76) Бестигельная зонная плавка кремния.
Для нужд электронной техники требуются материалы, в том числе и кремний, ультравысокой степени чистоты. Поэтому на стадии выращивания монокристаллов кремний подвергают многократной очистке. Высокая стоимость монокристаллического кремния полупроводниковой чистоты объясняется сложностью очистки из-за значительной химической активности Si в расплавленном состоянии (может реагировать с материалом тигля). Для очистки кремния применяют бестигельную зонную плавку (очистку).
В этом методе плавление поликристаллического слитка 4 осуществляется с помощью высокочастотного индуктора 3.
Узкая расплавленная зона 2 продвигается по слитку снизу вверх и удерживается между твердыми частями слитка силами поверхностного натяжения. После охлаждения расплавленного материала образуется монокристалл 1. Процесс проводится в вакууме либо в атмосфере водорода или инертных газов.
При плавке в вакууме наряду с оттеснением примесей в жидкую фазу происходит их испарение из расплава, поэтому эффективная очистка достигается даже после одного прохода жидкой зоны по слитку. Диаметр получаемых кристаллов достигает 300 мм. Выращивание легированных монокристаллов осуществляется обычно методом Чохральского.
- 2. Классификация полимеров по структуре.
- 3. Классификация полимеров по молекулярной массе.
- 4. Молекулярная и надмолекулярная структура полимеров.
- 5. Типология полимеров.
- 6. Понятие о сополимерах.
- 7. Термопластичные полимеры. Примеры
- 8. Термореактивные полимеры. Примеры.
- 9. Пэнп и пэвп.
- 19. Основные разновидности промышленных полимеров и пластмасс.
- 20. Элементоорганические полимеры.
- 21. Термомеханические свойства и термомеханическая кривая.
- 22. Понятие о пластмассах.
- 23. Неорганические полимеры. Углерод. Алмаз.
- 24. Аморфные полимеры. Примеры.
- 25. Графит. Углеграфитовые материалы.
- 26. Аллотропные модификации углерода.
- 27. Твердость полимеров. Определение твердости по Бринеллю, по Роквеллу, по Виккерсу.
- 30. Графен. Фуллерены.
- 31. Слюда. Асбест.
- 32. Силикаты. Классификация. Тройная диаграмма.
- 33. Керамика. Технология керамики.
- 34. Классификация керамических материалов.
- 35. Порошковые графиты.
- 36. Керамика. Огнеупоры.
- 38. Стекло. Состав, структура.
- 41. Оптические и электрические свойства стекол.
- 42. Получение стекол.
- 44. Упрочение стекол, в т.Ч. Термическое.
- 45. Химическая стойкость стекол.
- 46. Применение стекол.
- 48. Классификация композиционных материалов (км) по виду матрицы.
- 49. Металлические матрицы км.
- 50. Полимерные матрицы км.
- 52. Классификация композиционных материалов по виду наполнителя:
- 53. Наполнители зернистые естественные.
- 54. Металлические порошки в качестве наполнителей км.
- 55. Технический углерод, аэросил в качестве наполнителей км.
- 61) Нитевидные кристаллы
- 62) Направления повышения прочности материалов
- 63) Элементарные полупроводники
- 64)Характеристика Кремния.
- 65)Характеристика Германия
- 66)67)68) Основные требования к полупроводниковым материалам.Сравнительная характеристика основных методов получения монокристаллов.Методы кристаллизации из расплава. Коэффициент сегрегации.
- 69) Метод Чохральского.
- 71) Методы кристаллизации из газовой фазы. Эпитаксия.
- 72) Формирование кремниевых эпитаксиальных пленок.
- 73) Метод получения р-n перехода
- 74) Основные подходы в планетарной технологии
- 75) Схема изготовления кремневого резистора
- 76) Бестигельная зонная плавка кремния.
- 77) Требования к подложкам. Получение защитных пленок.
- 78) Маркировка кремния. Акцепторы. Доноры. Поликристаллический кремний.
- 79) Полупроводниковые соединения. Принципы классификации.