8.3.1. Метод масс-спектрометрического исследования процесса термодесорбции с поверхности кремниевых пластин
В данном методе масс-спектрометрического исследования процесса термодесорбции с поверхности кремниевых пластин использовался прибор МХ-7302. Чувствительность масс-спектрометра была достаточно высока и составляла по водороду не менее 10‑31/моль. Диапазон измеряемых массовых чисел (М) – от 1 до 60.
Исследование газовыделений с поверхности кремниевых пластин (либо с поверхности металлов) представляет довольно трудную задачу в связи с малой величиной удельной поверхности исследуемых объектов. Поэтому для повышения чувствительности было необходимо использовать большое количество исследуемого материала. Опытным путем было установлено, что экспериментальная навеска, помещаемая в экстрактор масс-спектрометра, должна составлять ~ 1,5 – 2,0 г, что в пересчете на площадь стандартной кремниевой пластины составляет 11–15 см2 (~ 1/4 пластины диаметром 100 мм).
Аналитическая система масс-спектрометра позволяла производить как запись полного спектра при любой интересующей температуре, так и непрерывную запись выбранного газовыделения во время роста температуры и выдержки образца при заданной температуре (~ 1,5 ч).
Для изучения термодесорбции был использован метод, позволяющий по площади, ограниченной спектральной кривой накопления, получать относительные количества интересующего газовыделения. Таким образом были исследованы органические выделения (массовые числа 28 и 44), а также выделения воды (массовое число 18), представляющие наибольший интерес. Была разработана методика количественного определения десорбированной воды. Для этого была проведена градуировка масс-спектрометра по воде. При этом использовался градуировочный объем, предусмотренный в вакуумной схеме МХ‑7302 для градуировки по водороду.
В качестве эталонной газовой смеси использовался атмосферный воздух, содержащий, как известно, насыщенные пары Н2О, парциальное давление которых составляет при 20 С (температура помещения) 18 мм.рт.ст., т.е. плотность насыщенного пара 17,3·10‑6 г/см3. Соответственно, плотность водяного пара при давлении воздуха 1 мм.рт.ст. составляет 0,23·10-7г/см3.
При градуировке калиброванный объем заполнялся атмосферным воздухом до давления 10 мм.рт.ст., затем с помощью электромагнитного клапана вводился в анализатор масс-спектрометра и производилась запись спектра воды на диаграммной ленте. Определяя площадь под кривой градуировочного пика, можно получить (в результате многократных измерений), что 1 см2 площади пика соответствует 1,1510-7г Н2О. Используя это значение, можно рассчитать количество воды, выделяющееся при данной температуре.
- Введение
- 1. Основы молекулярно- кинетической теории (мкт).
- 1.1 Количественное выражение элементов системы.
- 1.2 Мкт газов.
- 1.3 Изопроцессы
- 1.4 Закон Авагадро.
- 1.5 Закон Дальтона.
- 1.6 Вероятный характер скорости хаотического движения.
- 1.7 Реальные газы
- 2 Термодинамика
- 2.1 Основные понятия и определения термодинамики.
- 2.2 Понятие о тд системах.
- 2.3 Законы начала термодинамики. Их использование.
- 2.4 Термохимия. Использование первого закона тд.
- 2.5 Закон Гесса.
- 2.6 Теплота образования
- 2.7. Теплота растворения
- 2.8 Теплота нейтрализации
- 2.9 Зависимость тепловых эффектов от температуры.
- 3 Второй закон термодинамики
- 3.1 Обратимые и необратимые процессы.
- 3.2 Характеристические функции тд систем.
- 3.3 Направление протекания процессов.
- 3.4 Химический потенциал
- 4.1 Закон действия масс. Константа равновесия.
- 4.2 Правило фаз
- 4.3 Общие представления о диаграммах состояния.
- 4.4 Однокомпонентные системы
- 4.5 Двухкомпонентные системы
- 4.6 Основные виды диаграмм состояния двухкомпонентных систем.
- 4.7 Термический анализ.
- 4.8 Фазовые переходы
- 5 Закон Рауля.
- 6 Физико-химические особенности процессов подготовки подложек при получении эс и микроэлектронных изделий
- 6.1 Поверхностные явления при изготовлении ис, эс
- 6.2. Технология очистки подложек для производства микроэлектронных изделий
- 6.2.1. Важность снижения уровня загрязнений
- 6.2.2. Классификация загрязнений
- 6.2.3. Источники загрязнений
- 6.3. Влияние загрязнений на характеристики микроэлектронных изделий
- 6.3.1. Механические загрязнения
- 6.3.2. Металлические загрязнения
- 6.3.3. Микронеровности поверхности
- 6.3.4. Кристаллические дефекты
- 6.4. Механические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- 6.4.1. Адгезия механических частиц на поверхность полупроводниковых пластин
- 6.4.2. Удаление загрязнений с поверхности пластин в процессах химической обработки
- 6.4.3. Очистка поверхности подложек в перекисно-аммиачном растворе
- 6.5. Методы исследования состояния и характеристик поверхности подложек
- 6.5.1. Методы анализа частиц на поверхности пластин
- 6.5.2. Методы анализа органических загрязнений на поверхности пластин
- 6.5.3. Методы анализа металлических загрязнений на поверхности пластин
- 6.5.4. Методы исследования рельефа поверхности подложек
- 6.6. Технологические процессы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- 6.6.1. "Жидкостная" химическая обработка
- 6.6.2. Методы проведения "жидкостной" химической обработки
- 6.6.3. "Сухая" химическая обработка
- 6.7. Проблемы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- 6.7.1. Влияние химической обработки на шероховатость поверхности Si пластин
- 6.7.2. Проблемы нежелательного формирования слоев оксида на поверхности кремниевых пластин
- 6.7.3. Органические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- 7. Физико-химические аспекты получения многослойных структур
- 7.1. Имплантация ионов водорода в кремниевые пластины
- 7.2. Особенности технологии прямого сращивания подложек
- 7.3. Сращивание пластин, покрытых SiO2
- 7.4. Состояние сращенных пластин
- 7.5. Плоскостность пластин
- 7.6. Утончение сращенных пластин
- 7.7. Микродефекты сращенных структур
- 7.8. Радиационные свойства многослойных структур
- 7.9. Движение и залечивание пор на границе сращивания стандартных пластин кремния
- 7.9.1. Скорость движения пор, связанных с диффузионными потоками в объеме матрицы, в поле температурного градиента
- 7.9.2. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов на ее поверхности в поле температурного градиента
- 7.9.3. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов в объеме в поле температурного градиента
- 7.9.4. Скорость движения пор в неоднородном поле напряжений при разных механизмах перемещения
- 7.9.5. Диффузионное движение пор вблизи границы кристалла, обусловленное поверхностной диффузией
- 7.9.6. Диффузионное движение пор под действием сил со стороны дислокаций
- 7.9.7. Рекристаллизация, спекание и залечивание пор
- 7.10. Пористый кремний в технологии прямого соединения
- 7.10.1. Теория и экспериментальные исследования заращивания пористых слоев
- 7.10.2 Осаждение слоев кремния на стенках пор и капилляров из парогазовых смесей
- 8. Исследование физико-химических свойств многослойных структур
- 8.1. Определение энергии связи прямого связывания пластин кремния методом генерации трещины между поверхностями сращивания
- 8.2. Исследование многослойных структур и материалов, используемых в процессе их производства эс, методами позитронной аннигиляционной спектроскопии
- 8.2.1. Сущность и особенности методов позитронной аннигиляционной спектроскопии
- 8.2.2. Теория метода ураф и результаты исследований
- 8.2.3. Определение концентрации электронов np в зоне проводимости металлов
- 8.2.4. Исследование полупроводников методом пас
- 8.3. Исследование поверхности пластин
- 8.3.1. Метод масс-спектрометрического исследования процесса термодесорбции с поверхности кремниевых пластин
- 8.3.2. Измерения контактной разности потенциалов подложек
- 8.3.3. Влияние адсорбции на электронные свойства поверхности твердых тел
- Список литературы к главе 8