logo
Materialovedenie

74) Основные подходы в планетарной технологии

В серийной промышленности для создания р–n-переходов широко используется способ введения легирующих примесей диффузионным легированием. Это один из важнейших этапов в планарной технологии, в основе которой лежат следующие процессы:

• нанесение на монокристаллическую пластину полупроводникового материала пленки, непроницаемой для диффузанта;

• вскрытие в пленке окон нужной конфигурации;

• диффузия легирующих примесей сквозь окна для создания р–n-перехода;

• другие операции, необходимые для создания прибора.

В качестве примера рассмотрим схему изготовления кремниевого транзистора.