3.2 Характеристические функции тд систем.
Чтобы однозначно охарактеризовать свойства системы определяемой параметрами (P, V, T) при ТД - равновесии недостаточно знать уравнение состояния системы связывающей эти три величины. Для полной характеристики надо знать уравнения позволяющие определить энергию системы по данным параметрам состояния. Анализ 1-го и 2-го законов показывает, что число уравнений необходимых для описания полного состояния системы можно свести до одного, поскольку все необходимые для этого величины могут быть выражены через некоторую функцию независимых переменных и ее производные. Такие функции получили название характеристических функций. Чаще всего в качестве таких функций используются четыре: U – внутренняя энергия, Н – энтальпия, F – свободная энергия, G – свободная энергия Гиббса – термодинамический потенциал.
Тем самым простые математические выражения различных свойств системы получают если рассматривать характеристические функции со следующими независимыми переменными:
(3.17)
(3.18)
(3.19)
(3.20)
Использование каждой функции зависит от конкретных условий, которые диктуют выбор независимых переменных и выбор самой функции. Любые свойства системы могут быть выражены через эти функции и их производных в явной форме. В общем виде соотношения между этими функциями можно представить:
Рис. 3.2 Соотношение между основными характеристическими функциями ТД систем
Графические схемы изменения характеристических функций можно представить рисунком:
Рис. 3.3. Схема изменения характеристических функций при изменении независимых переменных
На примере определения внутренней энергии системы получим соотношение и для других функций.
U – внутренняя энергия системы с учетом 1-го и 2-го начала ТД получаем уравнение
(3.21)
, (3.22)
которые дают недостающие значения Т и Р для полной характеристики системы. Т – мера возрастания внутренней энергии с увеличением S при V=const. Р – мера убыли внутренней энергии с увеличением V при S=const. Кроме того, изменение внутренней энергии определяет величину теплового эффекта.
Поэтому данная функция относится к тепловым:
дифференцируя и приравнивая к правой части получим:
, (3.23)
Т.о. Т – мера возрастания энтальпии с увеличением S при Р=const. V – мера возрастания энтальпии при увеличении Р и при S=const.
,
При Т, V=const в работу переходит чисто внутренняя энергия. Т.е. F –это полезная энергия, которая может перейти в работу. (U –полезная, TS - бесполезная). Дифференцируя и сравнивая получим:
, (3.24)
Р – мера убыли F с увеличением V при Т=const,
S – мера убыли F с увеличением Т при V=const.
. Из рис.1 можно выделить , проводя процесс при Р,Т=const, можно определить функции состояния через G:
;
, (3.25)
Работа при Р=const может быть выражена т.о.:
(3.25)
; (3.26)
Т.о. F принято считать свободной энергией системы при постоянном объеме. (Энергия Гейм – Гольца, изохорно – изотермический потенциал).
G – принято считать свободной энергией при Р=const. (Энергия Гиббса, изобарно – изотермический потенциал). Связь между частными производными характеристическими функциями по разным параметрам дается уравнениями Максвелла, получаемыми приравниваниями правых частей уравнений к частным производным характеристических функций.
; ; ; (3.27)
С учетом этого можно получить еще уравнения, связывающие 1-й и 2-й законы ТД через свободные энергии.
(3.28);
(3.29);
(3.30);
(3.31).
- Введение
- 1. Основы молекулярно- кинетической теории (мкт).
- 1.1 Количественное выражение элементов системы.
- 1.2 Мкт газов.
- 1.3 Изопроцессы
- 1.4 Закон Авагадро.
- 1.5 Закон Дальтона.
- 1.6 Вероятный характер скорости хаотического движения.
- 1.7 Реальные газы
- 2 Термодинамика
- 2.1 Основные понятия и определения термодинамики.
- 2.2 Понятие о тд системах.
- 2.3 Законы начала термодинамики. Их использование.
- 2.4 Термохимия. Использование первого закона тд.
- 2.5 Закон Гесса.
- 2.6 Теплота образования
- 2.7. Теплота растворения
- 2.8 Теплота нейтрализации
- 2.9 Зависимость тепловых эффектов от температуры.
- 3 Второй закон термодинамики
- 3.1 Обратимые и необратимые процессы.
- 3.2 Характеристические функции тд систем.
- 3.3 Направление протекания процессов.
- 3.4 Химический потенциал
- 4.1 Закон действия масс. Константа равновесия.
- 4.2 Правило фаз
- 4.3 Общие представления о диаграммах состояния.
- 4.4 Однокомпонентные системы
- 4.5 Двухкомпонентные системы
- 4.6 Основные виды диаграмм состояния двухкомпонентных систем.
- 4.7 Термический анализ.
- 4.8 Фазовые переходы
- 5 Закон Рауля.
- 6 Физико-химические особенности процессов подготовки подложек при получении эс и микроэлектронных изделий
- 6.1 Поверхностные явления при изготовлении ис, эс
- 6.2. Технология очистки подложек для производства микроэлектронных изделий
- 6.2.1. Важность снижения уровня загрязнений
- 6.2.2. Классификация загрязнений
- 6.2.3. Источники загрязнений
- 6.3. Влияние загрязнений на характеристики микроэлектронных изделий
- 6.3.1. Механические загрязнения
- 6.3.2. Металлические загрязнения
- 6.3.3. Микронеровности поверхности
- 6.3.4. Кристаллические дефекты
- 6.4. Механические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- 6.4.1. Адгезия механических частиц на поверхность полупроводниковых пластин
- 6.4.2. Удаление загрязнений с поверхности пластин в процессах химической обработки
- 6.4.3. Очистка поверхности подложек в перекисно-аммиачном растворе
- 6.5. Методы исследования состояния и характеристик поверхности подложек
- 6.5.1. Методы анализа частиц на поверхности пластин
- 6.5.2. Методы анализа органических загрязнений на поверхности пластин
- 6.5.3. Методы анализа металлических загрязнений на поверхности пластин
- 6.5.4. Методы исследования рельефа поверхности подложек
- 6.6. Технологические процессы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- 6.6.1. "Жидкостная" химическая обработка
- 6.6.2. Методы проведения "жидкостной" химической обработки
- 6.6.3. "Сухая" химическая обработка
- 6.7. Проблемы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- 6.7.1. Влияние химической обработки на шероховатость поверхности Si пластин
- 6.7.2. Проблемы нежелательного формирования слоев оксида на поверхности кремниевых пластин
- 6.7.3. Органические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- 7. Физико-химические аспекты получения многослойных структур
- 7.1. Имплантация ионов водорода в кремниевые пластины
- 7.2. Особенности технологии прямого сращивания подложек
- 7.3. Сращивание пластин, покрытых SiO2
- 7.4. Состояние сращенных пластин
- 7.5. Плоскостность пластин
- 7.6. Утончение сращенных пластин
- 7.7. Микродефекты сращенных структур
- 7.8. Радиационные свойства многослойных структур
- 7.9. Движение и залечивание пор на границе сращивания стандартных пластин кремния
- 7.9.1. Скорость движения пор, связанных с диффузионными потоками в объеме матрицы, в поле температурного градиента
- 7.9.2. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов на ее поверхности в поле температурного градиента
- 7.9.3. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов в объеме в поле температурного градиента
- 7.9.4. Скорость движения пор в неоднородном поле напряжений при разных механизмах перемещения
- 7.9.5. Диффузионное движение пор вблизи границы кристалла, обусловленное поверхностной диффузией
- 7.9.6. Диффузионное движение пор под действием сил со стороны дислокаций
- 7.9.7. Рекристаллизация, спекание и залечивание пор
- 7.10. Пористый кремний в технологии прямого соединения
- 7.10.1. Теория и экспериментальные исследования заращивания пористых слоев
- 7.10.2 Осаждение слоев кремния на стенках пор и капилляров из парогазовых смесей
- 8. Исследование физико-химических свойств многослойных структур
- 8.1. Определение энергии связи прямого связывания пластин кремния методом генерации трещины между поверхностями сращивания
- 8.2. Исследование многослойных структур и материалов, используемых в процессе их производства эс, методами позитронной аннигиляционной спектроскопии
- 8.2.1. Сущность и особенности методов позитронной аннигиляционной спектроскопии
- 8.2.2. Теория метода ураф и результаты исследований
- 8.2.3. Определение концентрации электронов np в зоне проводимости металлов
- 8.2.4. Исследование полупроводников методом пас
- 8.3. Исследование поверхности пластин
- 8.3.1. Метод масс-спектрометрического исследования процесса термодесорбции с поверхности кремниевых пластин
- 8.3.2. Измерения контактной разности потенциалов подложек
- 8.3.3. Влияние адсорбции на электронные свойства поверхности твердых тел
- Список литературы к главе 8