4.7 Термический анализ.
Для разработки ТП важно знать:
- какие превращения происходят в материалах при нагреве и охлаждении;
- какая получается структура (однородность, пористость и т.д.);
- как изменяется температура плавления и затвердевания при изменении весовых соотношений ингредиента, т.е. состав сплавов;
- меняются ли твердые растворы химического соединения либо механическая смесь кристаллитов при изменении температуры затвердевания;
- будут ли изменяться при охлаждении (отвердевании) свойства материалов и в каких диапазонах температур;
- мало иметь сведения об имеющихся фазах в сплаве, надо знать их количественное соотношение.
Для решения подобных задач используют термических анализ диаграмм состояния.
Если при охлаждении в системе, не происходит ни каких превращений во времени при охлаждении или нагревании, то кривая охлаждения (нагревания) во времени будет непрерывна понижаться. Графическое изображение такой кривой, как результат процесса охлаждения (нагревания) дает кривую 1, для которой характерно непрерывное изменение угла наклона касательной к оси абсцисс.
термические кривые T(t)
Рис. 4.12. Схематичное изображение кривой термического анализа
Если же в системе имеются превращения, сопровождающиеся тепловым эффектом, то непрерывность кривой (1) будет нарушена, при этом могут быть два случая (1) и (2).
(1) – отводимое тепло полностью возмещается выделяющимся теплом в процессе данного превращения. (Безвариантное превращение). Этому соответствует кривая 2. В этом случае температура остается постоянной и на кривой охлаждения появляется горизонтальный участок, отвечающий температуре превращения. Величина горизонтального участка определяется:
- теплотой превращения (чем больше теплота превращения, тем больше величина площадки;
- массой системы (чем больше масса, тем больше величина площадки);
- скоростью охлаждения (нагревания) (с увеличением скорости охлаждения площадка будет уменьшаться).
Отводимое тепло возмещается только частично. (Одновариантное превращение). В этом случае температура непостоянна, а выделяющееся тепло будет только изменять охлаждения в область температур, соответствующих интервалу данного превращения (кривая 3).
Сутью ТД является определение температур превращений на основании изучения кривых охлаждения (нагревания) ТД систем. При построении диаграмм состояния, обычно анализируют кривые охлаждения (т.к. нагрев осуществляется чуть быстрее из-за имеющихся релаксаций). Релаксация при нагреве, охлаждении и опять нагреве. Релаксация – отставание, это процесс, когда следствие отстает от вызвавшей его причины.
При построении кривых охлаждения, стараются уменьшить релаксационные потери, охлаждение и нагрев производить как можно медленнее, чтобы уменьшить релаксационные процессы, создаются обратимые процессы. Запас внутренней энергии системы в твердом состоянии, всегда меньше, чем в жидком в силу того, что в твердом состоянии отсутствует хаотическое движение молекул.
Атомы в твердом состоянии имеют лишь колебательные движения около некоторого определенного положения. Избыток энергии жидкого состояния по сравнению с твердым при кристаллизации в виде тепла.
При анализе Т(t) важен вид кривых охлаждения, т.е. характер их поведения. Так, например, если в системе нет превращений, то кривые обращены выпуклостью к оси времени, т.е. закон охлаждения Ньютона. Т.е. по мере уменьшения перепада температур между веществом и окружающей средой, интенсивность охлаждения уменьшается. При выделении теплоты за счет превращений в веществе, кривизна уменьшается и может стать обратной. Вид кривых нагревания будет почти симметричным относительно кривых охлаждения (при минимальном гистерезисе). Важна также одновременная регистрация при термическом анализе нескольких свойств вещества при охлаждении и нагревании. Для построения изотерм свойств конкретных диаграмм состояния.
На примере проанализируем возможности ТД на основе ДС вещества с простой эвтектикой.
Рис. 4.13. Изотермы свойств для ДС вещества с простой эвтектикой
Проанализируем детальнее кривую охлаждения для ДС с простой эвтектикой, чтобы определить возможности термического анализа. Выше линии aeb система находится в жидком состоянии (однофазна). Ниже линии peq в твердом состоянии (двухфазном), причем слева от точки е структура сплава будет представлять собой первичные кристаллы А + эвтектическая смесь веществ А и В.
Рис. 4.14. Кривая термического анализа для ДС вещества с простой эвтектикой
А справа – первичные кристаллы В + эвтектическую смесь (А + В). При переходе любой фигуративной точки через линию солидуса исчезают последние следы жидкой фазы. Т.е. точка е соответствует состоянию расплава одновременно насыщенного по отношению к кристаллам А и В. Она называется эвтектической точкой. Состав, соответствующий точке е, называется эвтектическим. Эвтектическая горизонталь – это изотерма, соответствующая точке е, если надо знать химический состав сплава. Например в точке е, таким образом, опускаем перпендикуляр на ось концентраций, по которой видно сколько соединяется компонента А (отрезок r’ В) и компонента В (отрезок r’ А).
(4.17)
(4.18)
(4.19)
Таким образом, определяют состав фаз. Если состояние сплава описывается точкой К, то относительное количество жидкой и твердой фаз при температуре ТК определится как:
или (4.20)
Эти соотношения называются «правилом рычага» и дают возможность определить фазовый состав. Часть изотермы e1b, проходящая через точку К называется коннода. Концы конноды позволяют определить состав фаз по оси концентраций, а отрезок конноды – фазовый состав по «правилу рычага».
Жидкость при ТК имеет состав, определяемый точкой e1. Т.е. количество А и В в жидкости находится в соотношении:
(4.21)
Рассмотрим процесс кристаллизации сплава r. Началом назовем точку r1 на оси ликвидуса. Для первой стадии запишем:
1 стадия: L Tr1 – Te> A – L(r1 – e).
Что следует читать: из жидкости в интервале температур Тr1 до Те выпадают кристаллы компонента А и состав жидкости меняется от Тr1 до Те. Жидкость состава оказывается в равновесии одновременно с кристаллами А и В. Поэтому начинается совместная кристаллизация, которую можно записать, как:
L€ Te_> эвтектич. (А + В).
Т.е. при постоянной температуре Те из жидкости эвтектического состава е кристаллизуется эвтектика. Так как вторая стадия связана с одновременным существованием трех фаз жидкость (L) + А и В, поэтому происходит одновременная кристаллизация двух тверды фаз из жидкости. (См. кривую охлаждения, на которой есть горизонтальный участок). В этом случае количество тепла при кристаллизации полностью возмещает отводимое тепло. Участок, предшествующий горизонтальному, характеризует одновариантную двухкомпонентную систему с частичным выделением тепла не компенсирующее отводимое.
Кривая охлаждения построена для плоскости Т соответствующего образованию сплава r. Рассмотрим структуру получаемых сплавов. Для сравнения возьмем вещества А и В. Допустим вещество А имеет структуру с острыми гранями. А вещество В имеет структуру с закругленными гранями. Обычно форма зерен говорит о поверхностном натяжении на границе двух фаз. Поверхностное натяжение – это мера некомпенсированности межмолекулярных сил в поверхностном межфазном слое, либо избытка свободной энергии в поверхностном слое по сравнению со свободной энергией в объемах соприкасающихся фаз. Общее определение поверхностного напряжения – это ТД характеристика поверхности раздела фаз, определяемая как работа обратимого изотермического образования к единице площади этой поверхности, в случае жидких поверхностей раздела поверхностное натяжение правомерно рассматривать как силу, действующую на единицу длины контура поверхности, стремящуюся сократить поверхности до минимума при заданных объемах фаз. Работа образования новой поверхности затрагивается на преодолении им межмолекулярного сцепления (когезии) при переходе молекул вещества из объема тела в поверхностный слой. Равнодействующая межмолекулярных сил в поверхностном слое не равна 0 как в объеме, и 6апнавше6а в6урнь фазы с большей когезией.
Свободная поверхностная энергия и поверхностное натяжение для твердых тел не тождественны в следствии дефектности.
Рис. 4.15. Микроструктура сплава
Вещество с острыми углами имеет большее поверхностное натяжение, чем со сглаженными углами.
сплав №3
Рис. 4.16. Кривая термического анализа для ДС системы, в которой компоненты А и В обладают неограниченной взаиморастворимостью в жидком и твердом состоянии
Минимум или максимум имеют диаграммы с неограниченной растворимостью. Это зависит от того есть ли энергия смешения в твердом и жидком состоянии и соотношения температур А и В.
Wж. < Wтв. Энергии смешения. Если ТА > Т > ТВ, то наблюдается max. Если TA > T и TB > T, то min. Такого типа ДС не содержат фазовых переходов с выделением тепла, равного отводимому.
сплав №4
Рис. 4.17. Кривая термического анализа для ДС системы, в которой взаимная растворимость веществ А и В в жидком состоянии неограниченна, а в твердом ограничена,
сплав №5
Рис. 4.18. Кривая термического анализа для ДС системы, в которой при сплавлении двух или компонентов образуются химические соединения AxBy
На ДС пяти типов построить кривые охлаждения для двух жидкостей в правой части ДС, включая точку эвтектики и химические соединения. Нарисовать структуру.
Были рассмотрены пять типов диаграмм состояния. Последний относится к ДС с конгруэнтной точкой, совпадающей с линией солидуса в месте образования химического соединения. Из диаграммы было видно, что химическое соединение устойчиво до температур плавления. Сингулярная точка говорит о том, что химические соединения диссоциируют после расплавления. Однако часто в МЭ используются ДС с химическим соединением с инконгруэнтной точкой, скрытой за линией солидуса, но не попадающий в жидкую фазу. Т.е. химическое соединение неустойчиво и диссоциирует по схеме:
АхВу = хА + уВ.
Рис. 4.19 Кривая термического анализа для ДС с инконгруэнтной точкой
По ДС можно видеть, что кривая ликвидуса не имеет max. Т.е. сингулярная точка скрыта. Ликвидус aepf, а beg и pmd линии солидуса. Линия pmd называется горизонталью.
- Введение
- 1. Основы молекулярно- кинетической теории (мкт).
- 1.1 Количественное выражение элементов системы.
- 1.2 Мкт газов.
- 1.3 Изопроцессы
- 1.4 Закон Авагадро.
- 1.5 Закон Дальтона.
- 1.6 Вероятный характер скорости хаотического движения.
- 1.7 Реальные газы
- 2 Термодинамика
- 2.1 Основные понятия и определения термодинамики.
- 2.2 Понятие о тд системах.
- 2.3 Законы начала термодинамики. Их использование.
- 2.4 Термохимия. Использование первого закона тд.
- 2.5 Закон Гесса.
- 2.6 Теплота образования
- 2.7. Теплота растворения
- 2.8 Теплота нейтрализации
- 2.9 Зависимость тепловых эффектов от температуры.
- 3 Второй закон термодинамики
- 3.1 Обратимые и необратимые процессы.
- 3.2 Характеристические функции тд систем.
- 3.3 Направление протекания процессов.
- 3.4 Химический потенциал
- 4.1 Закон действия масс. Константа равновесия.
- 4.2 Правило фаз
- 4.3 Общие представления о диаграммах состояния.
- 4.4 Однокомпонентные системы
- 4.5 Двухкомпонентные системы
- 4.6 Основные виды диаграмм состояния двухкомпонентных систем.
- 4.7 Термический анализ.
- 4.8 Фазовые переходы
- 5 Закон Рауля.
- 6 Физико-химические особенности процессов подготовки подложек при получении эс и микроэлектронных изделий
- 6.1 Поверхностные явления при изготовлении ис, эс
- 6.2. Технология очистки подложек для производства микроэлектронных изделий
- 6.2.1. Важность снижения уровня загрязнений
- 6.2.2. Классификация загрязнений
- 6.2.3. Источники загрязнений
- 6.3. Влияние загрязнений на характеристики микроэлектронных изделий
- 6.3.1. Механические загрязнения
- 6.3.2. Металлические загрязнения
- 6.3.3. Микронеровности поверхности
- 6.3.4. Кристаллические дефекты
- 6.4. Механические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- 6.4.1. Адгезия механических частиц на поверхность полупроводниковых пластин
- 6.4.2. Удаление загрязнений с поверхности пластин в процессах химической обработки
- 6.4.3. Очистка поверхности подложек в перекисно-аммиачном растворе
- 6.5. Методы исследования состояния и характеристик поверхности подложек
- 6.5.1. Методы анализа частиц на поверхности пластин
- 6.5.2. Методы анализа органических загрязнений на поверхности пластин
- 6.5.3. Методы анализа металлических загрязнений на поверхности пластин
- 6.5.4. Методы исследования рельефа поверхности подложек
- 6.6. Технологические процессы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- 6.6.1. "Жидкостная" химическая обработка
- 6.6.2. Методы проведения "жидкостной" химической обработки
- 6.6.3. "Сухая" химическая обработка
- 6.7. Проблемы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- 6.7.1. Влияние химической обработки на шероховатость поверхности Si пластин
- 6.7.2. Проблемы нежелательного формирования слоев оксида на поверхности кремниевых пластин
- 6.7.3. Органические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- 7. Физико-химические аспекты получения многослойных структур
- 7.1. Имплантация ионов водорода в кремниевые пластины
- 7.2. Особенности технологии прямого сращивания подложек
- 7.3. Сращивание пластин, покрытых SiO2
- 7.4. Состояние сращенных пластин
- 7.5. Плоскостность пластин
- 7.6. Утончение сращенных пластин
- 7.7. Микродефекты сращенных структур
- 7.8. Радиационные свойства многослойных структур
- 7.9. Движение и залечивание пор на границе сращивания стандартных пластин кремния
- 7.9.1. Скорость движения пор, связанных с диффузионными потоками в объеме матрицы, в поле температурного градиента
- 7.9.2. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов на ее поверхности в поле температурного градиента
- 7.9.3. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов в объеме в поле температурного градиента
- 7.9.4. Скорость движения пор в неоднородном поле напряжений при разных механизмах перемещения
- 7.9.5. Диффузионное движение пор вблизи границы кристалла, обусловленное поверхностной диффузией
- 7.9.6. Диффузионное движение пор под действием сил со стороны дислокаций
- 7.9.7. Рекристаллизация, спекание и залечивание пор
- 7.10. Пористый кремний в технологии прямого соединения
- 7.10.1. Теория и экспериментальные исследования заращивания пористых слоев
- 7.10.2 Осаждение слоев кремния на стенках пор и капилляров из парогазовых смесей
- 8. Исследование физико-химических свойств многослойных структур
- 8.1. Определение энергии связи прямого связывания пластин кремния методом генерации трещины между поверхностями сращивания
- 8.2. Исследование многослойных структур и материалов, используемых в процессе их производства эс, методами позитронной аннигиляционной спектроскопии
- 8.2.1. Сущность и особенности методов позитронной аннигиляционной спектроскопии
- 8.2.2. Теория метода ураф и результаты исследований
- 8.2.3. Определение концентрации электронов np в зоне проводимости металлов
- 8.2.4. Исследование полупроводников методом пас
- 8.3. Исследование поверхности пластин
- 8.3.1. Метод масс-спектрометрического исследования процесса термодесорбции с поверхности кремниевых пластин
- 8.3.2. Измерения контактной разности потенциалов подложек
- 8.3.3. Влияние адсорбции на электронные свойства поверхности твердых тел
- Список литературы к главе 8