8.2.3. Определение концентрации электронов np в зоне проводимости металлов
Концентрация электронов проводимости np является важнейшей характеристикой металлического состояния. Для определения величин np используются разнообразные методы [43]: электрические, оптические, гальваномагнитные (например, эффект Холла), измерения электронной части теплоемкости металла и поверхностного импеданса на радиочастотах. Температурные зависимости np позволяют определять величины pF, F и концентрацию электронов свободного электронного газа (np = N/V, где N – общее число электронов, V – объем).
Метод аннигиляции позитронов является прямым методом определения величин np в металлах. Исходя из факта, что все позитроны в металлах аннигилируют в свободных соударениях, можно записать выражение для определения величин np() из данных спектров УРАФ (см. табл.8.1)
np() = 5,9421020 3p, см–3. (8.16)
Сведения о концентрации электронов в зоне проводимости можно также получить по измерениям скорости аннигиляции позитронов в металлах. Действительно, в этом случае позитроний не образуется и скорость аннигиляции позитронов будет определяться концентрацией электронов, с которыми они испытывают соударения
d = dvne. (8.17)
Здесь d = r02/ = (r02/v)c – дираковское сечение 2-аннигиляции; v – скорость позитрона; r0 – классический радиус электрона.
Понимая под ne сумму концентраций электронов проводимости np и остовных электронов ng, выражение (8.17) можно записать в виде
d = (p + g), (8.18)
где p и g – соответственно скорости аннигиляции позитронов на электронах проводимости и остовных электронах. Тогда вероятности аннигиляции по каждому из перечисленных каналов будут
Ip = p/(p + g); (8.19)
Ig = g /(p + g). (8.20)
Из выражений (8.16), (8.19) и (8.20) можно найти связь между измеряемой скоростью аннигиляции позитронов в металле изм = d, концентрацией электронов (проводимости np и остовных ng) и соответствующей вероятностью аннигиляции (Ip и Ig), определяемой в угловых экспериментах:
np() = изм Ip/r02c = 1,354изм Ip1023 см–3; (8.21)
ng() = изм Ig/ r02c = 1,354изм Ig1023 см–3, (8.22)
где изм = 1/изм – суммарная скорость аннигиляции позитронов; изм – измеряемые времена жизни; Ip и Ig – относительные площади параболы и гауссиниан в спектрах УРАФ (см. рис.8.9). Отметим, что в формулах (8.17), (8.21) и (8.22) р и g имеют размерность мрад, а изм – нс–1. Таким образом, выражения (8.21), (8.22) позволяют так же, как и выражение (8.17), оценить концентрацию электронов проводимости np, но уже с использованием результатов измерения параметров аннигиляции позитронов.
В табл.8.1 приведены концентрации электронов проводимости, определенные по данным УРАФ np() (8.16), измерениям скорости аннигиляции позитронов np() (8.22) и значениям np для идеальных металлов. Сравнение этих концентраций указывает, что значения np() и np близки, а значение np() существенно отличается от них. В связи с этим в табл.8.1 приведено значение фактора
F= np() / np() = c() / c(p), (8.23)
характеризующего, по нашему мнению, увеличение электронной плотности в области нахождения позитрона по сравнению с электронной плотностью свободного электронного газа [47]. Как видно из таблицы, значения этого параметра для исследованных металлов лежат в интервале от 2,5 до 4,5.
Итак, взаимодействие позитронов с электронным газом приводит к локальному повышению концентрации электронов и, как следствие, увеличению скорости аннигиляции позитронов. В то же время увеличение электронной плотности, по-видимому, не сказывается заметным образом на значениях импульсов и энергии электронов (а следовательно, и величин p), входящих в состав комплекса Ps–, так как спектр УРАФ, описывающий аннигиляцию из этого комплекса хорошо аппроксимируется параболой, а экспериментально определенное значение энергии Ферми вполне удовлетворительно согласуется с ее теоретическим значением. Таким образом, можно думать, что значения концентрации электронов, определяемые по формуле (8.16) с использованием только данных УРАФ, будут наиболее достоверно отражать значения концентрации np свободного электронного газа. Это действительно имеет место (см. табл.8.1).
Величину эффективного заряда комплекса Уилера Ps– можно оценить, сравнивая концентрацию np() электронов в области нахождения позитрона с концентрацией n(Ps) в свободном атоме позитрония
n(Ps) = (3/4) rPs-3 = 21023 см–3, (8.24)
где rPs = 1,0610–8 см – радиус боровской орбиты позитрония.
Отношение этих величин = np()/n(Ps) приведено в табл.8.1. Значение параметра , усредненное по всем исследованным металлам, оказалось равным 2,04. Очевидно, что значение эффективного заряда связано с параметром формальным соотношением = – 1, т.е. 1, как и должно быть в комплексе Уилера.
Таким образом, механизм аннигиляции позитронов в металлах через образование комплексов Уилера, по-видимому, находит экспериментальное подтверждение. Значения концентрации электронов, определяемые по формуле (8.16) с использованием только данных УРАФ, наиболее достоверно отражают значения концентрации np свободного электронного газа.
- Введение
- 1. Основы молекулярно- кинетической теории (мкт).
- 1.1 Количественное выражение элементов системы.
- 1.2 Мкт газов.
- 1.3 Изопроцессы
- 1.4 Закон Авагадро.
- 1.5 Закон Дальтона.
- 1.6 Вероятный характер скорости хаотического движения.
- 1.7 Реальные газы
- 2 Термодинамика
- 2.1 Основные понятия и определения термодинамики.
- 2.2 Понятие о тд системах.
- 2.3 Законы начала термодинамики. Их использование.
- 2.4 Термохимия. Использование первого закона тд.
- 2.5 Закон Гесса.
- 2.6 Теплота образования
- 2.7. Теплота растворения
- 2.8 Теплота нейтрализации
- 2.9 Зависимость тепловых эффектов от температуры.
- 3 Второй закон термодинамики
- 3.1 Обратимые и необратимые процессы.
- 3.2 Характеристические функции тд систем.
- 3.3 Направление протекания процессов.
- 3.4 Химический потенциал
- 4.1 Закон действия масс. Константа равновесия.
- 4.2 Правило фаз
- 4.3 Общие представления о диаграммах состояния.
- 4.4 Однокомпонентные системы
- 4.5 Двухкомпонентные системы
- 4.6 Основные виды диаграмм состояния двухкомпонентных систем.
- 4.7 Термический анализ.
- 4.8 Фазовые переходы
- 5 Закон Рауля.
- 6 Физико-химические особенности процессов подготовки подложек при получении эс и микроэлектронных изделий
- 6.1 Поверхностные явления при изготовлении ис, эс
- 6.2. Технология очистки подложек для производства микроэлектронных изделий
- 6.2.1. Важность снижения уровня загрязнений
- 6.2.2. Классификация загрязнений
- 6.2.3. Источники загрязнений
- 6.3. Влияние загрязнений на характеристики микроэлектронных изделий
- 6.3.1. Механические загрязнения
- 6.3.2. Металлические загрязнения
- 6.3.3. Микронеровности поверхности
- 6.3.4. Кристаллические дефекты
- 6.4. Механические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- 6.4.1. Адгезия механических частиц на поверхность полупроводниковых пластин
- 6.4.2. Удаление загрязнений с поверхности пластин в процессах химической обработки
- 6.4.3. Очистка поверхности подложек в перекисно-аммиачном растворе
- 6.5. Методы исследования состояния и характеристик поверхности подложек
- 6.5.1. Методы анализа частиц на поверхности пластин
- 6.5.2. Методы анализа органических загрязнений на поверхности пластин
- 6.5.3. Методы анализа металлических загрязнений на поверхности пластин
- 6.5.4. Методы исследования рельефа поверхности подложек
- 6.6. Технологические процессы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- 6.6.1. "Жидкостная" химическая обработка
- 6.6.2. Методы проведения "жидкостной" химической обработки
- 6.6.3. "Сухая" химическая обработка
- 6.7. Проблемы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- 6.7.1. Влияние химической обработки на шероховатость поверхности Si пластин
- 6.7.2. Проблемы нежелательного формирования слоев оксида на поверхности кремниевых пластин
- 6.7.3. Органические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- 7. Физико-химические аспекты получения многослойных структур
- 7.1. Имплантация ионов водорода в кремниевые пластины
- 7.2. Особенности технологии прямого сращивания подложек
- 7.3. Сращивание пластин, покрытых SiO2
- 7.4. Состояние сращенных пластин
- 7.5. Плоскостность пластин
- 7.6. Утончение сращенных пластин
- 7.7. Микродефекты сращенных структур
- 7.8. Радиационные свойства многослойных структур
- 7.9. Движение и залечивание пор на границе сращивания стандартных пластин кремния
- 7.9.1. Скорость движения пор, связанных с диффузионными потоками в объеме матрицы, в поле температурного градиента
- 7.9.2. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов на ее поверхности в поле температурного градиента
- 7.9.3. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов в объеме в поле температурного градиента
- 7.9.4. Скорость движения пор в неоднородном поле напряжений при разных механизмах перемещения
- 7.9.5. Диффузионное движение пор вблизи границы кристалла, обусловленное поверхностной диффузией
- 7.9.6. Диффузионное движение пор под действием сил со стороны дислокаций
- 7.9.7. Рекристаллизация, спекание и залечивание пор
- 7.10. Пористый кремний в технологии прямого соединения
- 7.10.1. Теория и экспериментальные исследования заращивания пористых слоев
- 7.10.2 Осаждение слоев кремния на стенках пор и капилляров из парогазовых смесей
- 8. Исследование физико-химических свойств многослойных структур
- 8.1. Определение энергии связи прямого связывания пластин кремния методом генерации трещины между поверхностями сращивания
- 8.2. Исследование многослойных структур и материалов, используемых в процессе их производства эс, методами позитронной аннигиляционной спектроскопии
- 8.2.1. Сущность и особенности методов позитронной аннигиляционной спектроскопии
- 8.2.2. Теория метода ураф и результаты исследований
- 8.2.3. Определение концентрации электронов np в зоне проводимости металлов
- 8.2.4. Исследование полупроводников методом пас
- 8.3. Исследование поверхности пластин
- 8.3.1. Метод масс-спектрометрического исследования процесса термодесорбции с поверхности кремниевых пластин
- 8.3.2. Измерения контактной разности потенциалов подложек
- 8.3.3. Влияние адсорбции на электронные свойства поверхности твердых тел
- Список литературы к главе 8