6.1 Поверхностные явления при изготовлении ис, эс

В настоящее время производство полупроводниковых изделий быстро развивается. Характерными тенденциями современного по­лупроводникового производства являются повышение степени ин­теграции элементов на кристалле, увеличение диаметра пластин с соответствующим уменьшением топологических норм [1,2]. На рис.6.1 представлена тенденция изменения во времени сложности выпускаемых интегральных схем.

Рис.6.1. Изменение минимального размера элементов и объема динамической памяти (от килобайт до гигабайт) электронных элементов во времени

При производстве микроэлектронных изделий осуществляется прохождение полупроводниковых пластин по технологическому маршруту. После различных процессов (удаления фоторезиста, травления технологических слоев и других) проводится химиче­ская обработка подложек для очистки поверхности от различных загрязнений и подготовки подложек к последующим технологиче­ским операциям (ионному легированию, нанесению эпитаксиаль­ных слоев, высокотемпературным диффузионным операциям) [3,4]. Химическая обработка проводится также при изготовлении струк­тур без проведения предварительных операций, например, при подготовке подложек к соединению (сращиванию) при изготовле­нии структур "кремний на изоляторе" [5].