4.5 Двухкомпонентные системы
Состав систем: два компонента, которые могут быть как простейшими элементами, так и химическими соединениями. Химическое соединение является однокомпонентной системой. Соотношение между ними способно значительно изменять свойства систем. Это значит, что для однозначного определения состояния системы, нам надо знать параметры: Т, Р, С1, С2. Тогда уравнение состояния примет вид:
φ (Т, P, С1, С2) = 0 (4.16)
Следовательно, диаграмма состояния может быть построена в координатах Т, Р, С; четвертый параметр определяемся из уравнения состояния. При изучении Т плавления, Т фазовых переходов, большинство металлических систем в производственных условиях существуют при постоянном давлении. Следовательно, можно построить диаграмму состояния в координатах Т, С. Ось абсцисс (х) в этом случае, представляющую ось концентрации, изображают в виде отрезка, длину которого принимают за 100%. Концы этого отрезка будут соответствовать чистым компонентам, т.е. с одной стороны 100% компонента А, с другой стороны 100% компонента В. Любая точка, помещенная на отрезке делит его на части, характеризующие химических состав сплава. Для удобства: для точки С1 показано, что в сплаве содержится 60% - ВС1 и 40% АС1. Обычно на ось концентраций наносят только состав одного из компонентов.
Рис. 4.5. Построение диаграммы состояния в координатах Т-С
Ось концентраций может быть отградуирована по массе. На оси ординат всегда откладывается температура (фактор интенсивности). Любая точка на диаграмме состояния (ДС) показывает, что сплав состава С1 находится при Т1, однако на ДС наносят Т плавления, затвердевания, фазовые переходы и других характерных процессов. Линии, соединяющие эти точки называются:
Линия, представляющая совокупность точек начала кристаллизации называется ликвидус. Выше ликвидуса сплавы находятся в однофазном жидком состоянии. Линия, ниже которой сплав находится полностью в твердом состоянии называется солидус (линия конца кристаллизации).
Для проверки правильности диаграммы состояния используют правило фаз. Правило фаз позволяет предсказать, что в двухкомпонентных системах максимальное число равновесно существующих фаз рвано 3, так как из двух переменных выбираем одну Т, давление Р=const. А вариантность системы не может быть меньше 0. Следовательно, y = k – F + 2 = 2 – 0 + 1 – 3.
Трехфазное равновесие безвариантно в двухкомпонентных системах. Так как газообразная фаза нас не интересует, рассмотрим жидкое и твердое состояния. Равновесие двух фаз в двухкомпонентных системах одновариантно. Однофазное равновесие такой системы двухвариантно. Это означает, что давление, которое условно принимаем за неизменное, тоже может быть изменено без нарушения фазового равновесия.
- Введение
- 1. Основы молекулярно- кинетической теории (мкт).
- 1.1 Количественное выражение элементов системы.
- 1.2 Мкт газов.
- 1.3 Изопроцессы
- 1.4 Закон Авагадро.
- 1.5 Закон Дальтона.
- 1.6 Вероятный характер скорости хаотического движения.
- 1.7 Реальные газы
- 2 Термодинамика
- 2.1 Основные понятия и определения термодинамики.
- 2.2 Понятие о тд системах.
- 2.3 Законы начала термодинамики. Их использование.
- 2.4 Термохимия. Использование первого закона тд.
- 2.5 Закон Гесса.
- 2.6 Теплота образования
- 2.7. Теплота растворения
- 2.8 Теплота нейтрализации
- 2.9 Зависимость тепловых эффектов от температуры.
- 3 Второй закон термодинамики
- 3.1 Обратимые и необратимые процессы.
- 3.2 Характеристические функции тд систем.
- 3.3 Направление протекания процессов.
- 3.4 Химический потенциал
- 4.1 Закон действия масс. Константа равновесия.
- 4.2 Правило фаз
- 4.3 Общие представления о диаграммах состояния.
- 4.4 Однокомпонентные системы
- 4.5 Двухкомпонентные системы
- 4.6 Основные виды диаграмм состояния двухкомпонентных систем.
- 4.7 Термический анализ.
- 4.8 Фазовые переходы
- 5 Закон Рауля.
- 6 Физико-химические особенности процессов подготовки подложек при получении эс и микроэлектронных изделий
- 6.1 Поверхностные явления при изготовлении ис, эс
- 6.2. Технология очистки подложек для производства микроэлектронных изделий
- 6.2.1. Важность снижения уровня загрязнений
- 6.2.2. Классификация загрязнений
- 6.2.3. Источники загрязнений
- 6.3. Влияние загрязнений на характеристики микроэлектронных изделий
- 6.3.1. Механические загрязнения
- 6.3.2. Металлические загрязнения
- 6.3.3. Микронеровности поверхности
- 6.3.4. Кристаллические дефекты
- 6.4. Механические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- 6.4.1. Адгезия механических частиц на поверхность полупроводниковых пластин
- 6.4.2. Удаление загрязнений с поверхности пластин в процессах химической обработки
- 6.4.3. Очистка поверхности подложек в перекисно-аммиачном растворе
- 6.5. Методы исследования состояния и характеристик поверхности подложек
- 6.5.1. Методы анализа частиц на поверхности пластин
- 6.5.2. Методы анализа органических загрязнений на поверхности пластин
- 6.5.3. Методы анализа металлических загрязнений на поверхности пластин
- 6.5.4. Методы исследования рельефа поверхности подложек
- 6.6. Технологические процессы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- 6.6.1. "Жидкостная" химическая обработка
- 6.6.2. Методы проведения "жидкостной" химической обработки
- 6.6.3. "Сухая" химическая обработка
- 6.7. Проблемы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- 6.7.1. Влияние химической обработки на шероховатость поверхности Si пластин
- 6.7.2. Проблемы нежелательного формирования слоев оксида на поверхности кремниевых пластин
- 6.7.3. Органические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- 7. Физико-химические аспекты получения многослойных структур
- 7.1. Имплантация ионов водорода в кремниевые пластины
- 7.2. Особенности технологии прямого сращивания подложек
- 7.3. Сращивание пластин, покрытых SiO2
- 7.4. Состояние сращенных пластин
- 7.5. Плоскостность пластин
- 7.6. Утончение сращенных пластин
- 7.7. Микродефекты сращенных структур
- 7.8. Радиационные свойства многослойных структур
- 7.9. Движение и залечивание пор на границе сращивания стандартных пластин кремния
- 7.9.1. Скорость движения пор, связанных с диффузионными потоками в объеме матрицы, в поле температурного градиента
- 7.9.2. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов на ее поверхности в поле температурного градиента
- 7.9.3. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов в объеме в поле температурного градиента
- 7.9.4. Скорость движения пор в неоднородном поле напряжений при разных механизмах перемещения
- 7.9.5. Диффузионное движение пор вблизи границы кристалла, обусловленное поверхностной диффузией
- 7.9.6. Диффузионное движение пор под действием сил со стороны дислокаций
- 7.9.7. Рекристаллизация, спекание и залечивание пор
- 7.10. Пористый кремний в технологии прямого соединения
- 7.10.1. Теория и экспериментальные исследования заращивания пористых слоев
- 7.10.2 Осаждение слоев кремния на стенках пор и капилляров из парогазовых смесей
- 8. Исследование физико-химических свойств многослойных структур
- 8.1. Определение энергии связи прямого связывания пластин кремния методом генерации трещины между поверхностями сращивания
- 8.2. Исследование многослойных структур и материалов, используемых в процессе их производства эс, методами позитронной аннигиляционной спектроскопии
- 8.2.1. Сущность и особенности методов позитронной аннигиляционной спектроскопии
- 8.2.2. Теория метода ураф и результаты исследований
- 8.2.3. Определение концентрации электронов np в зоне проводимости металлов
- 8.2.4. Исследование полупроводников методом пас
- 8.3. Исследование поверхности пластин
- 8.3.1. Метод масс-спектрометрического исследования процесса термодесорбции с поверхности кремниевых пластин
- 8.3.2. Измерения контактной разности потенциалов подложек
- 8.3.3. Влияние адсорбции на электронные свойства поверхности твердых тел
- Список литературы к главе 8