поляризацией и прецессией мюона и мюония в среде при наложении магнитных полей. Отметим, что позитроний (Ps) и мюоний (Mu) являются модельными аналогами атомарного водорода.
Характерным для позитронного метода является:
- исследование элементарных актов взаимодействия единичных частиц (позитронов и атомов позитрония в различных состояниях) с атомами (молекулами) и дефектами в объеме среды;
- пренебрежимо малое влияние аннигиляционных процессов на свойства исходного вещества;
- использование в качестве независимых эталонов времени ядерно-физических констант;
- определение механизма и измерение абсолютных констант скорости быстрых и сверхбыстрых физико-химических процессов;
- типичная независимость методики измерений от агрегатного состояния вещества.
Применение позитронной и мюонной спектроскопии в физике и химии конденсированных сред обусловлено тем обстоятельством, что совокупность этих методов позволяет получать богатую, а зачастую уникальную информацию о свойствах этих сред. Необходимо подчеркнуть, что интерпретация экспериментальных результатов требует наличия развитых теоретических представлений о позитронных состояниях, позитронных процессах и позитронной аннигиляции в полупроводниках, ионных кристаллах и металлах.
В последние годы наблюдается интенсивное развитие позитроники различных веществ и их состояний [38–42]. Интерес к изучению позитроники не случаен. Он связан, с одной стороны, с фундаментальными проблемами физики: позитронной астрофизикой [45], взаимодействием вещества и антивещества [43–45], с изучением новых модификаций комплексов Уилера в веществе [43]; с другой стороны, с поиском новых уникальных методов исследования электронной структуры и некоторых физико-химических характеристик вещества [60–64] (в том числе и твердых тел) в дополнение к уже существующим методам (оптическим, электрическим, магнитным и др.), а также возможностей построения приборов и устройств, работающих на основе эффектов взаимодействия излучения с веществом.
В настоящее время выполнены экспериментальные исследования позитронной аннигиляции в металлах, сплавах, конденсированных средах ионного типа (щелочно-галоидных кристаллах (ЩГК), гидридах, окислах металлов и других веществах ионного типа), элементарных полупроводниках Si, Ge, Se, А3В5 и А2В6, полимерах и т.д. Обнаружена высокая чувствительность позитронного метода (аннигиляционных характеристик) к электронной и дефектной структуре этих веществ. Поэтому можно говорить о позитронной аннигиляционной спектроскопии (ПАС) как методе исследования электронной структуры, определения природы и концентраций точечных и протяженных дефектов, изучения нарушенных поверхностных слоев и поверхностных состояний в металлах, сплавах, полупроводниках, ионных кристаллах и других веществах, прочно вошедших в арсенал физики и химии твердого тела [38,52,54,59].
Исследования российскими учеными, полупроводников, ионных кристаллов, металлов и конденсированных сред за последние годы выявили ряд новых эффектов в позитронных аннигиляционных спектрах этих веществ: существование нескольких времен жизни позитронов, тонкую структуру кривых углового распределения аннигиляционных фотонов (УРАФ), повышенную вероятность трехквантовой аннигиляции, наличие магнитного тушения некоторых основных характеристик позитронных аннигиляционных спектров (т.е. тушения ортопозитрониевых состояний) и т.д. Таким образом, можно сделать вывод о том, что в полупроводниках, ионных кристаллах, металлах и ряде других конденсированных сред наблюдается широкий спектр позитронных и позитрониевых состояний.
Полученные результаты усиливают интерес к дальнейшим экспериментальным и теоретическим исследованиям и анализу позитронных состояний, позитронных процессов и позитронной аннигиляции в кристаллах и других конденсированных средах с целью систематизации уже накопленного материала, классификации позитронных и позитрониевых состояний, описания их свойств, влияния на них различных внешних факторов (внешнего магнитного поля, температуры, давления и т.д.), а также более четкого выяснения возможных применений позитронного метода.
Были проведены исследовательские работы с использованием установки по изучению УРАФ, находящейся в экспериментальном зале реактора ИРТ МИФИ. Источником позитронов в установке служит радиоактивный изотоп 64Cu, получаемый на ядерном реакторе. Близость установки к ядерному реактору позволяет проводить работы с использованием мощных (несколько кюри) источников позитронов, что существенно расширяет возможности установки, а тем самым и класс исследуемых сред.
- Введение
- 1. Основы молекулярно- кинетической теории (мкт).
- 1.1 Количественное выражение элементов системы.
- 1.2 Мкт газов.
- 1.3 Изопроцессы
- 1.4 Закон Авагадро.
- 1.5 Закон Дальтона.
- 1.6 Вероятный характер скорости хаотического движения.
- 1.7 Реальные газы
- 2 Термодинамика
- 2.1 Основные понятия и определения термодинамики.
- 2.2 Понятие о тд системах.
- 2.3 Законы начала термодинамики. Их использование.
- 2.4 Термохимия. Использование первого закона тд.
- 2.5 Закон Гесса.
- 2.6 Теплота образования
- 2.7. Теплота растворения
- 2.8 Теплота нейтрализации
- 2.9 Зависимость тепловых эффектов от температуры.
- 3 Второй закон термодинамики
- 3.1 Обратимые и необратимые процессы.
- 3.2 Характеристические функции тд систем.
- 3.3 Направление протекания процессов.
- 3.4 Химический потенциал
- 4.1 Закон действия масс. Константа равновесия.
- 4.2 Правило фаз
- 4.3 Общие представления о диаграммах состояния.
- 4.4 Однокомпонентные системы
- 4.5 Двухкомпонентные системы
- 4.6 Основные виды диаграмм состояния двухкомпонентных систем.
- 4.7 Термический анализ.
- 4.8 Фазовые переходы
- 5 Закон Рауля.
- 6 Физико-химические особенности процессов подготовки подложек при получении эс и микроэлектронных изделий
- 6.1 Поверхностные явления при изготовлении ис, эс
- 6.2. Технология очистки подложек для производства микроэлектронных изделий
- 6.2.1. Важность снижения уровня загрязнений
- 6.2.2. Классификация загрязнений
- 6.2.3. Источники загрязнений
- 6.3. Влияние загрязнений на характеристики микроэлектронных изделий
- 6.3.1. Механические загрязнения
- 6.3.2. Металлические загрязнения
- 6.3.3. Микронеровности поверхности
- 6.3.4. Кристаллические дефекты
- 6.4. Механические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- 6.4.1. Адгезия механических частиц на поверхность полупроводниковых пластин
- 6.4.2. Удаление загрязнений с поверхности пластин в процессах химической обработки
- 6.4.3. Очистка поверхности подложек в перекисно-аммиачном растворе
- 6.5. Методы исследования состояния и характеристик поверхности подложек
- 6.5.1. Методы анализа частиц на поверхности пластин
- 6.5.2. Методы анализа органических загрязнений на поверхности пластин
- 6.5.3. Методы анализа металлических загрязнений на поверхности пластин
- 6.5.4. Методы исследования рельефа поверхности подложек
- 6.6. Технологические процессы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- 6.6.1. "Жидкостная" химическая обработка
- 6.6.2. Методы проведения "жидкостной" химической обработки
- 6.6.3. "Сухая" химическая обработка
- 6.7. Проблемы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- 6.7.1. Влияние химической обработки на шероховатость поверхности Si пластин
- 6.7.2. Проблемы нежелательного формирования слоев оксида на поверхности кремниевых пластин
- 6.7.3. Органические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- 7. Физико-химические аспекты получения многослойных структур
- 7.1. Имплантация ионов водорода в кремниевые пластины
- 7.2. Особенности технологии прямого сращивания подложек
- 7.3. Сращивание пластин, покрытых SiO2
- 7.4. Состояние сращенных пластин
- 7.5. Плоскостность пластин
- 7.6. Утончение сращенных пластин
- 7.7. Микродефекты сращенных структур
- 7.8. Радиационные свойства многослойных структур
- 7.9. Движение и залечивание пор на границе сращивания стандартных пластин кремния
- 7.9.1. Скорость движения пор, связанных с диффузионными потоками в объеме матрицы, в поле температурного градиента
- 7.9.2. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов на ее поверхности в поле температурного градиента
- 7.9.3. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов в объеме в поле температурного градиента
- 7.9.4. Скорость движения пор в неоднородном поле напряжений при разных механизмах перемещения
- 7.9.5. Диффузионное движение пор вблизи границы кристалла, обусловленное поверхностной диффузией
- 7.9.6. Диффузионное движение пор под действием сил со стороны дислокаций
- 7.9.7. Рекристаллизация, спекание и залечивание пор
- 7.10. Пористый кремний в технологии прямого соединения
- 7.10.1. Теория и экспериментальные исследования заращивания пористых слоев
- 7.10.2 Осаждение слоев кремния на стенках пор и капилляров из парогазовых смесей
- 8. Исследование физико-химических свойств многослойных структур
- 8.1. Определение энергии связи прямого связывания пластин кремния методом генерации трещины между поверхностями сращивания
- 8.2. Исследование многослойных структур и материалов, используемых в процессе их производства эс, методами позитронной аннигиляционной спектроскопии
- 8.2.1. Сущность и особенности методов позитронной аннигиляционной спектроскопии
- 8.2.2. Теория метода ураф и результаты исследований
- 8.2.3. Определение концентрации электронов np в зоне проводимости металлов
- 8.2.4. Исследование полупроводников методом пас
- 8.3. Исследование поверхности пластин
- 8.3.1. Метод масс-спектрометрического исследования процесса термодесорбции с поверхности кремниевых пластин
- 8.3.2. Измерения контактной разности потенциалов подложек
- 8.3.3. Влияние адсорбции на электронные свойства поверхности твердых тел
- Список литературы к главе 8