5 Закон Рауля.
Закон Рауля относится к растворам. Растворы – это макроскопические однородные смеси двух или более числа веществ. В соответствии с ТД свойствами выделяют идеальные и реальные. К идеальным относят такие, у которых ХП μi = μio + R*T*ln(хi) (1).
Для них важно соблюдение 3-х правил:
изменение объема при смешении равно 0;
энтропия смешения выражается аналогично как и для идеальных газов;
энтальпия смешения равна 0.
Чтобы эти три условия выполнялись, необходимо, чтобы основной компонент (растворитель) был близок по составу и строению к остальным компонентам (растворенным в нем веществам).
Для них справедлив закон Генри:
При постоянной температуре растворимость газа в данной жидкости (выраженной весовой концентрацией) при равновесии прямопропорциональна давлению этого газа над раствором. Закон Генри справедлив при невысоких давлениях:
(5.1)
Закон Рауля – эмпирический закон:
При равновесии для растворов, подчиняющихся закону Рауля, давление пара над однородной жидкой смесью (раствором) есть линейная формула от молярной доли компонентов:
РА = РАо*NA; PB = PBo*NB (5.2)
где А – растворитель, В – растворяемое вещество, РАо – давление компонента А в свободном состоянии.
Для реальных растворов выполняются соотношения (1) при замене концентрации на активность растворения ai = γi*xi, где ai – активность компонента, γi – коэффициент активности, зависящий от xi компонента и всех остальных, а также от давления и температуры.
Закон Генри справедлив для жидких растворов и области высоких давлений. При возрастании давлений закон Генри выражается по-другому:
Р = Г*n (5.3)
Где Г – коэффициент Генри (зависит от температуры, природы компонентов и способов выражения его состава, n – число молей в 1 литре.
Закон Ват-Гоффа определяет зависимость осмотического давления от концентрации и температуры.
Росм = n*R*T (5.4)
Этот закон справедлив для разбавленных растворов, так как чаще всего применяют разбавленный раствор.
Уравнение Аррениуса. По правилу Вант-Гоффа с повышением температуры на 10о, скорость гомогенной реакции возрастает в 2-4 раза.
Уравнение дает зависимость скорости от температуры.
(5.5)
К- постоянная равновесия, Ко – множитель, учитывающий механизм всех элементарных стадий процесса. Е – энергия активации.
Энергия активации определяется как сумма повышенных энергий, столкнувшихся молекул.
Вопросы для самопроверки:
1. Описать отличия идеальных и реальных растворов
2. Привести математическую формулировку закона Генри
3. Перечислить правила существования идеальных растворов
Список использованных источников раздела 5
1. Глазов В.М. Основы физической химии. - М.: Высш. шк., 1981. - 456с.
2. Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. - М.: Высш. шк., 1987.-376с.
3. Карапетьянц М.Х. Введение в теорию химических процессов. - М.: Высш. шк., 1981. - 333с.
- Введение
- 1. Основы молекулярно- кинетической теории (мкт).
- 1.1 Количественное выражение элементов системы.
- 1.2 Мкт газов.
- 1.3 Изопроцессы
- 1.4 Закон Авагадро.
- 1.5 Закон Дальтона.
- 1.6 Вероятный характер скорости хаотического движения.
- 1.7 Реальные газы
- 2 Термодинамика
- 2.1 Основные понятия и определения термодинамики.
- 2.2 Понятие о тд системах.
- 2.3 Законы начала термодинамики. Их использование.
- 2.4 Термохимия. Использование первого закона тд.
- 2.5 Закон Гесса.
- 2.6 Теплота образования
- 2.7. Теплота растворения
- 2.8 Теплота нейтрализации
- 2.9 Зависимость тепловых эффектов от температуры.
- 3 Второй закон термодинамики
- 3.1 Обратимые и необратимые процессы.
- 3.2 Характеристические функции тд систем.
- 3.3 Направление протекания процессов.
- 3.4 Химический потенциал
- 4.1 Закон действия масс. Константа равновесия.
- 4.2 Правило фаз
- 4.3 Общие представления о диаграммах состояния.
- 4.4 Однокомпонентные системы
- 4.5 Двухкомпонентные системы
- 4.6 Основные виды диаграмм состояния двухкомпонентных систем.
- 4.7 Термический анализ.
- 4.8 Фазовые переходы
- 5 Закон Рауля.
- 6 Физико-химические особенности процессов подготовки подложек при получении эс и микроэлектронных изделий
- 6.1 Поверхностные явления при изготовлении ис, эс
- 6.2. Технология очистки подложек для производства микроэлектронных изделий
- 6.2.1. Важность снижения уровня загрязнений
- 6.2.2. Классификация загрязнений
- 6.2.3. Источники загрязнений
- 6.3. Влияние загрязнений на характеристики микроэлектронных изделий
- 6.3.1. Механические загрязнения
- 6.3.2. Металлические загрязнения
- 6.3.3. Микронеровности поверхности
- 6.3.4. Кристаллические дефекты
- 6.4. Механические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- 6.4.1. Адгезия механических частиц на поверхность полупроводниковых пластин
- 6.4.2. Удаление загрязнений с поверхности пластин в процессах химической обработки
- 6.4.3. Очистка поверхности подложек в перекисно-аммиачном растворе
- 6.5. Методы исследования состояния и характеристик поверхности подложек
- 6.5.1. Методы анализа частиц на поверхности пластин
- 6.5.2. Методы анализа органических загрязнений на поверхности пластин
- 6.5.3. Методы анализа металлических загрязнений на поверхности пластин
- 6.5.4. Методы исследования рельефа поверхности подложек
- 6.6. Технологические процессы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- 6.6.1. "Жидкостная" химическая обработка
- 6.6.2. Методы проведения "жидкостной" химической обработки
- 6.6.3. "Сухая" химическая обработка
- 6.7. Проблемы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- 6.7.1. Влияние химической обработки на шероховатость поверхности Si пластин
- 6.7.2. Проблемы нежелательного формирования слоев оксида на поверхности кремниевых пластин
- 6.7.3. Органические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- 7. Физико-химические аспекты получения многослойных структур
- 7.1. Имплантация ионов водорода в кремниевые пластины
- 7.2. Особенности технологии прямого сращивания подложек
- 7.3. Сращивание пластин, покрытых SiO2
- 7.4. Состояние сращенных пластин
- 7.5. Плоскостность пластин
- 7.6. Утончение сращенных пластин
- 7.7. Микродефекты сращенных структур
- 7.8. Радиационные свойства многослойных структур
- 7.9. Движение и залечивание пор на границе сращивания стандартных пластин кремния
- 7.9.1. Скорость движения пор, связанных с диффузионными потоками в объеме матрицы, в поле температурного градиента
- 7.9.2. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов на ее поверхности в поле температурного градиента
- 7.9.3. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов в объеме в поле температурного градиента
- 7.9.4. Скорость движения пор в неоднородном поле напряжений при разных механизмах перемещения
- 7.9.5. Диффузионное движение пор вблизи границы кристалла, обусловленное поверхностной диффузией
- 7.9.6. Диффузионное движение пор под действием сил со стороны дислокаций
- 7.9.7. Рекристаллизация, спекание и залечивание пор
- 7.10. Пористый кремний в технологии прямого соединения
- 7.10.1. Теория и экспериментальные исследования заращивания пористых слоев
- 7.10.2 Осаждение слоев кремния на стенках пор и капилляров из парогазовых смесей
- 8. Исследование физико-химических свойств многослойных структур
- 8.1. Определение энергии связи прямого связывания пластин кремния методом генерации трещины между поверхностями сращивания
- 8.2. Исследование многослойных структур и материалов, используемых в процессе их производства эс, методами позитронной аннигиляционной спектроскопии
- 8.2.1. Сущность и особенности методов позитронной аннигиляционной спектроскопии
- 8.2.2. Теория метода ураф и результаты исследований
- 8.2.3. Определение концентрации электронов np в зоне проводимости металлов
- 8.2.4. Исследование полупроводников методом пас
- 8.3. Исследование поверхности пластин
- 8.3.1. Метод масс-спектрометрического исследования процесса термодесорбции с поверхности кремниевых пластин
- 8.3.2. Измерения контактной разности потенциалов подложек
- 8.3.3. Влияние адсорбции на электронные свойства поверхности твердых тел
- Список литературы к главе 8