7.2. Особенности технологии прямого сращивания подложек
В этом разделе изложены особенности технологии прямого связывания при производстве структур КНИ и структур "германий на кремнии, изоляторе, арсениде галлия", "Si/Ge на кремнии и изоляторе" и др. Целостность границы (поверхности) раздела является одним из ключевых моментов в процессе сращивания кремниевых пластин. Граница раздела, содержащая поры и микровключения между двумя связанными пластинами, является дефектной. Имеются несколько основных причин образования пор: недостаточная плоскостность пластин, наличие захваченного воздуха, газа, наличие механических поверхностных загрязнений, а также повышенная шероховатость или деформация подложек. Обязательность высокой плоскостности для сращиваемых пластин и отсутствия загрязняющих частиц на их поверхностях связана с необходимостью создания межмолекулярного взаимодействия между двумя поверхностями пластин в процессе прямого контакта. Вероятно, главной причиной образования больших пор на границе (до размеров в несколько сантиметров) является присутствие загрязняющих частиц (пленок) и геометрические несовершенства подложек (локальная неплоскостность, разнотолщинность и т.п.). Захваченный воздух между двумя поверхностями приводит не только к плохому контакту при комнатной температуре, но и к отталкивающим силам между двумя связанными пластинами при высоких температурах. Когда пластины нагреваются, связь между ними осуществляется в местах прямых контактов и появляются чаше- и дискообразные полости, заполненные воздухом. Давление за счет отталкивающих сил в полости может значительно превышать атмосферное давление при температуре связывания 1100 С. В работе [1] в качестве примера приведены поры, вызванные загрязняющими частицами на пластине кремния диаметром 100 мм. Поры диаметром в несколько миллиметров правильной круглой формы чаще всего вызваны присутствием механических частиц (рис. 7.1).
Рис.7.1. Примеры пор, вызываемых частицами загрязнений
Круглая форма поры объясняется одинаковым расстоянием от точки (частицы) расклинивания до границы сращивания. На этой границе поры энергия сращивания равна энергии расклинивания. Там же (рис. 7.1) показаны большие скопления частиц, ответственных за поры. Существуют поля напряжений в окрестности частиц, возникающих в результате связывания пластин кремния и расклинивающего действия механических частиц. Напряжения решетки в окрестности частицы видны в виде полос дислокаций, расположенных в ортогональных направлениях линий скольжения <110>. Это подтверждают исследования с помощью рентгеновской просвечивающей топографии.
Изучение пор, зависящих от таких переменных, как толщина пластин, температура связывания и время, а также от поверхностных условий (окисленная или неокисленная поверхность, способ подготовки поверхностей), показывает, что задача получения беспористого сращивания достаточно сложная, многофакторная, но вполне реализуемая как для исследовательских, так и для промышленного производства.
- Введение
- 1. Основы молекулярно- кинетической теории (мкт).
- 1.1 Количественное выражение элементов системы.
- 1.2 Мкт газов.
- 1.3 Изопроцессы
- 1.4 Закон Авагадро.
- 1.5 Закон Дальтона.
- 1.6 Вероятный характер скорости хаотического движения.
- 1.7 Реальные газы
- 2 Термодинамика
- 2.1 Основные понятия и определения термодинамики.
- 2.2 Понятие о тд системах.
- 2.3 Законы начала термодинамики. Их использование.
- 2.4 Термохимия. Использование первого закона тд.
- 2.5 Закон Гесса.
- 2.6 Теплота образования
- 2.7. Теплота растворения
- 2.8 Теплота нейтрализации
- 2.9 Зависимость тепловых эффектов от температуры.
- 3 Второй закон термодинамики
- 3.1 Обратимые и необратимые процессы.
- 3.2 Характеристические функции тд систем.
- 3.3 Направление протекания процессов.
- 3.4 Химический потенциал
- 4.1 Закон действия масс. Константа равновесия.
- 4.2 Правило фаз
- 4.3 Общие представления о диаграммах состояния.
- 4.4 Однокомпонентные системы
- 4.5 Двухкомпонентные системы
- 4.6 Основные виды диаграмм состояния двухкомпонентных систем.
- 4.7 Термический анализ.
- 4.8 Фазовые переходы
- 5 Закон Рауля.
- 6 Физико-химические особенности процессов подготовки подложек при получении эс и микроэлектронных изделий
- 6.1 Поверхностные явления при изготовлении ис, эс
- 6.2. Технология очистки подложек для производства микроэлектронных изделий
- 6.2.1. Важность снижения уровня загрязнений
- 6.2.2. Классификация загрязнений
- 6.2.3. Источники загрязнений
- 6.3. Влияние загрязнений на характеристики микроэлектронных изделий
- 6.3.1. Механические загрязнения
- 6.3.2. Металлические загрязнения
- 6.3.3. Микронеровности поверхности
- 6.3.4. Кристаллические дефекты
- 6.4. Механические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- 6.4.1. Адгезия механических частиц на поверхность полупроводниковых пластин
- 6.4.2. Удаление загрязнений с поверхности пластин в процессах химической обработки
- 6.4.3. Очистка поверхности подложек в перекисно-аммиачном растворе
- 6.5. Методы исследования состояния и характеристик поверхности подложек
- 6.5.1. Методы анализа частиц на поверхности пластин
- 6.5.2. Методы анализа органических загрязнений на поверхности пластин
- 6.5.3. Методы анализа металлических загрязнений на поверхности пластин
- 6.5.4. Методы исследования рельефа поверхности подложек
- 6.6. Технологические процессы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- 6.6.1. "Жидкостная" химическая обработка
- 6.6.2. Методы проведения "жидкостной" химической обработки
- 6.6.3. "Сухая" химическая обработка
- 6.7. Проблемы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- 6.7.1. Влияние химической обработки на шероховатость поверхности Si пластин
- 6.7.2. Проблемы нежелательного формирования слоев оксида на поверхности кремниевых пластин
- 6.7.3. Органические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- 7. Физико-химические аспекты получения многослойных структур
- 7.1. Имплантация ионов водорода в кремниевые пластины
- 7.2. Особенности технологии прямого сращивания подложек
- 7.3. Сращивание пластин, покрытых SiO2
- 7.4. Состояние сращенных пластин
- 7.5. Плоскостность пластин
- 7.6. Утончение сращенных пластин
- 7.7. Микродефекты сращенных структур
- 7.8. Радиационные свойства многослойных структур
- 7.9. Движение и залечивание пор на границе сращивания стандартных пластин кремния
- 7.9.1. Скорость движения пор, связанных с диффузионными потоками в объеме матрицы, в поле температурного градиента
- 7.9.2. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов на ее поверхности в поле температурного градиента
- 7.9.3. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов в объеме в поле температурного градиента
- 7.9.4. Скорость движения пор в неоднородном поле напряжений при разных механизмах перемещения
- 7.9.5. Диффузионное движение пор вблизи границы кристалла, обусловленное поверхностной диффузией
- 7.9.6. Диффузионное движение пор под действием сил со стороны дислокаций
- 7.9.7. Рекристаллизация, спекание и залечивание пор
- 7.10. Пористый кремний в технологии прямого соединения
- 7.10.1. Теория и экспериментальные исследования заращивания пористых слоев
- 7.10.2 Осаждение слоев кремния на стенках пор и капилляров из парогазовых смесей
- 8. Исследование физико-химических свойств многослойных структур
- 8.1. Определение энергии связи прямого связывания пластин кремния методом генерации трещины между поверхностями сращивания
- 8.2. Исследование многослойных структур и материалов, используемых в процессе их производства эс, методами позитронной аннигиляционной спектроскопии
- 8.2.1. Сущность и особенности методов позитронной аннигиляционной спектроскопии
- 8.2.2. Теория метода ураф и результаты исследований
- 8.2.3. Определение концентрации электронов np в зоне проводимости металлов
- 8.2.4. Исследование полупроводников методом пас
- 8.3. Исследование поверхности пластин
- 8.3.1. Метод масс-спектрометрического исследования процесса термодесорбции с поверхности кремниевых пластин
- 8.3.2. Измерения контактной разности потенциалов подложек
- 8.3.3. Влияние адсорбции на электронные свойства поверхности твердых тел
- Список литературы к главе 8