4.2 Правило фаз
Составными частями системы называется химические индивидуальные вещества составляющие данную систему и способные к самостоятельному сосуществованию, будучи изолированными от других частей системы.
NH4Cl(тв.)=NH3(газ)+HCl(газ).
Система, в которой происходит химическая реакция, имеет три части, т.к. каждое из трех веществ может существовать как индивидуум.
Отдельные солевые ионы не могут являться составными частями системы.
NaCl+H2O содержит Na+ и Cl-.
Ионы не являются составными частями, они не могут существовать самостоятельно. Понятие составная часть и понятие компонент не идентичны.
Например:
NH4Cl(тв) NH3(газ)+HCl(газ).
Три составные части т.к. они самостоятельные химические вещества.
Система содержит две фазы твердую и газообразную. Система изолирована от окружающей среды, т.к. удовлетворяет равновесному соотношению:
(4.4)
т.е. если обе реакции протекают с одинаковыми скоростями, то в первом времени будет образовываться одинаковое число молекул, однако система является однокомпонентной.
В равновесных системах могут идти процессы, но в противоположных направлениях так чтобы результаты взаимоуничтожались.
Действительно, твердая фаза состоит из NH4Cl, но и газообразная фаза состоит из того же компонента, т.к. NH3 и HCl находятся в газообразной фазе в эквимолекулярных количествах, т.е. их концентрации равны.
Т.о. если известна концентрация только одного вещества, то система будет полностью определена.
Если в систему извне ввести избыток HCl или NH3, либо NH4Cl и HCl в зависимости от того, какое вещество вводится в систему дополнительно. Таким же образом может оказаться, что система образованная из трех солей и воды имеет 5 составных частей, если раствор является насыщенным и выпадает в осадок.
В системе имеется три соли и вода: NaCl, K2SO4, KCl, H2O – в результате обменной реакции.
В этой системе есть еще одна составная часть Na2SO4:
2NaCl+K2SO4Na2SO4+2KCl,
которая способна к самостоятельному существованию.
Однако состав каждой фазы может быть выражен посредством трех солей и воды. Следовательно, число компонентов, из которых построена данная система равно числу составных частей системы минуя число возможных реакций.
K=P-r=5-1=4,
Где К - число компонентов, Р – число составных частей , r – число химических реакций.
Пример: изолированная от окружающей среды система состоит из Н2 и О2. Температура 2000С, реакция идет с образованием Н2О:
2Н2+О22Н2О.
Три составные части К=3-1=2, т.е. система 2-хкомпонентна.
Т.о. компонентами системы называются индивидуальные вещества, наименьшее число которых необходимо и достаточно для образования всех фаз данной системы.
ТД степень свободы или F является произвольно меняемым параметром системы. Число параметров состояния способных меняться без нарушения разового равновесия называется числом степеней свободы системы или ее вариантностью. Допустим однокомпонентная система характеризуется параметрами (Р, V, Т), эти параметры связаны между собой уравнениями состояния:
(4.5)
Тогда из трех параметров два других будут независимыми и один зависимый, иначе, обычно задается двумя параметрами. Если система состоит из одной газообразной фазы, то можно произвольно менять оставшиеся в системе в том же газообразном состоянии оба независимые параметра, например Т и Р.
Это соответствует тому, что система имеет две степени свободы, т.е. она двухвариантная.
Если в системе равновесие между жидкостью и паром, то не нарушая этого равновесия можно менять можно менять только один параметр, т.к. один из параметров состояния становится фиксированным поскольку пар называемый жидкостью является насыщенным, т.е. три параметра Р, Т, V связаны между собой двумя уравнениями:
1 – уравнение состояния
(4.6)
2 – уравнение агрегатного превращения.
(4.7)
где Q – скрытая теплота превращения (испарение);
V – изменение объема при этом превращении.
Число степеней свободы для каждой системы определяется разностью между числом параметров данной системы и числом уравнения связывающие данные параметры. Если рассмотреть какую-либо двухкомпонентную систему, обе ее фазы находятся в равновесии при некотором значении Т и Р, то можно написать для них удельные или мольные значения параметров:
1 фаза: V1, S1, H1, G1.
2 фаза: V2, S2, H2, G2.
В случае если предположить, что к системе подведено количество тепла dQ обеспечивающее фазовый переход из жидкости в пар, то с учетом1-го и 2-го законов ТД получим уравнение: G1=G2.
2-ой закон ТД: (4.8)
. (4.9)
Работа по расширению равна:
(4.10)
1-ый закон ТД: ;
(4.11)
(4.12)
Т.о. если двухфазная система состоит из одного компонента и находится в равновесии, то удельные или мольные изобарные потенциалы обеих фаз равны.
Число ТД степеней свободы определяется подсчетом.
Рассмотрим систему, которая имеет y фаз и содержит k компонентов. Каждый компонент в каком-то количестве находится в каждой фазе. Состояние отдельной фазы описывается уравнением:
φ (V, P, T) = 0.
Введем , тогда уравнение примет вид:
φ (С, P, T) = 0.
Так как речь идет об одной системе, то в ее пределах P, T одни и те же для всех фаз, т.е. система имеет два общих параметра P и T. Если каждый компонент находится в каждой фазе, то для одного компонента имеем y концентраций, т.е. С1, С2, …, Сy во всех фазах. А для k компонентов имеем ky концентраций. Итого для рассматриваемой системы имеем число параметров (2 + ky). Количество уравнений, связывающих эти параметры – y, т.е. для каждой фазы уравнение состояния будет:
φ (P, T, С1, С2, …, Сy) = 0 (4.13)
Равновесие в многокомпонентной системе характеризуется равенством ХП μ во всех фазах, поэтому для каждого компонента имеется еще дополнительно (y – 1) уравнений. Например четыре фазы будут иметь три уравнения ХП.
μ1=μ2; μ2=μ3; μ3=μ4, может быть еще одно уравнение μx=μy, но оно следует из предыдущих.
Для k компонентов получаем k(y – 1) уравнений, общее количество уравнений y + k(y – 1).
Число степеней свободы равно разности между числом параметров и числом уравнений, связывающих параметры. Таким образом, число степеней свободы равно разности между числом компонентов и числом фаз плюс 2.
F = (2 – ky) – [y + k(y – 1)] или
F = k – y + 2 (4.14)
Это называется правилом фаз в классическом виде. Оно применяется при анализе большинства физико-химических систем. Двойка появилась из допущения, что на состояние равновесия могут влиять два параметра Р и Т. В случае если на равновесие влияют другие параметры, то двойка заменяется на соответствующее число параметров, тогда
F = k – y + f (4.15)
В металлических системах один из параметров, например Р, обычно меняется в настолько малых пределах, что не оказывает существенного влияния на процессы превращения при получении сплавов. Для них правило фаз будет выглядеть F = k – y + 1, где единица соответствует температуре, которая способна изменять фазовое равновесие. Дополнительное уравнение, связывающее параметры системы, уменьшает F на столько единиц, на сколько увеличивается число уравнений, характеризующих данную систему. Отсутствие одного или нескольких компонентов в одной из фаз не оказывает влияние на вариантности (F) так как число параметров и число уравнений изменяются на одно и то же число, следовательно разница остается без изменения.
Пример:
В двухкомпонентной системе (k = 2) «соль-вода», существуют четыре фазы: соль – лед – насыщенный раствор – пар. Параметры, изменяющие состояние F = k – y + f =>
F = 2 – 4 + 2 =0. Т.е. система без вариантна, это означает, что четырехфазное равновесия в двухкомпонентной системе может существовать только при строго определенных значениях Т и Р. Иногда в литературе заменяют термины» «безвариантную» на «инвариантную»; «единовариантную» на «моновариантную» и т.д.
- Введение
- 1. Основы молекулярно- кинетической теории (мкт).
- 1.1 Количественное выражение элементов системы.
- 1.2 Мкт газов.
- 1.3 Изопроцессы
- 1.4 Закон Авагадро.
- 1.5 Закон Дальтона.
- 1.6 Вероятный характер скорости хаотического движения.
- 1.7 Реальные газы
- 2 Термодинамика
- 2.1 Основные понятия и определения термодинамики.
- 2.2 Понятие о тд системах.
- 2.3 Законы начала термодинамики. Их использование.
- 2.4 Термохимия. Использование первого закона тд.
- 2.5 Закон Гесса.
- 2.6 Теплота образования
- 2.7. Теплота растворения
- 2.8 Теплота нейтрализации
- 2.9 Зависимость тепловых эффектов от температуры.
- 3 Второй закон термодинамики
- 3.1 Обратимые и необратимые процессы.
- 3.2 Характеристические функции тд систем.
- 3.3 Направление протекания процессов.
- 3.4 Химический потенциал
- 4.1 Закон действия масс. Константа равновесия.
- 4.2 Правило фаз
- 4.3 Общие представления о диаграммах состояния.
- 4.4 Однокомпонентные системы
- 4.5 Двухкомпонентные системы
- 4.6 Основные виды диаграмм состояния двухкомпонентных систем.
- 4.7 Термический анализ.
- 4.8 Фазовые переходы
- 5 Закон Рауля.
- 6 Физико-химические особенности процессов подготовки подложек при получении эс и микроэлектронных изделий
- 6.1 Поверхностные явления при изготовлении ис, эс
- 6.2. Технология очистки подложек для производства микроэлектронных изделий
- 6.2.1. Важность снижения уровня загрязнений
- 6.2.2. Классификация загрязнений
- 6.2.3. Источники загрязнений
- 6.3. Влияние загрязнений на характеристики микроэлектронных изделий
- 6.3.1. Механические загрязнения
- 6.3.2. Металлические загрязнения
- 6.3.3. Микронеровности поверхности
- 6.3.4. Кристаллические дефекты
- 6.4. Механические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- 6.4.1. Адгезия механических частиц на поверхность полупроводниковых пластин
- 6.4.2. Удаление загрязнений с поверхности пластин в процессах химической обработки
- 6.4.3. Очистка поверхности подложек в перекисно-аммиачном растворе
- 6.5. Методы исследования состояния и характеристик поверхности подложек
- 6.5.1. Методы анализа частиц на поверхности пластин
- 6.5.2. Методы анализа органических загрязнений на поверхности пластин
- 6.5.3. Методы анализа металлических загрязнений на поверхности пластин
- 6.5.4. Методы исследования рельефа поверхности подложек
- 6.6. Технологические процессы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- 6.6.1. "Жидкостная" химическая обработка
- 6.6.2. Методы проведения "жидкостной" химической обработки
- 6.6.3. "Сухая" химическая обработка
- 6.7. Проблемы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- 6.7.1. Влияние химической обработки на шероховатость поверхности Si пластин
- 6.7.2. Проблемы нежелательного формирования слоев оксида на поверхности кремниевых пластин
- 6.7.3. Органические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- 7. Физико-химические аспекты получения многослойных структур
- 7.1. Имплантация ионов водорода в кремниевые пластины
- 7.2. Особенности технологии прямого сращивания подложек
- 7.3. Сращивание пластин, покрытых SiO2
- 7.4. Состояние сращенных пластин
- 7.5. Плоскостность пластин
- 7.6. Утончение сращенных пластин
- 7.7. Микродефекты сращенных структур
- 7.8. Радиационные свойства многослойных структур
- 7.9. Движение и залечивание пор на границе сращивания стандартных пластин кремния
- 7.9.1. Скорость движения пор, связанных с диффузионными потоками в объеме матрицы, в поле температурного градиента
- 7.9.2. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов на ее поверхности в поле температурного градиента
- 7.9.3. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов в объеме в поле температурного градиента
- 7.9.4. Скорость движения пор в неоднородном поле напряжений при разных механизмах перемещения
- 7.9.5. Диффузионное движение пор вблизи границы кристалла, обусловленное поверхностной диффузией
- 7.9.6. Диффузионное движение пор под действием сил со стороны дислокаций
- 7.9.7. Рекристаллизация, спекание и залечивание пор
- 7.10. Пористый кремний в технологии прямого соединения
- 7.10.1. Теория и экспериментальные исследования заращивания пористых слоев
- 7.10.2 Осаждение слоев кремния на стенках пор и капилляров из парогазовых смесей
- 8. Исследование физико-химических свойств многослойных структур
- 8.1. Определение энергии связи прямого связывания пластин кремния методом генерации трещины между поверхностями сращивания
- 8.2. Исследование многослойных структур и материалов, используемых в процессе их производства эс, методами позитронной аннигиляционной спектроскопии
- 8.2.1. Сущность и особенности методов позитронной аннигиляционной спектроскопии
- 8.2.2. Теория метода ураф и результаты исследований
- 8.2.3. Определение концентрации электронов np в зоне проводимости металлов
- 8.2.4. Исследование полупроводников методом пас
- 8.3. Исследование поверхности пластин
- 8.3.1. Метод масс-спектрометрического исследования процесса термодесорбции с поверхности кремниевых пластин
- 8.3.2. Измерения контактной разности потенциалов подложек
- 8.3.3. Влияние адсорбции на электронные свойства поверхности твердых тел
- Список литературы к главе 8