logo
Materialovedenie

72) Формирование кремниевых эпитаксиальных пленок.

При образовании эпитаксиальных пленок определяющую роль играют вид и состояние поверхности подложки, ее температура, скорость осаждения пленки, вид и концентрация примесей. Благодаря эпитаксиальным методам стала возможной не только миниатюризация дискретных полупроводниковых приборов, но и революционный переход к производству ИМС.

В качестве примера рассмотрим формирование кремниевых эпитаксиальных пленок. Их получают при восстановлении тетрахлорида кремния по реакции

SiCl4 +2Н2  Si + 4НСl