8.3.3. Влияние адсорбции на электронные свойства поверхности твердых тел

В настоящее время накоплен обширный экспериментальный ма­териал измерения КРП широкого круга поверхностей твердых тел различной природы (металлов, полупроводников, изоляторов) и структуры (моно- и поликристаллы), а также большого числа разных адсорбатов при различных температурах. В связи с этим в табл.8.2 и 8.3 приведены некоторые данные, из которых следует:

- потенциалы поверхностей одинаковой природы существенно отличаются при адсорбции на них различных молекул (табл.8.2);

- потенциалы поверхностей разных твердых тел близки, если на них адсорбируются молекулы воды (см. табл.8.3);

- имеет место корреляция характера изменения КРП с полярно­стью молекул (полярные молекулы снижают КРП).

Влияние адсорбции Н₂О на величину КРП может быть различным. Эта адсорбция в зависимости от условий эксперимента может происходить в виде отдельных диполей (ассоциативная адсорбция), либо осложняться диссоциацией на фрагменты, имеющие дипольный момент, или образующие водородные связи.

Таблица 8.2. КРП поверхностей различных адсорбатов

Примечание: асс – ассоциативная; дисс – диссоциативная.

Таблица 8.3. КРП поверхностей при адсорбции воды

На рис.8.13 приведен обобщенная зависимость КРП от степени покрытия поверхности молекулами Н₂О (числа слоев n). Из ри­сунка следует, что адсорбция воды в пределах монослоя приводит к существенному снижению потенциала (до 1 В). Однако большое количество молекул Н₂О, образующее полислои (либо покрытие ОН-группами, связанными водородными связями), приводит к росту КРП.

Данные, приведенные в табл.8.2, 8.3 и рис.8.13, указывают, что решающими моментами, определяющими потенциал поверхности, являются полярность молекул, из которых состоит поверхностная фаза, и ориентация молекул по отношению к поверхности. Моле­кулы (или их фрагменты), ориентированные нормально к поверх­ности, снижают работу выхода электрона (КРП) и, напротив, рас­положенные параллельно поверхности, приводят к увеличению КРП.

Рис.8.13. Зависимость КРП от числа слоев сорбированной Н₂О

Важную роль играет также величина удельной поверхности. В случае плоской поверхности электронное облако внутри твердого тела не имеет резкой границы. Оно распространяется и на область вне поверхности, что приводит к перераспределению электронов в объеме вещества и к образованию около поверхности двойного слоя с отрицательным полюсом снаружи. Поэтому плотно упако­ванные кристаллические грани характеризуются высокими значе­ниями работы выхода, а атомно-шероховатые или не плотноупако­ванные грани – низкими. При адсорбции на более развитой поверх­ности количество диполей в поверхностной фазе велико, что также снижает КРП (при постоянной площади измерительного зонда).

Вопросы для самопроверки:

1. Каким образом можно определить энергию связи прямого связывания пластин кремния

2. Изобразить зависимость поверхностной энергии от времени распространения трещин для пары пластин кремния

3. Сущность и особенности методов позитронной аннигиляционной спектроскопии

4. Рассказать особенности исследования полупроводников методом ПАС

5. Привести особенности методов исследования поверхности пластин

6. Охарактеризовать метод масс-спектрометрического исследования процесса термодесорбции с поверхности кремниевых пластин

7. Измерения контактной разности потенциалов подложек

8. Влияние адсорбции на электронные свойства поверхности твердых тел

9. Привести зависимость КРП от числа слоев сорбированной Н2О