logo
Калугин

Список литературы к главе 8

1. Maszara W.P., Goetz G., Cavigilia A. Mc.Kitterick J.B. Bonding of silicon wafers for silicon-on-insulator // J. Appl. Phys. 1986. V. 64. № 10. P.1943 – 1950.

2. Stengl R, Tan T, Goesele U. A model for the silicon wafer bonding process // Japan J. Appl. Phys. 1989. V. 28. № 10. P. 735 – 1741.

3. Tong Q.-Y., Lee T.-H., Goesele U., Reiche M., Ramm Y., Beck E. The Role of Surface Chemistry in Bonding of Standart Silicon Wafers // J. Electrochem.Soc. 1997. V. 144. № 1. P. 384 – 389.

4. Sensor Technology Devices . Ed. Ljubisa Rustic. Boston - London: Artech House, 1994. P. 157 – 201.

5. Прокопьев Е.П., Петров С.В. Модель сращивания пластин кремния по данным газовыделения. М., 1996. С.103 – 112. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5502.

6. Тимошенков С.П., Прокопьев Е.П. Особенности процесса прямого соединения пластин кремния.// Материаловедение. 1999. № 5. С. 43 – 45.

7. Тимошенков С.П., Прокопьев Е.П., Дягилев В.В. Движение и залечивание пор и полостей вблизи границы сращивания стандартных пластин кремния // Известия вузов. Электроника. 1998. 1998. № 5. С.39 – 44.

8. Алесковский В.Б. Химия надмолекулярных соединений. Учеб. пособие. Спб./: Изд-во С. - Петербург. ун-та, 1996. 256 с.

9. Алесковский В.Б. Стехиометрия и синтез твердых соедине­ний. Л.: Наука, 1976. 140 с.

10. Алесковский В.Б. Химия твердых веществ. М.: Высшая школа, 1978. 258 с.

11. Малыгин А.А. Метод молекулярного наслаивания - основа химической нанотехнологии материалов твердотельной электро­ники // Петербургский журнал электроники. 1996. № 1. С.22.

12. Кольцов С.И. Химическое конструирование твердых ве­ществ. Л.: Изд-во ЛТИ им. Ленсовета, 1990. 48 с.

13. Ежовский Ю.К., Вайнштейн П.М. Химическая активность и особенности взаимодействия ОН-групп на поверхности моно-кристаллического кремния // Журн. прикл. химии. 1998. Т. 71. № 2. С. 227 – 231.

14. Малыгин А.А. Химическая сборка поверхности твердых тел методом молекулярного наслаивания // Соросовский образователь­ный журнал. 1998. № 7. С. 58.

15. Tong Q.-Y., Goesele U. A Model of Low-Temperature Wafer Bonding And Its Applications // J. Electrochem. Soc. 1996. V. 143. № 5. P.1773 – 1779.

16. Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П. Определение энергии связи прямого соединения пластин кремния методом генерации трещины между поверхностями сращивания: Обзор // Оборонный комплекс – научно-техническому прогрессу России. 1999. № 3. С. 45 – 49.

17. Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П. Возможность прямого со­единения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания // Материалове­дение. 1999. № 4. С.49 – 51.

18. Tong Q.-Y., Goesele U. Wafer Bonding and Layer Splitting for Microsystem // Adv. Mater. 1999. V. 11. № 17. P. 1409 – 1425.

19. Tong Q.-Y., Goesele U. Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology. Wiley. New York. 1988.

20. Попов В.П. Создание структур "кремний- на- изоляторе" для ультрабольших интегральных схем и квантовых приборов методом сращивания имплантированных водородом пластин кремния: Научно-технологический отчет. Новосибирск: ИФП СО РАН, 1999.

21. Meuris M., Merteus P.W., Opdebeeck A. The IMEC clean: A new concept for particle and metal removal on Si surfaces // Solid State Technology. 1995. V. 38. № 7. P. 109.

22. Wolke K. Marangoni wafer drying avoids disadvantages // Solid State Technology. 1996. V. 39. № 8. Р. 87 – 90.

23. Britten J.A. A moving-zone Marangoni drying process for critical cleaning and wet processing // Solid State Technology. 1997. V. 40. № 10. Р.143 – 148.

24. Суворов А.Л., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Графутин В.И., Залужный А.Г. Smart-cut технологии связывания (сращива­ния) протонированных пластин кремния с гидрофильными под­ложками с целью получения структур кремний на изоляторе, мно­гослойных структур Ge/Si, (GexSi1-x)/Si и тонких монокристалличе­ских слоев кремния, германия, полупроводников A3B5 И A2B6 для производства новой элементной базы опто-, нано- и микроэлектро­ники, создания современных суперкомпьютеров, специальных ин­тегральных схем и приборов, микромеханических устройств, сен­соров, датчиков и солнечных элементов // Вопросы атомной науки и техники. Саров. 2002. Вып. 1,2. С. 217 – 219.

25. Реутов В.Ф., Ибрагимов Ш.Ш. Способ изготовления тонких пластин кремния. Авт. Свид. СССР № 1282757, 30.12.1983.

26. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. М.: Радио и связь, 1991. С.231.

27. Bruel M. Smart-сut technology: basic mechanisms and applications NATO. Advanced Research Workshop: Perspectives, Science and Technologies for Novel Silicon on Insulator Devices. Kiev, October 12 – 15, 1998. Т.1 P. 9.

28. Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Суворов А.Л. и др. Особенности технологии изготовления КНИ структур прямым сращиванием пластин кремния и контроля их качества: Препринт ИТЭФ 24-00, 2000. 20 с.

29. Суворов А.Л., Чаплыгин Ю.А., Тимошенков С.П. и др. Анализ преимуществ, перспектив применений и технологий производства структур КНИ: Препринт ИТЭФ 27–00, 2000. 51 с.

30. Суворов А.Л., Графутин В.И., Залужный А.Г., Козодаев М.А., Прокопьев Е.П., Шарков Б.Ю., Чаплыгин Ю.А., Тимошенков С.П., Реутов В.Ф. Технология сращивания пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методами молекулярного наслаивания и газового скалывания // Атомная энергия. 2001. Т.91. Вып.4. С.255 – 263.

31. Суворов А.Л., Графутин В.И., Залужный А.Г., Козодаев М.А., Калугин В.В., Прокопьев Е.П., Шарков Б.Ю., Чаплыгин Ю.А., Тимошенков С.П.Физико-химические основы получения структур кремний на изоляторе с использованием метода газового скалывания // Перспективные материалы. 2002. №3. С. 5 – 12.

32. Суворов А.Л., Графутин В.И., Залужный А.Г., Козодаев М.А., Калугин В.В., Прокопьев Е.П., Шарков Б.Ю., Чаплыгин Ю.А., Тимошенков С.П. Smart-cut технология получения структур КНИ во влажных условиях c использованием методов химической сборки поверхности // Материаловедение. 2002. № 3. С. 11 – 20.

33. Графутин В.И., Залужный А.Г., Прокопьев Е.П., Реутов В.Ф., Суворов А.Л., Тимошенков С.П., Шарков Б.Ю., Чаплыгин Ю.А. Сращивание протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками для получения структур кремния на изоляторе // Научная сессия МИФИ-2002. Научно-техническая конференция "Научно-инновационное сотрудничество". Сборник научных трудов. Ч. 3. М.: МИФИ, 2002. С.39 – 41.

34. Графутин В.И., Залужный А.Г., Прокопьев Е.П., Суворов А.Л., Тимошенков С.П., Чаплыгин Ю.А. Получение тонких слоев кремния на изоляторе (КНИ) для солнечных элементов. Научная сессия МИФИ-2002 // Научно-техническая конференция "Научно-инновационное сотрудничество". Сборник научных трудов. Ч. 3. М.: МИФИ, 2002. С. 64,65.

35. Графутин В.И., Залужный А.Г., Прокопьев Е.П., Суворов А.Л., Тимошенков С.П., Чаплыгин Ю.А. Получение структур кремния на изоляторе методом газового скалывания для создания интегральных схем с повышенной радиационной и термической стойкостью // Научная сессия МИФИ-2002. Научно-техническая конференция "Научно-инновационное сотрудничество".Сборник научных трудов. Ч. 3. М.: МИФИ, 2002. С. 37,38.

36. Тимошенков С.П., Калугин В.В., Графутин В.И., Прокопьев Е.П.. Анализ процессов подготовки поверхности кремниевых пластин при изготовлении структур кремний на изоляторе // Оборонный комплекс – научно-техническому прогрессу России. 2002. № 3. С. 28 – 34; C. 75 – 84.

37. Попов В.П. Создание КНИ структур для ультра больших интегральных схем // Известия вузов. Электроника, 1998. № 5. C. 22 – 26.

38. Гольданский В. И. Физическая химия позитрона и позитрония. М.: Наука, 1968.

39. Positrons in Solids. Ed.:P. Hautojarvi // Topics in Current Physics. Berlin. 1979. V. 12

40. Positron Annihilation // Proc. 7th Intern. Conf. on Positron Annihilation. India. 1985. World Scientific Co. Singapure. 1985.

41. Positron Annihilation // Proc. 8th Intern. Conf. on Positron Annihilation. Belgium. 1988. World Scientific Co. Singapure. 1988.

42. Schultz P. J., Lynn K. G. Interaction of Positron Beams with Surfaces, Thin Films, and Interfaces // Reviews of Modern Physics. 1988. V. 60. P. 701.

43. Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Графутин В.И., Мясищева Г.Г., Фунтиков Ю.В. Позитроника ионных кристаллов, полупроводников и металлов. М.: МИЭТ (ТУ), 1999.

44. Графутин В.И., Фунтиков Ю.В., Бяков В.М., Фирсов В.Г.,. Степанов С.В, Степанова О.П., Илюхина О.В., Мясищева Г.Г., Гришкин В.Л. // Современные проблемы ядерной физики, физики и химии конденсированных сред: Труды 1-й Московской Международной Школы физики ИТЭФ, г.Звенигород Московской области, 17 – 26 февраля 1998 г. Москва: Редакция журнала "Успехи физических наук". 1999. С.187, 209, 213, 219, 235.

45. Прокопьев Е. П. // Астрономический журнал 1994. Т. 70. № 3. С. 906.

46. Арефьев К.П. Воробьев С.А. Прокопьев Е.П. Позитроника в радиационном материаловедении ионных структур и полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1983.

47. Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Мясищева Г.Г., Фунтиков Ю.В. // ФТТ. 1999. Т. 41. С. 529.

48. Ferrante G. Phys. Rev. // 1968. V. 170. C. 76.

49. Wheeler J.A. // Ann N Y Acad Sci. 1946. V. 48. P. 219.

50. Графутин В.И., Илюхина О.В., Прокопьев Е.П., Мясищева Г.Г., Фунтиков Ю.В. // Химическая физика. 2000. Т. 19. С. 36.

51. Графутин В.И., Илюхина О.В, Прокопьев Е.П., Мясищева Г.Г., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. // ХВЭ. 2000. Т. 34. С. 460.

52. Goldanskii V.I., Novikov Yu.A., Rakov A.V., Shantarovich V.P. // Struct.Chem. 1991. V. 2. P. 135.

53. Новиков Ю.А., Раков А.В., Шантарович В.П. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1991. Т. 6. С. 34.

54. Графутин В.И., Комлев В.П., Новиков Ю.А., Раков А.В., Филимонов М.К., Фунтиков Ю.В., Шантарович В.П. // Известия Академии Наук (Серия физическая). 1994. Т. 58. № 4. С. 4.

55. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П. и др Квантовые свойства атомов и ионов и позитронная диагностика Ташкент: ФАН, 1975.

56. Арефьев К.П., Арифов П.У., Прокопьев Е.П. и др. Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1978.

57. Бяков В.М., Ничипоров Ф.Г. Внутритрековые химические процессы. М.: Энергоатомиздат, 1985.

58. Бяков В.М., Графутин В.И. // ХВЭ. 1980. Т. 14. С. 263.

59. Byakov V.M., Grafutin V.I. // Radiat. Phys. Chem. 1986. V. 28. C. 1.

60. Бяков В.М., Графутин В.И., Гришкин В.Л. и др. // Химическая физика. 1999. V. 4. С. 75.

61. Byakov V.M., Grafutin V.I., Ilukhina O.V. // Chemicke Zvesti (Chemical Papers) 1996. V. 50. № 2. P. 45.

62. Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Мясищева Г.Г., Фунтиков Ю.В. Возможный спектр состояний в пористом кремнии // Физика твердого тела. 2001. Т. 43. Вып. 8. С. 1376 – 1382.

63. Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Гаврилов С.А., Мясищева Г.Г., Фунтиков Ю.В. Возможности наблюдения позитронных состояний и фазовых переходов на поверхности пористого кремния // Украинский физический журнал. 2001. Т. 46. № 8. С. 870 – 877.

64. Минайчев Е.В., Мясищева Г.Г., Обухов Ю.В. и др. // ЖТЭФ. 1983. Т. 57. № 2. С. 421.

65. Дымович В.И., Ковшиков Е.К., Коробцов В.П. Электронная промышленность. 1982. Вып.9 (115). С.58.

66. Thiel P.A., Madey T.E. The interaction of wafer with solid surfaces: Fundamental aspects // Surf. Sci. Reports. 1987. V. 7. P. 211  385.

67. Киселев В.Ф., Козлов С.Н., Зотеев А.В. Основы физики поверхности твердого тела. М.: Изд-во МГУ, 1999. 209 с.

68. Zhuravlev L.T. The surface chemistry of amorphous silica // Col. and Surf. 1993. V. 74 A. P. 71.

69. Тимошенков С.П., Новиков С.Н. Использование метода статического ионизированного конденсатора для измерения работы выхода электрона // Известия вузов. Электроника. 2003. № 5. С. 81  88.

205