7.9.3. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов в объеме в поле температурного градиента
Величина диффузионных потоков в объеме поры зависит от условий на границе поры. От того, насколько быстро атомы кремния (матрицы) переходят через границу диффузионные потоки лимитируются скоростью диффузии в объеме поры или процессами, происходящими на границе. Согласно [12,13], при перемещении пор, обусловленном механизмом объемной диффузии внутри поры, скорость поступательного движения поры дается выражением
, (7.6)
где = 1/N0 – атомный объем для поры, = 1/N0 – атомный объем для матрицы, – равновесная атомная концентрация атомов матрицы А (кремния), растворенных в газе поры, A – кинетический коэффициент. Для сферического включения в переходном режиме формула (7.6) принимает вид
. (7.7)
Здесь – кинетический коэффициент, характеризующий скорость испарения в изотермических условиях, R – радиус поры.
Для пор большого радиуса при не очень больших коэффициентах диффузии атомов кремния (матрицы А) выполняется условие R N0DA, означающее, что величины диффузионных потоков лимитируются скоростью диффузии. При этом выражение (7.7) переходит в выражение (7.6). Однако если при небольших размерах пор коэффициент диффузии DA велик, то имеем условие R N0DA (диффузионное сопротивление границы поры велико по сравнению с диффузионным сопротивлением объема поры) и величина диффузионных потоков кремния лимитируется скоростью перехода атомов в пору. В этом случае, согласно (7.7), скорость поры
. (7.8)
Если и не зависят от R, то скорость поры пропорциональна ее радиусу, так как в этом случае диффузионные потоки пропорциональны разности температур на противоположных концах поры (а не ее градиенту), а последняя пропорциональна радиусу. Однако зависимость v ~ R справедлива лишь для относительно узкого интервала значений R, а при больших R, согласно (7.6), эта зависимость стремится к насыщению.
Формулы (7.6), (7.7), (7.8) справедливы для пор, когда длина свободного пробега атомов газа lg мала по сравнению с радиусом поры R (когда перенос атомов кремния носит диффузионный характер). Коэффициент в этом случае характеризует скорость испарения атомов кремния в газовую фазу. Отметим, что lg обратно пропорциональна плотности газа или давления. При этом
, (7.9)
где g – поперечное сечение рассеяния для молекул газа (Н2О, N2, O2); P0 – общее давление всех газов в поре.
, . (7.10)
Здесь PL – лаплассовское давление, Р0 – внешнее давление на кристалл, – коэффициент поверхностного натяжения В этом случае пора находится в стационарном состоянии. Тогда
, (7.11)
где g = (8kT/m)1/2 – средняя тепловая скорость атомов в поре, mA – их масса.
Зависимость (7.11) выполняется в случае, когда РА<<P0. В случае, когда давление в поре не зависит от R, например, в пустых порах (заполненных лишь парами матрицы, давление которых не связано с PL), DA не зависит от Р и также не зависит от R. Величины lg и DA не зависят от R также в порах большого радиуса, когда PL<<P0. Если ~ 1 Дж/м2 (103 эрг/см2), то PL и Р0 сравняются при R ~ 10-3 см в случае атмосферного внешнего давления и при R0 ~ 10‑6 см в случае Р0 ~ 102 бар (102 атм). Если давление газа в по-ре определяется формулой (7.10), то концентрация газа так велика, что lg<<R. Так как при = 1 Дж/м2 (103 эрг/см2), g ~ 10-15 см2, P0<<PL , как следует из формулы (7.11), lg ~ 10-1·R.
Согласно кинетической теории газов, число атомов кремния, испаряющихся с единицы поверхности в единицу времени и определяющих коэффициент ,
, (7.12)
где ev – коэффициент испарения. Поэтому
(7.13)
и условие R N0DA всегда должно выполняться при cv ~ 1, R>>lg. В этом случае скорость движения заполненной газом поры, согласно (7.7) можно выразить через давление РА насыщенных паров атомов кремния
. (7.14)
Однако при << 1 условие R N0DA может не выполняться и тогда из формул (7.7) и (7.12) имеем
. (7.15)
В этом случае скорость газонаполненной поры зависит от R.
В пустых порах малого радиуса, когда нет примесных газов, выполняется условие lg >> R и перенос вещества в поре производится бесстолкновительным движением испаряющихся газов на противоположную стенку поры. Потоки атомов А (кремний) не зависят от координат и пропорциональны T∞. Таким образом, согласно [12,13], скорость движения пор, связанная с испарением в этом случае
, (7.16)
где M = ns/T, ns – число атомов, испаряющихся с единицы поверхности кристалла кремния в единицу времени (см. формулу (7.12)). Скорость поры пропорциональна R.
Движение газонаполненной полости и пустых пор в изучалась в экспериментах [12, 13] на примере кристаллов KBr, KCl, NaCl, содержащих ансамбли пор, заполненных воздухом. Размер пор изменялся от 10-3 до 710-2 см.
В объеме пор, заполненных воздухом, длина свободного пробега lg ~ (1 3)10-4 см, т.е. заведомо меньше линейного размера самых малых изучавшихся пор. Это значит, что перенос вещества в объеме поры осуществляется диффузией в газе. Если N0DA/R, то скорость ограничивается не диффузией в газе, а процессами испарения и конденсации атомов. В этом случае движение поры подчиняется закону v ~ R. Это условие выполняется для пор с R < 10‑2 см. Используя формулу (7.8), получаем
. (7.17)
При = 1, R ~ 10-2 см, v ~ 10-7 см/с, ~ 1018 см-2 с-1.
При больших размерах пор в случае N0DA/R процессом, лимитирующим их движение, может оказаться диффузия в газовой фазе поры. В этом случае (см. формулу (7.17)) скорость движения не должна зависеть от размера поры.
Очевидно, что при R ~ R* должно выполняться условие
N0DA/R. (7.18)
Такая оценка приводит к разумной величине ~ 1018 см-2 c-1.
Интересно оценить на примере KBr среднее значение времени t достижения порой поверхности кристалла с различных глубин d
. (7.19)
При Т = 103 К, T ~ 5102 К/с, так что v ~ 7 10-8 см/с. Для d = 1 мкм t = 0,4 ч, d = 10 мкм t = 4 ч, d = 40 мкм t = 16 ч, d = 400 мкм t = 400 ч. Отметим, что формула (7.19) справедлива для кристаллов KCl, KBr, KJ с радиусами пор R ~ 10‑3 710-2 см.
Таким образом, при сращивании стандартных пластин кремния с толщинами d < 400 мкм появляющиеся поры на границе сращивания могут быть в принципе удалены из кристалла посредством импульсного термического нагрева с характеристиками Т ~ 103 К/с и Т ~ 0,8·Тпл. Этот процесс может быть ускорен, если провести утончение одной из пластин до требуемых размеров (d ~ 1030 мкм), а затем структуру подвергнуть импульсному нагреву. Эта операция удаления пор во многом аналогична операции осветления в технологии получения стекла.
- Введение
- 1. Основы молекулярно- кинетической теории (мкт).
- 1.1 Количественное выражение элементов системы.
- 1.2 Мкт газов.
- 1.3 Изопроцессы
- 1.4 Закон Авагадро.
- 1.5 Закон Дальтона.
- 1.6 Вероятный характер скорости хаотического движения.
- 1.7 Реальные газы
- 2 Термодинамика
- 2.1 Основные понятия и определения термодинамики.
- 2.2 Понятие о тд системах.
- 2.3 Законы начала термодинамики. Их использование.
- 2.4 Термохимия. Использование первого закона тд.
- 2.5 Закон Гесса.
- 2.6 Теплота образования
- 2.7. Теплота растворения
- 2.8 Теплота нейтрализации
- 2.9 Зависимость тепловых эффектов от температуры.
- 3 Второй закон термодинамики
- 3.1 Обратимые и необратимые процессы.
- 3.2 Характеристические функции тд систем.
- 3.3 Направление протекания процессов.
- 3.4 Химический потенциал
- 4.1 Закон действия масс. Константа равновесия.
- 4.2 Правило фаз
- 4.3 Общие представления о диаграммах состояния.
- 4.4 Однокомпонентные системы
- 4.5 Двухкомпонентные системы
- 4.6 Основные виды диаграмм состояния двухкомпонентных систем.
- 4.7 Термический анализ.
- 4.8 Фазовые переходы
- 5 Закон Рауля.
- 6 Физико-химические особенности процессов подготовки подложек при получении эс и микроэлектронных изделий
- 6.1 Поверхностные явления при изготовлении ис, эс
- 6.2. Технология очистки подложек для производства микроэлектронных изделий
- 6.2.1. Важность снижения уровня загрязнений
- 6.2.2. Классификация загрязнений
- 6.2.3. Источники загрязнений
- 6.3. Влияние загрязнений на характеристики микроэлектронных изделий
- 6.3.1. Механические загрязнения
- 6.3.2. Металлические загрязнения
- 6.3.3. Микронеровности поверхности
- 6.3.4. Кристаллические дефекты
- 6.4. Механические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- 6.4.1. Адгезия механических частиц на поверхность полупроводниковых пластин
- 6.4.2. Удаление загрязнений с поверхности пластин в процессах химической обработки
- 6.4.3. Очистка поверхности подложек в перекисно-аммиачном растворе
- 6.5. Методы исследования состояния и характеристик поверхности подложек
- 6.5.1. Методы анализа частиц на поверхности пластин
- 6.5.2. Методы анализа органических загрязнений на поверхности пластин
- 6.5.3. Методы анализа металлических загрязнений на поверхности пластин
- 6.5.4. Методы исследования рельефа поверхности подложек
- 6.6. Технологические процессы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- 6.6.1. "Жидкостная" химическая обработка
- 6.6.2. Методы проведения "жидкостной" химической обработки
- 6.6.3. "Сухая" химическая обработка
- 6.7. Проблемы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- 6.7.1. Влияние химической обработки на шероховатость поверхности Si пластин
- 6.7.2. Проблемы нежелательного формирования слоев оксида на поверхности кремниевых пластин
- 6.7.3. Органические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- 7. Физико-химические аспекты получения многослойных структур
- 7.1. Имплантация ионов водорода в кремниевые пластины
- 7.2. Особенности технологии прямого сращивания подложек
- 7.3. Сращивание пластин, покрытых SiO2
- 7.4. Состояние сращенных пластин
- 7.5. Плоскостность пластин
- 7.6. Утончение сращенных пластин
- 7.7. Микродефекты сращенных структур
- 7.8. Радиационные свойства многослойных структур
- 7.9. Движение и залечивание пор на границе сращивания стандартных пластин кремния
- 7.9.1. Скорость движения пор, связанных с диффузионными потоками в объеме матрицы, в поле температурного градиента
- 7.9.2. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов на ее поверхности в поле температурного градиента
- 7.9.3. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов в объеме в поле температурного градиента
- 7.9.4. Скорость движения пор в неоднородном поле напряжений при разных механизмах перемещения
- 7.9.5. Диффузионное движение пор вблизи границы кристалла, обусловленное поверхностной диффузией
- 7.9.6. Диффузионное движение пор под действием сил со стороны дислокаций
- 7.9.7. Рекристаллизация, спекание и залечивание пор
- 7.10. Пористый кремний в технологии прямого соединения
- 7.10.1. Теория и экспериментальные исследования заращивания пористых слоев
- 7.10.2 Осаждение слоев кремния на стенках пор и капилляров из парогазовых смесей
- 8. Исследование физико-химических свойств многослойных структур
- 8.1. Определение энергии связи прямого связывания пластин кремния методом генерации трещины между поверхностями сращивания
- 8.2. Исследование многослойных структур и материалов, используемых в процессе их производства эс, методами позитронной аннигиляционной спектроскопии
- 8.2.1. Сущность и особенности методов позитронной аннигиляционной спектроскопии
- 8.2.2. Теория метода ураф и результаты исследований
- 8.2.3. Определение концентрации электронов np в зоне проводимости металлов
- 8.2.4. Исследование полупроводников методом пас
- 8.3. Исследование поверхности пластин
- 8.3.1. Метод масс-спектрометрического исследования процесса термодесорбции с поверхности кремниевых пластин
- 8.3.2. Измерения контактной разности потенциалов подложек
- 8.3.3. Влияние адсорбции на электронные свойства поверхности твердых тел
- Список литературы к главе 8