77) Требования к подложкам. Получение защитных пленок.
Так как планарная технология подразумевает активное использование поверхностей подложки и формируемых слоев, свойства поверхности в значительной степени являются определяющими при изготовлении полупроводниковых приборов и устройств. Свойства не защищенной от внешних воздействий поверхности нестабильны, поскольку примеси, адсорбирующиеся на ней, создают дополнительные уровни в запрещенной зоне, что приводит к изменению электрических свойств. На поверхности кремния образуется оксидная пленка (SiO2) толщиной 1-5 нм. Для надежной защиты (пассивации) поверхности кремния и сформированных в нем р–n-переходов получают более толстые (0,2-1,2 мкм) пленки SiO2.
С этой целью чаще всего используют метод термического окисления в атмосфере чистого кислорода при 1100-1300 °С.
Получают стеклообразные пленки, близкие по свойствам к плавленому кварцу. Они легко травятся плавиковой кислотой (HF) и способны хорошо защищать кремний от диффузии фосфора и бора – основных легирующих элементов. Такие пленки одновременно используются в качестве маскирующих при проведении литографических процессов.
Более высокими пассивирующими и маскирующими свойствами обладают пленки нитрида кремния (Si3N4).
- 2. Классификация полимеров по структуре.
- 3. Классификация полимеров по молекулярной массе.
- 4. Молекулярная и надмолекулярная структура полимеров.
- 5. Типология полимеров.
- 6. Понятие о сополимерах.
- 7. Термопластичные полимеры. Примеры
- 8. Термореактивные полимеры. Примеры.
- 9. Пэнп и пэвп.
- 19. Основные разновидности промышленных полимеров и пластмасс.
- 20. Элементоорганические полимеры.
- 21. Термомеханические свойства и термомеханическая кривая.
- 22. Понятие о пластмассах.
- 23. Неорганические полимеры. Углерод. Алмаз.
- 24. Аморфные полимеры. Примеры.
- 25. Графит. Углеграфитовые материалы.
- 26. Аллотропные модификации углерода.
- 27. Твердость полимеров. Определение твердости по Бринеллю, по Роквеллу, по Виккерсу.
- 30. Графен. Фуллерены.
- 31. Слюда. Асбест.
- 32. Силикаты. Классификация. Тройная диаграмма.
- 33. Керамика. Технология керамики.
- 34. Классификация керамических материалов.
- 35. Порошковые графиты.
- 36. Керамика. Огнеупоры.
- 38. Стекло. Состав, структура.
- 41. Оптические и электрические свойства стекол.
- 42. Получение стекол.
- 44. Упрочение стекол, в т.Ч. Термическое.
- 45. Химическая стойкость стекол.
- 46. Применение стекол.
- 48. Классификация композиционных материалов (км) по виду матрицы.
- 49. Металлические матрицы км.
- 50. Полимерные матрицы км.
- 52. Классификация композиционных материалов по виду наполнителя:
- 53. Наполнители зернистые естественные.
- 54. Металлические порошки в качестве наполнителей км.
- 55. Технический углерод, аэросил в качестве наполнителей км.
- 61) Нитевидные кристаллы
- 62) Направления повышения прочности материалов
- 63) Элементарные полупроводники
- 64)Характеристика Кремния.
- 65)Характеристика Германия
- 66)67)68) Основные требования к полупроводниковым материалам.Сравнительная характеристика основных методов получения монокристаллов.Методы кристаллизации из расплава. Коэффициент сегрегации.
- 69) Метод Чохральского.
- 71) Методы кристаллизации из газовой фазы. Эпитаксия.
- 72) Формирование кремниевых эпитаксиальных пленок.
- 73) Метод получения р-n перехода
- 74) Основные подходы в планетарной технологии
- 75) Схема изготовления кремневого резистора
- 76) Бестигельная зонная плавка кремния.
- 77) Требования к подложкам. Получение защитных пленок.
- 78) Маркировка кремния. Акцепторы. Доноры. Поликристаллический кремний.
- 79) Полупроводниковые соединения. Принципы классификации.