6.4.2. Удаление загрязнений с поверхности пластин в процессах химической обработки

Основной механизм действия "жидкостной" химической очи­стки заключается в следующем: для удаления металлических и ор­ганических загрязнений с поверхности кремниевых пластин необ­ходимо использовать растворы с большим "редокс"-потенциалом (электродный потенциал окислительно-восстановительной реак­ции). При воздействии этого типа растворов происходит окисление металлических примесей, разложение органических соединений на летучие соединения и воду. В общепринятых растворах H₂SO₄/H₂O₂ и HCl/H₂O₂/H₂O, имеющих высокий "редокс"-потенциал, при высо­кой температуре (больше 100 С) происходит удаление металличе­ских примесей и органических загрязнений (фоторезиста) с по­верхности подложек. Органические пленки под действием кислот при высокой температуре разрушаются и продукты реакции пере­ходят в раствор.

На поверхности кремниевых пластин в процессе изготовления ИС могут находиться слои SiO₂, Si₃N₄, Al, органических соедине­ний и др. В алкильных растворах все эти материалы имеют отрица­тельный -потенциал (электрокинетический потенциал частиц в кинетике обменных химических реакций), т.е. такой же полярно­сти, что и используемый раствор NH₄OH/H₂O₂/H₂O (табл.6.4). За­грязнения на поверхности, взаимодействуя с заряженными тем же знаком -потенциала частицами раствора, взаимно отталкиваются и, таким образом, удаляются с поверхности пластины [33,34].

Таблица 6.4 -потенциал материалов в растворах с различным рН, мВ

Современной методикой уменьшения влияния -потенциала на загрязнения является добавление поверхностно-активных веществ (ПАВ) в раствор (рис.6.4 – 6.7).

Рис.6.4. Механические загрязнения в воде

Рис.6.5. Механические загрязнения в растворе с анионными ПАВ

Рис.6.6. Механические загрязнения в растворе с нонионными ПАВ

Рис.6.7. Механические загрязнения в растворе с катионными ПАВ

Отрицательный -потенциал на частицах можно создать, доба­вив анионное ПАВ, и положительный -потенциал, добавив кати­онное ПАВ. Таким образом, добавляя в раствор для удаления слоев SiO₂ на основе HF/H₂O соответствующее ПАВ, можно одновре­менно удалять загрязнения с поверхности кремниевых пластин. В отечественной микроэлектронике работы в указанном направлении ведутся, однако положительных результатов пока не достигнуто, т.к. существует проблемы, в основном связанные с тем, что, ПАВ порой сами являются причиной дополнительных загрязнений по­верхности подложек.

Необходимо отметить следующие экспериментальные зависи­мости. Большее количество остаточных загрязнений на поверхно­сти полупроводниковых пластин наблюдается, когда ионная сила раствора увеличивается, разница значений -потенциала частицы и пластины растет, диаметр механических частиц уменьшается [27].

Практические результаты показали, что при среднем исходном уровне загрязнения поверхности кремниевых пластин диаметром 150 мм на уровне 700 частиц после очистки подложек в растворе H₂SO₄/H₂O₂ количество загрязнений уменьшилось до 650 частиц, после проведения очистки подложек в растворе NH₄OH/H₂O₂/H₂O средний конечный уровень загрязнений составил 60 частиц на пла­стине.