2 Термодинамика

Содержание

• Введение
• 1. Основы молекулярно- кинетической теории (мкт).
• 1.1 Количественное выражение элементов системы.
• 1.2 Мкт газов.
• 1.3 Изопроцессы
• 1.4 Закон Авагадро.
• 1.5 Закон Дальтона.
• 1.6 Вероятный характер скорости хаотического движения.
• 1.7 Реальные газы
• 2 Термодинамика
• 2.1 Основные понятия и определения термодинамики.
• 2.2 Понятие о тд системах.
• 2.3 Законы начала термодинамики. Их использование.
• 2.4 Термохимия. Использование первого закона тд.
• 2.5 Закон Гесса.
• 2.6 Теплота образования
• 2.7. Теплота растворения
• 2.8 Теплота нейтрализации
• 2.9 Зависимость тепловых эффектов от температуры.
• 3 Второй закон термодинамики
• 3.1 Обратимые и необратимые процессы.
• 3.2 Характеристические функции тд систем.
• 3.3 Направление протекания процессов.
• 3.4 Химический потенциал
• 4.1 Закон действия масс. Константа равновесия.
• 4.2 Правило фаз
• 4.3 Общие представления о диаграммах состояния.
• 4.4 Однокомпонентные системы
• 4.5 Двухкомпонентные системы
• 4.6 Основные виды диаграмм состояния двухкомпонентных систем.
• 4.7 Термический анализ.
• 4.8 Фазовые переходы
• 5 Закон Рауля.
• 6 Физико-химические особенности процессов подготовки подложек при получении эс и микроэлектронных изделий
• 6.1 Поверхностные явления при изготовлении ис, эс
• 6.2. Технология очистки подложек для производства микроэлектронных изделий
• 6.2.1. Важность снижения уровня загрязнений
• 6.2.2. Классификация загрязнений
• 6.2.3. Источники загрязнений
• 6.3. Влияние загрязнений на характеристики микроэлектронных изделий
• 6.3.1. Механические загрязнения
• 6.3.2. Металлические загрязнения
• 6.3.3. Микронеровности поверхности
• 6.3.4. Кристаллические дефекты
• 6.4. Механические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
• 6.4.1. Адгезия механических частиц на поверхность полупроводниковых пластин
• 6.4.2. Удаление загрязнений с поверхности пластин в процессах химической обработки
• 6.4.3. Очистка поверхности подложек в перекисно-аммиачном растворе
• 6.5. Методы исследования состояния и характеристик поверхности подложек
• 6.5.1. Методы анализа частиц на поверхности пластин
• 6.5.2. Методы анализа органических загрязнений на поверхности пластин
• 6.5.3. Методы анализа металлических загрязнений на поверхности пластин
• 6.5.4. Методы исследования рельефа поверхности подложек
• 6.6. Технологические процессы очистки поверхности полупроводниковых пластин
• 6.6.1. "Жидкостная" химическая обработка
• 6.6.2. Методы проведения "жидкостной" химической обработки
• 6.6.3. "Сухая" химическая обработка
• 6.7. Проблемы очистки поверхности полупроводниковых пластин
• 6.7.1. Влияние химической обработки на шероховатость поверхности Si пластин
• 6.7.2. Проблемы нежелательного формирования слоев оксида на поверхности кремниевых пластин
• 6.7.3. Органические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
• 7. Физико-химические аспекты получения многослойных структур
• 7.1. Имплантация ионов водорода в кремниевые пластины
• 7.2. Особенности технологии прямого сращивания подложек
• 7.3. Сращивание пластин, покрытых SiO2
• 7.4. Состояние сращенных пластин
• 7.5. Плоскостность пластин
• 7.6. Утончение сращенных пластин
• 7.7. Микродефекты сращенных структур
• 7.8. Радиационные свойства многослойных структур
• 7.9. Движение и залечивание пор на границе сращивания стандартных пластин кремния
• 7.9.1. Скорость движения пор, связанных с диффузионными потоками в объеме матрицы, в поле температурного градиента
• 7.9.2. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов на ее поверхности в поле температурного градиента
• 7.9.3. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов в объеме в поле температурного градиента
• 7.9.4. Скорость движения пор в неоднородном поле напряжений при разных механизмах перемещения
• 7.9.5. Диффузионное движение пор вблизи границы кристалла, обусловленное поверхностной диффузией
• 7.9.6. Диффузионное движение пор под действием сил со стороны дислокаций
• 7.9.7. Рекристаллизация, спекание и залечивание пор
• 7.10. Пористый кремний в технологии прямого соединения
• 7.10.1. Теория и экспериментальные исследования заращивания пористых слоев
• 7.10.2 Осаждение слоев кремния на стенках пор и капилляров из парогазовых смесей
• 8. Исследование физико-химических свойств многослойных структур
• 8.1. Определение энергии связи прямого связывания пластин кремния методом генерации трещины между поверхностями сращивания
• 8.2. Исследование многослойных структур и материалов, используемых в процессе их производства эс, методами позитронной аннигиляционной спектроскопии
• 8.2.1. Сущность и особенности методов позитронной аннигиляционной спектроскопии
• 8.2.2. Теория метода ураф и результаты исследований
• 8.2.3. Определение концентрации электронов np в зоне проводимости металлов
• 8.2.4. Исследование полупроводников методом пас
• 8.3. Исследование поверхности пластин
• 8.3.1. Метод масс-спектрометрического исследования процесса термодесорбции с поверхности кремниевых пластин
• 8.3.2. Измерения контактной разности потенциалов подложек
• 8.3.3. Влияние адсорбции на электронные свойства поверхности твердых тел
• Список литературы к главе 8