7.10.1. Теория и экспериментальные исследования заращивания пористых слоев
Согласно [16], при течении парогазовой смеси при низких давлениях или через отверстия очень малых размеров (поры или капилляры) реализуется режим так называемого молекулярного течения. В этом случае длина среднего свободного пробега молекул SiCl4 в парогазовой смеси, равная 2,9610-5 см при условиях ведения стандартного тетрахлоридного процесса, может иметь значение того же порядка, что и диаметр поры или капилляра d0. При таком потоке парогазовой смеси молекула SiCl4 движется независимо от других (H2, SiCl4) молекул. Когда составляет величину 1 – 65 % диаметра поры или капилляра, слой парогазовой смеси у стенки поры или капилляра приобретает некоторую скорость скольжения. Такой поток парогазовой смеси называют скользящим и рассматривают как сочетание ламинарного и молекулярного потоков.
Наличие скользящего потока характеризуется значением газокинетического параметра
= 0,014 1,0. (7.43)
При Х 1,0 наблюдается молекулярное течение, при Х 0,014 – ламинарное течение парогазовой смеси.
Среднюю скорость молекулярного течения парогазовой смеси в поре или капилляре, согласно [17], можно оценить по формуле
. (7.44)
Здесь – плотность парогазовой смеси, R0 – радиус поры или капилляра, М – молекулярная масса SiCl4, R – универсальная газовая постоянная, Ts – температура в поре или капилляре, P – перепад давления в поре или капилляре длиной l.
В случае ламинарного течения, имеющего место в порах или капиллярах, скорость парогазовой смеси определяется по формуле
, (7.45)
где – скорость потока парогазовой смеси на оси поры или капилляра, – средняя скорость потока парогазовой смеси, r – радиальная координата.
Режим течения парогазовой смеси характеризуется числом Рейнольдса
Re = d0 / . (7.46)
Можно показать, что для стандартных условий ведения тетрахлоридного процесса число Рейнольдса может быть записано в виде
Re = 0,382(0d0). (7.47)
Динамический пограничный слой, возникающий на поверхности поры или капилляра, зависит от числа Рейнольдса и в общем случае может быть ламинарным или турбулентным (при (0d0) 103 см2/с). Толщина пограничного слоя в случае ламинарного течения d0Re-0,5, а при турбулентном течении d0Re-0,2. Отметим, что турбулентный пограничный слой реализуется лишь при очень высоких значениях 0 105 см/с и в очень толстых капиллярах d0 100 мкм. В остальных случаях, таким образом, реализуются лишь молекулярное (d0 10‑5 см) и ламинарное (d0 10‑4 см) течения, а также промежуточное скользящее течение.
Задачу расчета скорости роста слоев кремния в порах или капиллярах, таким образом, можно рассмотреть единым образом исходя из уравнения материального баланса по ключевому реагенту SiCl4 для изотермического процесса массопереноса и химического превращения на поверхности. Различие при этом в описании процесса роста для случая молекулярного, скользящего, ламинарного и турбулентного течения в порах и капиллярах определяется выбором значений коэффициента диффузии, линейной скорости потока парогазовой смеси и коэффициента массопереноса.
Уравнение материального баланса для ключевого реагента, например, для парогазовой смеси состава SiCl4 + H2 при избытке водорода для случая изотермического процесса массопереноса и химического превращения на поверхности поры или капилляра запишем в цилиндрической системе координат (r, z)
. (7.48)
Граничные условия для (7.48) следующие:
на входе в капилляр (пору)
z = 0 ; x = x0, (7.49)
на поверхности капилляра (поры)
z 0 ; r = R0,
. (7.50)
Здесь x0 – концентрация ключевого реагента (например SiCl4) на входе в капилляр (пору) или капилляр, xs – поверхностная концентрация ключевого реагента, xeq – равновесная концентрация ключевого реагента, – коэффициент массопереноса ключевого реагента, ks – константа скорости реакции первого порядка гетерогенного превращения ключевого реагента на поверхности
Это эквивалентно равенству при условии, что скорость роста слоев определяется процессом химического превращения на стенках и массопереносом ключевого реагента
(7.51)
на оси капилляра (поры)
z 0, r = 0, . (7.52)
, (7.53)
где ks0 – предэкспоненциальный множитель, Е – кажущаяся энергия активации, Ts – температура поверхности капилляра (поры).
Нетрудно убедиться, что решение уравнения (7.48) с граничными условиями (7.49), (7.51), (7.52) имеет вид:
, (7.54)
где n – корни трасцендентного уравнения
nJ1(n) – DaJ0(n) = 0; n = n / R0. (7.55)
Здесь J0(x), J1(x) – функции Бесселя, 0 – средняя линейная скорость потока парогазовой смеси при нормальных условиях; D – коэффициент молекулярной диффузии ключевого реагента в водороде
(7.56)
Здесь D0 – значение D при нормальных условиях (при молекулярном течении в качестве D0 следует использовать коэффициент кнудсеновской диффузии где – средняя тепловая скорость молекул SiCl4), T0 = 273 К, P0– атмосферное давление, P – общее давление в поре или капилляре. Отметим, что коэффициент массопереноса в зависимости от условий процесса определяется выражением = D/R0 (при малых числах Рейнольдса Re 15) или = D/ (при больших числах Рейнольдса) [16]. Число Дамкеллера равно
. (7.57)
Запишем выражение скорости роста Vp(z) для общего случая переходного режима процесса в поре или капилляре. При отсутствии стационарного пограничного слоя (малые числа Рейнольдса) вычисление потока SiCl4 к поверхности капилляра (поры), согласно [18], с использованием (7.54) дает
, (7.58)
здесь
; (7.59)
– термодинамический параметр, характеризующий долю осаждающегося кремния от его общего количества, поступающего к поверхности
= 1 – xeq / x0. (7.60)
Видим, что процесс роста слоев кремния на стенках капилляра (поры) определяется диффузией ключевого реагента из объема и его химическим превращением на поверхности.
При наличии вблизи поверхности поры или капилляра стационарного пограничного слоя, наряду с (7.58), возможен случай, когда скорость роста определяется массопереносом ключевого реагента через пограничный слой и его химическим превращением на поверхности
. (7.61)
Отметим, что для облегчения расчетов использовались лишь первые корни 1 уравнения (7.61). При расчетах по (7.61) принимаем (z)
, (7.62)
где 0 и (Ts) – плотность при нормальных условиях и динамическая вязкость водорода, соответственно.
Формулы вида (7.58), (7.61) описывают процессы осаждения слоев материалов (в данном случае кремния) из парогазовых смесей различного состава на стенках капилляров (пор) для всех возможных режимов. Выясним, какие асимптотические режимы могут осуществляться при этом. Из (7.58) следует, что если первый член в знаменателе гораздо меньше второго, то (7.58) переходит в выражение, которое описывает процесс, протекающий в кинетической области. Если, наоборот, в (7.58) первый член в знаменателе гораздо больше второго, то эта формула описывает внешнедиффузионную область протекания процесса.
Из (7.61) при наличии стационарного пограничного слоя в случае, когда первый член в знаменателе гораздо меньше второго, получаем формулу, которая описывает процесс, протекающий в кинетической области. Если второй член в знаменателе (7.61) гораздо меньше первого, получаем формулу, которая описывает процесс во внутридиффузионной области.
С учетом сказанного выше можно сделать практически важные выводы, основанные на теории и имеющихся экспериментальных данных для тетрахлоридного и гидридного процессов роста слоев кремния. Согласно экспериментальным данным [14,17] и оценкам по формуле (7.62), стационарный пограничный слой на поверхности пор и капилляров диаметром 1 мкм не реализуется. В этих условиях скорость роста для этих CVD-процессов описывается формулой (7.58). При этом в области Ts 1273 K для гидридного процесса (парогазовая смесь состава SiH4+ H2) и Ts 1373 K для тетрахлоридного процесса (парогазовая смесь состава SiCl4 H2 ) рост слоев кремния осуществляется в кинетической области и определяется формулой
. (7.63)
При Ts 1273 К для гидридного процесса и Ts 1373 K для тетрахлоридного процесса формула (7.58) переходит к виду
, (7.64)
описывающему процесс во внешнедиффузионной области.
Из (7.63), (7.64) следует, что скорость роста Vp(z) зависит от координаты z по экспоненциальному закону при остальных фиксированных технологических параметрах процесса (P, Ts, 0, x0). Из (7.59), (7.63) видна также зависимость Vp(z) от R0 и 0. В частности, при достаточно высоких значениях линейной скорости потока парогазовой смеси достигается высокая равномерность скорости роста по длине поры или капилляра, что имеет важное практическое значение в процессах зарастания при производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем [14].
- Введение
- 1. Основы молекулярно- кинетической теории (мкт).
- 1.1 Количественное выражение элементов системы.
- 1.2 Мкт газов.
- 1.3 Изопроцессы
- 1.4 Закон Авагадро.
- 1.5 Закон Дальтона.
- 1.6 Вероятный характер скорости хаотического движения.
- 1.7 Реальные газы
- 2 Термодинамика
- 2.1 Основные понятия и определения термодинамики.
- 2.2 Понятие о тд системах.
- 2.3 Законы начала термодинамики. Их использование.
- 2.4 Термохимия. Использование первого закона тд.
- 2.5 Закон Гесса.
- 2.6 Теплота образования
- 2.7. Теплота растворения
- 2.8 Теплота нейтрализации
- 2.9 Зависимость тепловых эффектов от температуры.
- 3 Второй закон термодинамики
- 3.1 Обратимые и необратимые процессы.
- 3.2 Характеристические функции тд систем.
- 3.3 Направление протекания процессов.
- 3.4 Химический потенциал
- 4.1 Закон действия масс. Константа равновесия.
- 4.2 Правило фаз
- 4.3 Общие представления о диаграммах состояния.
- 4.4 Однокомпонентные системы
- 4.5 Двухкомпонентные системы
- 4.6 Основные виды диаграмм состояния двухкомпонентных систем.
- 4.7 Термический анализ.
- 4.8 Фазовые переходы
- 5 Закон Рауля.
- 6 Физико-химические особенности процессов подготовки подложек при получении эс и микроэлектронных изделий
- 6.1 Поверхностные явления при изготовлении ис, эс
- 6.2. Технология очистки подложек для производства микроэлектронных изделий
- 6.2.1. Важность снижения уровня загрязнений
- 6.2.2. Классификация загрязнений
- 6.2.3. Источники загрязнений
- 6.3. Влияние загрязнений на характеристики микроэлектронных изделий
- 6.3.1. Механические загрязнения
- 6.3.2. Металлические загрязнения
- 6.3.3. Микронеровности поверхности
- 6.3.4. Кристаллические дефекты
- 6.4. Механические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- 6.4.1. Адгезия механических частиц на поверхность полупроводниковых пластин
- 6.4.2. Удаление загрязнений с поверхности пластин в процессах химической обработки
- 6.4.3. Очистка поверхности подложек в перекисно-аммиачном растворе
- 6.5. Методы исследования состояния и характеристик поверхности подложек
- 6.5.1. Методы анализа частиц на поверхности пластин
- 6.5.2. Методы анализа органических загрязнений на поверхности пластин
- 6.5.3. Методы анализа металлических загрязнений на поверхности пластин
- 6.5.4. Методы исследования рельефа поверхности подложек
- 6.6. Технологические процессы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- 6.6.1. "Жидкостная" химическая обработка
- 6.6.2. Методы проведения "жидкостной" химической обработки
- 6.6.3. "Сухая" химическая обработка
- 6.7. Проблемы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- 6.7.1. Влияние химической обработки на шероховатость поверхности Si пластин
- 6.7.2. Проблемы нежелательного формирования слоев оксида на поверхности кремниевых пластин
- 6.7.3. Органические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- 7. Физико-химические аспекты получения многослойных структур
- 7.1. Имплантация ионов водорода в кремниевые пластины
- 7.2. Особенности технологии прямого сращивания подложек
- 7.3. Сращивание пластин, покрытых SiO2
- 7.4. Состояние сращенных пластин
- 7.5. Плоскостность пластин
- 7.6. Утончение сращенных пластин
- 7.7. Микродефекты сращенных структур
- 7.8. Радиационные свойства многослойных структур
- 7.9. Движение и залечивание пор на границе сращивания стандартных пластин кремния
- 7.9.1. Скорость движения пор, связанных с диффузионными потоками в объеме матрицы, в поле температурного градиента
- 7.9.2. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов на ее поверхности в поле температурного градиента
- 7.9.3. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов в объеме в поле температурного градиента
- 7.9.4. Скорость движения пор в неоднородном поле напряжений при разных механизмах перемещения
- 7.9.5. Диффузионное движение пор вблизи границы кристалла, обусловленное поверхностной диффузией
- 7.9.6. Диффузионное движение пор под действием сил со стороны дислокаций
- 7.9.7. Рекристаллизация, спекание и залечивание пор
- 7.10. Пористый кремний в технологии прямого соединения
- 7.10.1. Теория и экспериментальные исследования заращивания пористых слоев
- 7.10.2 Осаждение слоев кремния на стенках пор и капилляров из парогазовых смесей
- 8. Исследование физико-химических свойств многослойных структур
- 8.1. Определение энергии связи прямого связывания пластин кремния методом генерации трещины между поверхностями сращивания
- 8.2. Исследование многослойных структур и материалов, используемых в процессе их производства эс, методами позитронной аннигиляционной спектроскопии
- 8.2.1. Сущность и особенности методов позитронной аннигиляционной спектроскопии
- 8.2.2. Теория метода ураф и результаты исследований
- 8.2.3. Определение концентрации электронов np в зоне проводимости металлов
- 8.2.4. Исследование полупроводников методом пас
- 8.3. Исследование поверхности пластин
- 8.3.1. Метод масс-спектрометрического исследования процесса термодесорбции с поверхности кремниевых пластин
- 8.3.2. Измерения контактной разности потенциалов подложек
- 8.3.3. Влияние адсорбции на электронные свойства поверхности твердых тел
- Список литературы к главе 8