73) Метод получения р-n перехода
Для производства качественных полупроводниковых приборов и ИМС важно получение совершенных монокристаллов и р–n переходов. Для формирования р-п-переходов применяют либо диффузионное легирование, либо технологию ионной имплантации.
При ионной имплантации легирующая примесь вводится в полупроводниковую подложку при бомбардировке ионами легирующей примеси. Ионная имплантация более дорогостоящая и менее производительная, чем традиционное диффузионное легирование, но при этом обладает рядом преимуществ:
• существенно выше точность формирования профиля распределения введенной в полупроводник легирующей примеси;
• процедура, при которой в полупроводниковую подложку «вбиваются» ионы легирующей примеси, позволяет создавать в подложке концентрации примесей, многократно превышающие пределы растворимости данных веществ;
• снижена термическая нагрузка на легируемую пластину и, как результат, уменьшена вероятность коробления пластины.
1. Выращивание на поверхности низкоомной (n+) кремниевой подложки эпитаксиальной высокоомной (n) пленки.
2. Окисление поверхности (получение пленки SiO2) и нанесение фоторезиста – пленки фоточувствительного вещества – для проведения процессов фотолитографии (пленка фоторезиста на рисунке не показана).
3. Получение окна в пленке диоксида кремния в результате обработки пластины травителем.
4. Образование p-области при диффузии акцепторной примеси, например галлия. Глубина проникновения примеси определяется температурой нагрева и временем диффузионного процесса.
5. Повторение этапов 2, 3 и получение n-области в имеющейся (п. 4) p-структуре при диффузии донорной примеси, например, сурьмы.
Оба р–n-перехода (полученных на этапах 1-4 и 2, 3, 5) выходят на одну плоскость, благодаря чему технология и получила название планарной. Необходимо отметить, что на одной пластине одновременно можно создать десятки и сотни тысяч таких структур, что является определяющим при изготовлении ИМС. Диффузия примесей может проводиться из твердой, жидкой и газовой фаз.
- 2. Классификация полимеров по структуре.
- 3. Классификация полимеров по молекулярной массе.
- 4. Молекулярная и надмолекулярная структура полимеров.
- 5. Типология полимеров.
- 6. Понятие о сополимерах.
- 7. Термопластичные полимеры. Примеры
- 8. Термореактивные полимеры. Примеры.
- 9. Пэнп и пэвп.
- 19. Основные разновидности промышленных полимеров и пластмасс.
- 20. Элементоорганические полимеры.
- 21. Термомеханические свойства и термомеханическая кривая.
- 22. Понятие о пластмассах.
- 23. Неорганические полимеры. Углерод. Алмаз.
- 24. Аморфные полимеры. Примеры.
- 25. Графит. Углеграфитовые материалы.
- 26. Аллотропные модификации углерода.
- 27. Твердость полимеров. Определение твердости по Бринеллю, по Роквеллу, по Виккерсу.
- 30. Графен. Фуллерены.
- 31. Слюда. Асбест.
- 32. Силикаты. Классификация. Тройная диаграмма.
- 33. Керамика. Технология керамики.
- 34. Классификация керамических материалов.
- 35. Порошковые графиты.
- 36. Керамика. Огнеупоры.
- 38. Стекло. Состав, структура.
- 41. Оптические и электрические свойства стекол.
- 42. Получение стекол.
- 44. Упрочение стекол, в т.Ч. Термическое.
- 45. Химическая стойкость стекол.
- 46. Применение стекол.
- 48. Классификация композиционных материалов (км) по виду матрицы.
- 49. Металлические матрицы км.
- 50. Полимерные матрицы км.
- 52. Классификация композиционных материалов по виду наполнителя:
- 53. Наполнители зернистые естественные.
- 54. Металлические порошки в качестве наполнителей км.
- 55. Технический углерод, аэросил в качестве наполнителей км.
- 61) Нитевидные кристаллы
- 62) Направления повышения прочности материалов
- 63) Элементарные полупроводники
- 64)Характеристика Кремния.
- 65)Характеристика Германия
- 66)67)68) Основные требования к полупроводниковым материалам.Сравнительная характеристика основных методов получения монокристаллов.Методы кристаллизации из расплава. Коэффициент сегрегации.
- 69) Метод Чохральского.
- 71) Методы кристаллизации из газовой фазы. Эпитаксия.
- 72) Формирование кремниевых эпитаксиальных пленок.
- 73) Метод получения р-n перехода
- 74) Основные подходы в планетарной технологии
- 75) Схема изготовления кремневого резистора
- 76) Бестигельная зонная плавка кремния.
- 77) Требования к подложкам. Получение защитных пленок.
- 78) Маркировка кремния. Акцепторы. Доноры. Поликристаллический кремний.
- 79) Полупроводниковые соединения. Принципы классификации.