logo
Калугин

6.2.3. Источники загрязнений

Источники загрязнений различны. Их можно условно разделить на несколько категорий.

Рабочий персонал. Для вентиляции чистой комнаты исполь­зуют метод ламинарного потока сверху вниз, который может бы­стро удалять пыль, источником которой является обслуживающий персонал.

Окружающая среда. Чистота производственного помещения должна соответствовать уровню проводимых работ с пластинами. Уровень загрязнений частицами на поверхности пластин является следствием воздействия окружающей среды, используемой для хранения и транспортировки кассет с пластинами. В настоящее время для производства ИС с Bmin = 1 мкм и меньше используют чистые производственные помещения (ЧПП) класса 1 – 10 [8]. Снижения плотности загрязнений можно добиться созданием мик­рообъема с пластинами, с контролируемой подачей фильтрован­ного азота без очистки всего производственного помещения [16].

Материалы. С целью поддержания высокой чистоты химиче­ских растворов и технологических сред применяют фильтрацию, рецикл. С увеличением степени интеграции схем возрастают тре­бования к химической чистоте материалов, плотности и физиче­ским размерам поверхностных микродефектов [17,18]. Тенденции изменения требований к материалам для производства ИС пред­ставлены в табл.6.2.

Таблица 6.2 Требования к газам, воздушным средам, воде, химическим реактивам

Требования

Емкость памяти ИС

16К

64К

256К

16М

Содержание лимитирующих приме­сей в материалах, ат%

10-4

10-4

10-5–10-6

10-6–10-8

10-8

10-9

Критический размер инородных частиц в газовых и жидких средах, мкм

0,4

0,3

0,2

0,1

0,01–0,05

0,05

Микроорганизмы в воде, колоний на мл

1,0

1,0

0,8

0,5

0,2

0,1

Оборудование. Механические узлы оборудования являются ис­точниками загрязнений, возникающих при трении поверхностей. В установках с использованием вакуума причинами загрязнений мо­гут быть пыль и продукты реакции внутри рабочей камеры.

Технологические процессы. В данной категории загрязнений учитываются загрязнения, привносимые самим процессом произ­водства микроэлектронных изделий на всех его этапах.