6.4. Механические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин

В процессе изготовления ИС на поверхность полупроводнико­вых пластин постоянно осаждаются загрязнения из различных ис­точников, т.е. происходит адгезия загрязнений на поверхность под­ложек. Количество осаждаемых механических частиц зависит от многих факторов, например от размера контролируемых загрязне­ний, вида внешней среды (воздух, жидкость). В воздушной среде ЧПП движение частиц определяют: их броуновское движение, силы гравитации, электрические силы. С целью минимизирования количества механических частиц, попадающих из внешней среды, на производственных участках микроэлектронных предприятий применяется система вентиляции с ламинарным потоком воздуха. В этом случае обеспечивается требуемый уровень чистоты в ЧПП. При производстве ИС с B_min < 1 мкм обеспечивается соответствие чистых комнат микроэлектронных предприятий ЧПП класса 1–10. Для ЧПП класса 10 в среднем допустима одна механическая час­тица размером 0,3 мкм в одном литре воздуха [31,32].

Практические измерения показали, что наибольшую опасность для технологических процессов обработки Si пластин при получе­нии структур КНИ представляют неконтролируемые загрязнения, источником которых является оборудование и персонал. К при­меру, выходной контроль поверхности подложек на автоматиче­ском лазерном анализаторе поверхности "Surfscan-4500" сокращает количество привносимых механических загрязнений в среднем втрое по сравнению с контролем пластин вручную на оптическом микроскопе "Inspection jenatech" в ЧПП класса 10.