8.3.2. Измерения контактной разности потенциалов подложек
Для изучения поверхности кремниевых пластин, была применена установка "Альфатест", позволяющая измерять контактную разность потенциалов [65]. Использовался эталонный электрод.
В качестве объектов исследования влияния тепловой обработки на свойства поверхности были выбраны стандартные пластины монокристаллического (100) кремния КЭФ 4,5 [66–69]. Типичные масс-спектры термодесорбции показаны на рис.8.10 и 8.11.
Р ис.8.10. Термодесорбция воды при 900 С пластин кремния КЭФ 4,5(100) в зависимости от времени (максимальное время выдержки 1,5 ч). Условные обозначения: —— образец №1; – – – образец №2; • • • • образец №3
На рис. 8.10,а приведены масс-спектры Н2О (при 900 С) трех кремниевых пластин КЭФ 4,5 (100), хранившихся в атмосферных условиях; на рис. 8.10,б – масс-спектры тех же образцов после предварительной специальной обработки водой – гидроксилирования, т.е. кипячения в дистиллированной воде.
На рис. 8.11 показаны масс-спектры гидроксилированного образца кремния после термической обработки в экстракторе масс-спектрометра при восьми температурных обработках (от 100 до 900С).
Рис.8.11. Изменение термодесорбции воды в процессе выдержки пластин кремния КЭФ 4,5 (100) в экстракторе масс-спектрометра МХ-7202 при различных температурах в зависимости от времени (максимальное время выдержки 1,5 ч)
На рис.8.12 приведены зависимости контактной разности потенциалов кремниевой пластины и количества десорбированной влаги (в отн. ед.) от температуры тепловой обработки.
Рис.8.12. Изменение контактной разности потенциалов и количества десорбированной воды от температуры вакуумной термообработки пластин КЭФ – 4,5 (100): OH – степень покрытия ОН-группами поверхности SiO2 по данным [68
Как известно, с энергетической точки зрения сорбированные молекулы можно подразделить по следующим критериям (теплоты адсорбции): физическая адсорбция – 4 20 мэВ; химическая адсорбция – 1 100 эВ и более. Однако указанные границы являются условными, поскольку в ряде случаев теплота химической адсорбции может быть очень мала, например, если она сопровождается диссоциацией молекул, энергия связи которых достаточна велика. В литературе, посвященной вопросам адсорбции, принято считать, что физическая адсорбция не влияет на электронику поверхности, в противоположность химической. Ниже этот вопрос будет рассмотрен более подробно.
Проблеме взаимодействия молекул воды с поверхностью твердых тел посвящено множество литературных источников [66]. Особое внимание уделялось механизму этого процесса и влиянию его на свойства твердых тел, имеющих оксидные поверхности. Современная точка зрения на механизм адсорбции воды на поверхности оксидов изложена в работе [67]. В кратком изложении она заключается в следующем. В обычных производственных условиях поверхности металлов и полупроводников имеют естественную пленку оксида. Молекулы воды, всегда присутствующие в окружающей атмосфере, адсорбируются на поверхности и в тонком приповерхностном слое – адсорбционном пространстве – и могут диссоциировать, образуя пару ионов: H2O = OH- + H+. Заряженные группы OH- могут различным образом (с разной энергией связи) присоединяться к поверхности твердого тела. Таким образом, в зависимости от парциального давления H2O в окружающей среде на поверхности твердого тела образуется то или иное покрытие гидроксильными группами (гидроксилирование). Необходимо подчеркнуть, что максимально возможной величиной покрытия группами ОН является монослой, поскольку процесс является хемосорбционным. Физическая адсорбция различных газов и паров (в том числе органических) происходит на оксидных поверхностях, предварительно покрытых слоем гидроксилов.
Наиболее подробное и тщательное исследование взаимодействия воды с поверхностью SiO2 проведено в работах [68,69]. С по-мощью масс-спектрометрического изучения термодесорбции воды было показано, что при повышении температуры до 190 – 210 °С в вакууме происходит удаление физически связанных молекул воды; при этом реакция термодесорбции имеет первый порядок, энергия активации десорбции Eα равна ~ 5 – 6 ккал/моль. При дальнейшем повышении температуры начинается разрушение слоя гидроксилов (OH-групп) – реакция дегидроксилирования. Причем в области температур от ~ 200 до 400 °С удаляются группы OH, связанные между собой горизонтальным взаимодействием – водородной связью, а также координационные соединения (поверхностные комплексы) и возникают островковые образования ОН вокруг активных центров (реакция имеет второй порядок, с энергией Eα=20 ккал/моль). При температурах выше 400 °С остаются лишь изолированные, не связанные между собой гидроксилы. В температурном диапазоне более 250 °С на поверхности идет "реакция конденсации" [65-67] (≡Si-OH) + (≡Si-OH)= (≡Si‑O‑Si≡)+H2O, т.е. образуются так называемые "силоксановые мостики" и "вторичная вода". Энергия активации OH-групп увеличивается при температуре выше 400 °С до 25÷50 ккал/моль с уменьшением покрытия OH-группами. В этом случае, по-видимому, имеет место процесс десорбционной миграции протонов вдоль поверхности (или процесс активированной диффузии OH‑групп). Результатом такой миграции являются образование двух пар OH-групп и реакция конденсации.
В последних исследованиях было показано, что наряду с процессом гидроксилирования на поверхности происходит другой хемосорбционный процесс – образование координационных соединений. Местами их образования являются координационно-ненасыщенные атомы на поверхности, играющие роль электронно-акцепторных центров. При их взаимодействии с водой образуются протоно-донорные центры (Н2О)к, более активные, чем гидроксилы [67]. Таким образом, адсорбция паров и газов на поверхности оксида происходит как на гидроксильных группах, так и на (Н2О)к центрах.
Координационные соединения имеют существенно меньшую термостабильность по сравнению с химическими. Если для проведения полного дегидроксилирования поверхности необходимы температуры до ~ 1000 °С, то координационные соединения разрушаются уже при температурах ~ 300 400 °С.
Приведенные выше данные о механизме процессов адсорбции-десорбции молекул воды получены для поверхности твердых тел. Естественно, проведение адсорбционных экспериментов на таких объектах не вызывает больших затруднений, так как величины адсорбции значительны. Данные для малых поверхностей, имеющих "геометрические" значения, единичны, поскольку экспериментальные трудности в этом случае резко возрастают. Принципиальный характер процессов адсорбции-десорбции молекул H2O на "геометрической" поверхности твердых тел остается тем же.
- Введение
- 1. Основы молекулярно- кинетической теории (мкт).
- 1.1 Количественное выражение элементов системы.
- 1.2 Мкт газов.
- 1.3 Изопроцессы
- 1.4 Закон Авагадро.
- 1.5 Закон Дальтона.
- 1.6 Вероятный характер скорости хаотического движения.
- 1.7 Реальные газы
- 2 Термодинамика
- 2.1 Основные понятия и определения термодинамики.
- 2.2 Понятие о тд системах.
- 2.3 Законы начала термодинамики. Их использование.
- 2.4 Термохимия. Использование первого закона тд.
- 2.5 Закон Гесса.
- 2.6 Теплота образования
- 2.7. Теплота растворения
- 2.8 Теплота нейтрализации
- 2.9 Зависимость тепловых эффектов от температуры.
- 3 Второй закон термодинамики
- 3.1 Обратимые и необратимые процессы.
- 3.2 Характеристические функции тд систем.
- 3.3 Направление протекания процессов.
- 3.4 Химический потенциал
- 4.1 Закон действия масс. Константа равновесия.
- 4.2 Правило фаз
- 4.3 Общие представления о диаграммах состояния.
- 4.4 Однокомпонентные системы
- 4.5 Двухкомпонентные системы
- 4.6 Основные виды диаграмм состояния двухкомпонентных систем.
- 4.7 Термический анализ.
- 4.8 Фазовые переходы
- 5 Закон Рауля.
- 6 Физико-химические особенности процессов подготовки подложек при получении эс и микроэлектронных изделий
- 6.1 Поверхностные явления при изготовлении ис, эс
- 6.2. Технология очистки подложек для производства микроэлектронных изделий
- 6.2.1. Важность снижения уровня загрязнений
- 6.2.2. Классификация загрязнений
- 6.2.3. Источники загрязнений
- 6.3. Влияние загрязнений на характеристики микроэлектронных изделий
- 6.3.1. Механические загрязнения
- 6.3.2. Металлические загрязнения
- 6.3.3. Микронеровности поверхности
- 6.3.4. Кристаллические дефекты
- 6.4. Механические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- 6.4.1. Адгезия механических частиц на поверхность полупроводниковых пластин
- 6.4.2. Удаление загрязнений с поверхности пластин в процессах химической обработки
- 6.4.3. Очистка поверхности подложек в перекисно-аммиачном растворе
- 6.5. Методы исследования состояния и характеристик поверхности подложек
- 6.5.1. Методы анализа частиц на поверхности пластин
- 6.5.2. Методы анализа органических загрязнений на поверхности пластин
- 6.5.3. Методы анализа металлических загрязнений на поверхности пластин
- 6.5.4. Методы исследования рельефа поверхности подложек
- 6.6. Технологические процессы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- 6.6.1. "Жидкостная" химическая обработка
- 6.6.2. Методы проведения "жидкостной" химической обработки
- 6.6.3. "Сухая" химическая обработка
- 6.7. Проблемы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- 6.7.1. Влияние химической обработки на шероховатость поверхности Si пластин
- 6.7.2. Проблемы нежелательного формирования слоев оксида на поверхности кремниевых пластин
- 6.7.3. Органические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- 7. Физико-химические аспекты получения многослойных структур
- 7.1. Имплантация ионов водорода в кремниевые пластины
- 7.2. Особенности технологии прямого сращивания подложек
- 7.3. Сращивание пластин, покрытых SiO2
- 7.4. Состояние сращенных пластин
- 7.5. Плоскостность пластин
- 7.6. Утончение сращенных пластин
- 7.7. Микродефекты сращенных структур
- 7.8. Радиационные свойства многослойных структур
- 7.9. Движение и залечивание пор на границе сращивания стандартных пластин кремния
- 7.9.1. Скорость движения пор, связанных с диффузионными потоками в объеме матрицы, в поле температурного градиента
- 7.9.2. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов на ее поверхности в поле температурного градиента
- 7.9.3. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов в объеме в поле температурного градиента
- 7.9.4. Скорость движения пор в неоднородном поле напряжений при разных механизмах перемещения
- 7.9.5. Диффузионное движение пор вблизи границы кристалла, обусловленное поверхностной диффузией
- 7.9.6. Диффузионное движение пор под действием сил со стороны дислокаций
- 7.9.7. Рекристаллизация, спекание и залечивание пор
- 7.10. Пористый кремний в технологии прямого соединения
- 7.10.1. Теория и экспериментальные исследования заращивания пористых слоев
- 7.10.2 Осаждение слоев кремния на стенках пор и капилляров из парогазовых смесей
- 8. Исследование физико-химических свойств многослойных структур
- 8.1. Определение энергии связи прямого связывания пластин кремния методом генерации трещины между поверхностями сращивания
- 8.2. Исследование многослойных структур и материалов, используемых в процессе их производства эс, методами позитронной аннигиляционной спектроскопии
- 8.2.1. Сущность и особенности методов позитронной аннигиляционной спектроскопии
- 8.2.2. Теория метода ураф и результаты исследований
- 8.2.3. Определение концентрации электронов np в зоне проводимости металлов
- 8.2.4. Исследование полупроводников методом пас
- 8.3. Исследование поверхности пластин
- 8.3.1. Метод масс-спектрометрического исследования процесса термодесорбции с поверхности кремниевых пластин
- 8.3.2. Измерения контактной разности потенциалов подложек
- 8.3.3. Влияние адсорбции на электронные свойства поверхности твердых тел
- Список литературы к главе 8