7.10. Пористый кремний в технологии прямого соединения

При изготовлении полупроводниковых приборов и интеграль­ных схем возникает необходимость в получении покрытий из по­лупроводников, диэлектриков, металлов на поверхности пористого кремния, на стенках капиллярных щелей, отверстий и углублений для планаризации структур, изготовления конденсаторов, верти­кальных межсоединений, полевых транзисторов с вертикальными каналами и т.д. Для получения покрытий используют стационар­ные и импульсные термохимические реакции парогазовых смесей при атмосферном и пониженном давлении. В работах [14,15] пред­ложены аналитические модели осаждения кремния на стенках ка­пилляров и пор в подложках кремния для импульсного и стацио­нарного CVD-процесса, позволяющие оценивать однородность скоростей роста и толщин слоев кремния, а также времена зараста­ния устьев пор и капилляров для различных условий тетрахлорид­ного процесса. Рассматривались два предельных случая ведения этого процесса: чисто диффузионный (в отсутствие вынужденной конвекции парогазовой смеси) и процесс с течением парогазовой смеси в порах или капиллярах со звуковыми скоростями. В на­стоящей работе на примере тетрахлоридного процесса рассматри­вается случай течения парогазовой смеси в порах и капиллярах при произвольных числах Рейнольдса (произвольных скоростях).