6.3. Влияние загрязнений на характеристики микроэлектронных изделий

Одной из главных задач полупроводниковой техники является изготовление надежных приборов, способных работать в течение длительного времени. Установлено, что электрические параметры электронных полупроводниковых приборов и их стабильность за­висят от состояния поверхности полупроводниковых пластин, ме­няющегося в результате физических и химических процессов, про­текающих на поверхности [19]. При контакте незащищенных полу­проводниковых пластин с атмосферным воздухом на поверхности адсорбируются в основном молекулы воды и кислорода. Помимо молекул воды и газов на поверхности пластин осаждаются аэро­золи различного происхождения, продукты химических реакций, примеси из химических реактивов и моющих составов [15,20]. За­грязнения на поверхности Si пластин являются причиной различ­ных дефектов структур [21].