logo
Калугин

6.2.1. Важность снижения уровня загрязнений

Микроэлектроника развивается в сторону совершенствования полупроводниковых изделий, технологический маршрута изго­товления которых усложняется (табл.6.1) [1].

Таблица 6.1 Характеристики ИС

Параметр

БИС

СБИС

УБИС

Число элементов на кристалле

103 – 105

105 – 107

107 – 5·108

Площадь кристалла, мм2

20 – 50

50 – 70

80 – 100

Топологический размер, мкм

2 – 1,5

1,2 – 0,8

0,7 – 0,3

Толщина слоя подзатворного диэлектрика, нм

90 – 40

40 – 15

15 – 10

Глубина р-n- перехода, мкм

1,2 – 0,8

0,5 – 0,2

0,2 – 0,1

Число шаблонов, шт.

6 – 10

8 – 15

12 – 18

C уменьшением минимальных размеров элементов Bmin и меж­соединений в интегральных схемах механические загрязнения (частицы) малых размеров оказывают все большее отрицательное влияние на работу приборов. Так, линейное увеличение плотности дефектов на кремниевой пластине экспоненциально уменьшает выход годных изделий [12].

Требования к чистоте поверхности зависят от уровня реализуе­мой технологии и параметров изготавливаемого изделия. К при­меру, размер механических загрязнений на пластине должен быть на порядок меньше минимального топологического размера эле­ментов. По мере снижения размеров загрязнений сложность их удаления с поверхности резко увеличивается, поэтому в мировом производстве микроэлектронных изделий проводится непрерывный поиск оптимальных процессов химической обработки подложек [13].