1.7 Реальные газы
Экспериментально замечено, что при давлении p=1619 МПа объем газа более чем в 16 раз превышает тот, который он должен занимать по закону Бойля Мариотта. Такие отклонения свойств реальных газов от идеального связаны с тем, что молекулы имеют определенный объем, характер сил взаимодействия между ними более сложен, чем при упругих столкновениях.
В 1873 году Ван-дер-Ваальс объяснил отличие реальных газов от идеальных, следующим образом. При повышении внешнего давления общий объем газа уменьшается за счет сжатия свободного пространства. Vр.г.= V- b в связи с этим в уравнении состояния одного моля газа (pV=RT) вместо V нужно писать V- b,где b - это учетверенный объем молекул рассчитанный по газокинетическому радиусу молекул. Когда давление газа существенно увеличивается, молекулы сближаются на столько, что между ними начинает действовать силы взаимного притяжения, при этом возникает межмолекулярная или когезионное взаимодействие (когезия – сжимание), т. е. сцепление однородных атомов или молекул. Адгезия – сцепление разнородных атомов или молекул. Взаимное притяжение эквивалентно внутреннему давлению, которое подобно внешнему давлению p направлено на уменьшение объема газа, поэтому вместо p в уравнении состояния нужно записывать p+a/V2. Член a/V2 поправка, учитывающая взаимное притяжение молекул, которое действует, как некоторое добавочное давление, сжимающее газ, давление называется внутренним и оно обратно пропорционально квадрату объема газа.
(V- b)( p+a/V2)=RT (1.22)
Если взять для любого количества газа, то это уравнение будет выглядеть так:
(V- bm)( p+am2/V2)=RT (1.23)
; где m – масса газа, R – газовая постоянная
Таким образом, внутреннее давление газа равно a(m2/V2), а собственный объем молекул равен bm.
Свойства ненасыщенных паров и газов имеют некоторые сходства, что позволяет допустить, что газы являются ненасыщенными парами некоторых жидкостей. Путем сжатия и охлаждения ненасыщенных паров, их можно привести к насыщению и к последующему сжижению. В 1860году Менделеев и Эндрюс установили, что для каждого газа существует определенная температура, превышая которую данный газ нельзя перевести в жидкое состояние, даже при очень низких давлениях, такая температура называется критической, а давление газа необходимое для его сжижения при tкрит. Давлением критическим. Объем 1 моля вещества при tкрит и pкрит называют критическим объемом.
Вопросы для самопроверки:
1. Что является объектом молекулярно-кинетической теории
2. Перечислить условия существования идеально газа
3. Перечислить параметры, которыми определяется состояние системы
4. Сформулировать законы изопроцессов
5. Изобразить зависимости параметров и выразить математически закон Бойля-Мариотта
6. Изобразить зависимости параметров и выразить математически закон Гей-Люссака
7. Изобразить зависимости параметров и выразить математически закон Шарля
8. Сформулировать закон Авогадро
9. Изобразить зависимость скорости движения молекул от температуры
10. Сформулировать и написать математические выражения отличия идеальных газов от реальных
Список использованных источников раздела 1
1. Глазов В.М. Основы физической химии. - М.: Высш. шк., 1981. - 456с.
2. Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. - М.: Высш. шк., 1987.-376с.
3. Карапетьянц М.Х. Введение в теорию химических процессов. - М.: Высш. шк., 1981. - 333с.
- Введение
- 1. Основы молекулярно- кинетической теории (мкт).
- 1.1 Количественное выражение элементов системы.
- 1.2 Мкт газов.
- 1.3 Изопроцессы
- 1.4 Закон Авагадро.
- 1.5 Закон Дальтона.
- 1.6 Вероятный характер скорости хаотического движения.
- 1.7 Реальные газы
- 2 Термодинамика
- 2.1 Основные понятия и определения термодинамики.
- 2.2 Понятие о тд системах.
- 2.3 Законы начала термодинамики. Их использование.
- 2.4 Термохимия. Использование первого закона тд.
- 2.5 Закон Гесса.
- 2.6 Теплота образования
- 2.7. Теплота растворения
- 2.8 Теплота нейтрализации
- 2.9 Зависимость тепловых эффектов от температуры.
- 3 Второй закон термодинамики
- 3.1 Обратимые и необратимые процессы.
- 3.2 Характеристические функции тд систем.
- 3.3 Направление протекания процессов.
- 3.4 Химический потенциал
- 4.1 Закон действия масс. Константа равновесия.
- 4.2 Правило фаз
- 4.3 Общие представления о диаграммах состояния.
- 4.4 Однокомпонентные системы
- 4.5 Двухкомпонентные системы
- 4.6 Основные виды диаграмм состояния двухкомпонентных систем.
- 4.7 Термический анализ.
- 4.8 Фазовые переходы
- 5 Закон Рауля.
- 6 Физико-химические особенности процессов подготовки подложек при получении эс и микроэлектронных изделий
- 6.1 Поверхностные явления при изготовлении ис, эс
- 6.2. Технология очистки подложек для производства микроэлектронных изделий
- 6.2.1. Важность снижения уровня загрязнений
- 6.2.2. Классификация загрязнений
- 6.2.3. Источники загрязнений
- 6.3. Влияние загрязнений на характеристики микроэлектронных изделий
- 6.3.1. Механические загрязнения
- 6.3.2. Металлические загрязнения
- 6.3.3. Микронеровности поверхности
- 6.3.4. Кристаллические дефекты
- 6.4. Механические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- 6.4.1. Адгезия механических частиц на поверхность полупроводниковых пластин
- 6.4.2. Удаление загрязнений с поверхности пластин в процессах химической обработки
- 6.4.3. Очистка поверхности подложек в перекисно-аммиачном растворе
- 6.5. Методы исследования состояния и характеристик поверхности подложек
- 6.5.1. Методы анализа частиц на поверхности пластин
- 6.5.2. Методы анализа органических загрязнений на поверхности пластин
- 6.5.3. Методы анализа металлических загрязнений на поверхности пластин
- 6.5.4. Методы исследования рельефа поверхности подложек
- 6.6. Технологические процессы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- 6.6.1. "Жидкостная" химическая обработка
- 6.6.2. Методы проведения "жидкостной" химической обработки
- 6.6.3. "Сухая" химическая обработка
- 6.7. Проблемы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- 6.7.1. Влияние химической обработки на шероховатость поверхности Si пластин
- 6.7.2. Проблемы нежелательного формирования слоев оксида на поверхности кремниевых пластин
- 6.7.3. Органические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- 7. Физико-химические аспекты получения многослойных структур
- 7.1. Имплантация ионов водорода в кремниевые пластины
- 7.2. Особенности технологии прямого сращивания подложек
- 7.3. Сращивание пластин, покрытых SiO2
- 7.4. Состояние сращенных пластин
- 7.5. Плоскостность пластин
- 7.6. Утончение сращенных пластин
- 7.7. Микродефекты сращенных структур
- 7.8. Радиационные свойства многослойных структур
- 7.9. Движение и залечивание пор на границе сращивания стандартных пластин кремния
- 7.9.1. Скорость движения пор, связанных с диффузионными потоками в объеме матрицы, в поле температурного градиента
- 7.9.2. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов на ее поверхности в поле температурного градиента
- 7.9.3. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов в объеме в поле температурного градиента
- 7.9.4. Скорость движения пор в неоднородном поле напряжений при разных механизмах перемещения
- 7.9.5. Диффузионное движение пор вблизи границы кристалла, обусловленное поверхностной диффузией
- 7.9.6. Диффузионное движение пор под действием сил со стороны дислокаций
- 7.9.7. Рекристаллизация, спекание и залечивание пор
- 7.10. Пористый кремний в технологии прямого соединения
- 7.10.1. Теория и экспериментальные исследования заращивания пористых слоев
- 7.10.2 Осаждение слоев кремния на стенках пор и капилляров из парогазовых смесей
- 8. Исследование физико-химических свойств многослойных структур
- 8.1. Определение энергии связи прямого связывания пластин кремния методом генерации трещины между поверхностями сращивания
- 8.2. Исследование многослойных структур и материалов, используемых в процессе их производства эс, методами позитронной аннигиляционной спектроскопии
- 8.2.1. Сущность и особенности методов позитронной аннигиляционной спектроскопии
- 8.2.2. Теория метода ураф и результаты исследований
- 8.2.3. Определение концентрации электронов np в зоне проводимости металлов
- 8.2.4. Исследование полупроводников методом пас
- 8.3. Исследование поверхности пластин
- 8.3.1. Метод масс-спектрометрического исследования процесса термодесорбции с поверхности кремниевых пластин
- 8.3.2. Измерения контактной разности потенциалов подложек
- 8.3.3. Влияние адсорбции на электронные свойства поверхности твердых тел
- Список литературы к главе 8