7.9.7. Рекристаллизация, спекание и залечивание пор
Возможность перемещения и залечивания пор на границе сращивания тесно связана с процессами рекристаллизации и спекания на поздних стадиях термообработки (при высоких температурах), когда возможны процессы вязкого течения (пластической деформации). При этом возможны процессы увеличения размеров пор (разбухание) и их уменьшения (усадка). Для нас интересны процессы уменьшения размеров пор в ходе спекания.
Если вдоль дислокации расположена цепочка пор, то, залечиваясь, эти поры являются источниками вакансий, поддерживая пересыщение в области дислокаций. Это приводит к перемещению дислокаций вместе с залечивающейся порой. Отношение скорости поступательного движения поры и скорости изменения ее радиуса имеет порядок величины
. (7.37)
Такой же порядок величины имеет отношение v/R в случае близких значений радиусов пор.
Если поры находятся в кристалле, содержащем большое количество дислокаций, и расстояние между дислокациями значительно меньше радиуса пор, то движение осуществляется за счет механизма вязкого течения, описываемого формулой (7.37).
Заметим, что и в отсутствие взаимодействия пор, расположенных в однородной вязкой среде, в процессе спекания поры будут сближаться в результате уплотнения среды. Уплотнение при равномерном распределении пор происходит во всем объеме однородной пористой среды, поэтому любые две поры будут сближаться с относительной скоростью v1 – v2, пропорциональной расстоянию между их центрами
, (7.38)
где ull – скорость деформации пористого кристалла. На это движение пор, обусловленное усадкой, будет накладываться перемещение, обусловленное упругодиффузионным взаимодействием или броуновским движением.
Кинетика сближения пор в процессе их залечивания в поле упругих напряжений дислокаций изучалась в [12,13] с кристаллом NaCl с порами. В отдельных образцах существовали поры и ансамбли пор с линейными размерами R ~ 10-1 10-2 см. Из-за прозрачности кристаллов NaCl легко было наблюдать за залечиванием пор. Залечивание пор проводилось при температуре 700 – 750 С в автоклаве под давлением 20 30 кг/см2. В указанных условиях деформирование матрицы происходило при помощи вязкого течения.
Важным в технологии сращивания является удаление и залечивание пор и полостей, пустых и заполненных газом, образующихся на поверхности раздела сращиваемых пластин (см. работы [1–8]). Здесь сразу же следует отметить тот факт, что очень крупные поры и полости с размерами порядка толщины утоняемого слоя dут ~ 10 – 30 мкм вcкрываются в процессе утонения одной из кремниевых пластин.
Возникает задача о движении и залечивании пор и полостей диаметром 30 мкм. Эта задача может быть рассмотрена на примере модели, предложенной в [12,13]. Несмотря на приближенный характер самой модели, решение задачи дает возможность оценить порядок величин времен движения и залечивания пор и полостей.
Рассмотрим процесс залечивания пор, основанный на теории изменения объема и формы поры и движения ее центра тяжести вблизи границы утоненного слоя кремния, обусловленного объемной диффузией вакансий. Объемные потоки вакансий, направленные от поры или к поре в бесконечном кристалле, приводят к ее симметричному залечиванию или же к росту [12,13]. Скорость изменения объема поры или ее радиуса R в кристалле бесконечных размеров с равновесной концентрацией вакансий на бесконечном расстоянии равна [12,13]
(7.39)
и определяется коэффициентом объемной диффузии атомов D и разностью давления газа в поре Р0 и лаплассовского давления PL = – 2/R, где = 103 эрг/см2 – коэффициент поверхностного натяжения. Здесь = 1/N0, N0 – число атомов в 1 см-3; kB – постоянная Больцмана, Т – температура, t – время. В случае конечного расстояния от поры до границы L скорость движения центра тяжести поры дается выражением [12,13]
, (7.40)
где – вектор нормали к поверхности поры. Из формулы (7.40) следует, что пустые поры (P = –2/R) должны двигаться от границы кристалла, а поры, заполненные газом, давление которого превышает лапласовское давление (Р>0) – к границе (см. выше).
В рассматриваемом случае малых величин R/L скорость (7.40) значительно меньше (примерно в (L/R)2 раз) скорости изменения среднего радиуса dR/dt [12, 13]. Поэтому за время залечивания поры с Р<0
; P = PL (7.41)
она успевает уйти от границы сращивания в глубь неутонченной подложки на расстояние порядка R0(R0/L0)2, значительно меньшее, чем ее радиус R0. Здесь R0 – начальный радиус сферической поры.
Радиус поры с ее положительным давлением Р > 0 увеличивается и одновременно ее центр тяжести перемещается в сторону границы. За время
, , (7.42)
в течение которого происходит увеличение радиуса поры до значения ~ L0 и передний участок поры достигает границы кристалла (поверхности утонченного слоя), центр тяжести такой поры также сместится на расстояние, сравнимое с L0. Здесь L0 – начальное расстояние от центра сферической поры до границы кристалла.
Оценим по формулам (7.41), (7.42) порядок величин времен залечивания пор с различными значениями R0(L0). Пустые поры (Р < 0) движутся от границы сращивания в глубь неутонченной подложки и их радиус уменьшается, стремясь к нулю. Оценки по формуле (7.41) при ~10-23 см3, kB = 1,3810-16 эргK-1, Т = 1200 К, D ~10-8 см 2/с [12, 13] дают: для радиуса поры R0 = 1 мкм = 10-4 см, r(1,0 мкм) = 414 с = 0,115 ч; для радиуса R0 = 10 мкм = 10-3 см, r(10 мкм) = 4,14105 с = 115 ч и для радиуса R0 = 30 мкм = 3 10‑3 см, r(30 мкм) = 1,1107 с = 3090 ч. Поры с газом (Р > 0) движутся от границы сращивания к поверхности утоненного слоя и их радиус увеличивается до значения R0 ~ L0 (L0 – расстояние от центра поры до границы кристалла); после чего пора вскрывается. Оценки L по формуле (7.42) при 10-23 см3, kB = 1,3810-16 эргК-1, Т = 1200 К, D ~10-8 см2/с дают: для L0 ~ R0 = 1,0 мкм = 10-4 см, L(1,0 мкм) = 828 с = 0,23 ч; для L0 ~ R0 = 10 мкм = 10-3 см, L (10 мкм) = 8,28104 с = 23 ч и для L0 ~ R0 = 30 мкм = 310-3 см, L(30 мкм) = 7,45105 с = 207 ч. Из этих оценок ч и L следует, что эти величины резко зависят от R0 и L0 . В частности, очень малые поры с размерами R0 1 мкм залечиваются за время 1 ч, а поры с размерами R0 10 мкм – за время в несколько десятков часов. Очень большие времена залечивания свойственны порам с R0 30 мкм.
Далее наши оценки показали, что при низких температурах термообработки (Т 100 С) скорости движения v пор (микрополостей) резко уменьшаются, а времена залечивания увеличиваются на много порядков величин. Отсюда следует, что при комнатной температуре времена залечивания очень велики, а скорости движения v очень малы, так что поры можно считать практически неподвижными. Экспериментальные данные, приведенные в [1–8], подтверждают эти выводы теории.
В заключение отметим, что те же самые порядки величин скоростей движения и времен залечивания свойственны и включениям второй фазы (частицы пыли, преципитаты различных металлов, кремния и т.д.) на границе раздела сращиваемых пластин кремния.
Таким образом, рассмотренные особенности сращивания пластин кремния и залечивания пор и полостей на границе раздела сращивания, несомненно, способствуют лучшему пониманию технологического процесса получения качественных структур "кремний на диэлектрике". Проведенные оценки характерных времен различных стадий процесса имеют, в свою очередь, практическую значимость при проведении процесса в целом.
- Введение
- 1. Основы молекулярно- кинетической теории (мкт).
- 1.1 Количественное выражение элементов системы.
- 1.2 Мкт газов.
- 1.3 Изопроцессы
- 1.4 Закон Авагадро.
- 1.5 Закон Дальтона.
- 1.6 Вероятный характер скорости хаотического движения.
- 1.7 Реальные газы
- 2 Термодинамика
- 2.1 Основные понятия и определения термодинамики.
- 2.2 Понятие о тд системах.
- 2.3 Законы начала термодинамики. Их использование.
- 2.4 Термохимия. Использование первого закона тд.
- 2.5 Закон Гесса.
- 2.6 Теплота образования
- 2.7. Теплота растворения
- 2.8 Теплота нейтрализации
- 2.9 Зависимость тепловых эффектов от температуры.
- 3 Второй закон термодинамики
- 3.1 Обратимые и необратимые процессы.
- 3.2 Характеристические функции тд систем.
- 3.3 Направление протекания процессов.
- 3.4 Химический потенциал
- 4.1 Закон действия масс. Константа равновесия.
- 4.2 Правило фаз
- 4.3 Общие представления о диаграммах состояния.
- 4.4 Однокомпонентные системы
- 4.5 Двухкомпонентные системы
- 4.6 Основные виды диаграмм состояния двухкомпонентных систем.
- 4.7 Термический анализ.
- 4.8 Фазовые переходы
- 5 Закон Рауля.
- 6 Физико-химические особенности процессов подготовки подложек при получении эс и микроэлектронных изделий
- 6.1 Поверхностные явления при изготовлении ис, эс
- 6.2. Технология очистки подложек для производства микроэлектронных изделий
- 6.2.1. Важность снижения уровня загрязнений
- 6.2.2. Классификация загрязнений
- 6.2.3. Источники загрязнений
- 6.3. Влияние загрязнений на характеристики микроэлектронных изделий
- 6.3.1. Механические загрязнения
- 6.3.2. Металлические загрязнения
- 6.3.3. Микронеровности поверхности
- 6.3.4. Кристаллические дефекты
- 6.4. Механические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- 6.4.1. Адгезия механических частиц на поверхность полупроводниковых пластин
- 6.4.2. Удаление загрязнений с поверхности пластин в процессах химической обработки
- 6.4.3. Очистка поверхности подложек в перекисно-аммиачном растворе
- 6.5. Методы исследования состояния и характеристик поверхности подложек
- 6.5.1. Методы анализа частиц на поверхности пластин
- 6.5.2. Методы анализа органических загрязнений на поверхности пластин
- 6.5.3. Методы анализа металлических загрязнений на поверхности пластин
- 6.5.4. Методы исследования рельефа поверхности подложек
- 6.6. Технологические процессы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- 6.6.1. "Жидкостная" химическая обработка
- 6.6.2. Методы проведения "жидкостной" химической обработки
- 6.6.3. "Сухая" химическая обработка
- 6.7. Проблемы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- 6.7.1. Влияние химической обработки на шероховатость поверхности Si пластин
- 6.7.2. Проблемы нежелательного формирования слоев оксида на поверхности кремниевых пластин
- 6.7.3. Органические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- 7. Физико-химические аспекты получения многослойных структур
- 7.1. Имплантация ионов водорода в кремниевые пластины
- 7.2. Особенности технологии прямого сращивания подложек
- 7.3. Сращивание пластин, покрытых SiO2
- 7.4. Состояние сращенных пластин
- 7.5. Плоскостность пластин
- 7.6. Утончение сращенных пластин
- 7.7. Микродефекты сращенных структур
- 7.8. Радиационные свойства многослойных структур
- 7.9. Движение и залечивание пор на границе сращивания стандартных пластин кремния
- 7.9.1. Скорость движения пор, связанных с диффузионными потоками в объеме матрицы, в поле температурного градиента
- 7.9.2. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов на ее поверхности в поле температурного градиента
- 7.9.3. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов в объеме в поле температурного градиента
- 7.9.4. Скорость движения пор в неоднородном поле напряжений при разных механизмах перемещения
- 7.9.5. Диффузионное движение пор вблизи границы кристалла, обусловленное поверхностной диффузией
- 7.9.6. Диффузионное движение пор под действием сил со стороны дислокаций
- 7.9.7. Рекристаллизация, спекание и залечивание пор
- 7.10. Пористый кремний в технологии прямого соединения
- 7.10.1. Теория и экспериментальные исследования заращивания пористых слоев
- 7.10.2 Осаждение слоев кремния на стенках пор и капилляров из парогазовых смесей
- 8. Исследование физико-химических свойств многослойных структур
- 8.1. Определение энергии связи прямого связывания пластин кремния методом генерации трещины между поверхностями сращивания
- 8.2. Исследование многослойных структур и материалов, используемых в процессе их производства эс, методами позитронной аннигиляционной спектроскопии
- 8.2.1. Сущность и особенности методов позитронной аннигиляционной спектроскопии
- 8.2.2. Теория метода ураф и результаты исследований
- 8.2.3. Определение концентрации электронов np в зоне проводимости металлов
- 8.2.4. Исследование полупроводников методом пас
- 8.3. Исследование поверхности пластин
- 8.3.1. Метод масс-спектрометрического исследования процесса термодесорбции с поверхности кремниевых пластин
- 8.3.2. Измерения контактной разности потенциалов подложек
- 8.3.3. Влияние адсорбции на электронные свойства поверхности твердых тел
- Список литературы к главе 8