7 Выращивание кристаллов распылением и путем обратимых реакций.

Метод распыления используется для поликристаллических и аморфных пленок (могут быть и монокристалл). Процесс роста происходит при низких температурах за счет электрического поля.

Н – насос, все находится в вакууме. Между катодом и анодом несколько киловольт. А – подложка, К - сделан из распыляемого вещества.

Характерна высокая частота получаемых пленок, легирование пленок, используются для выращивания кристаллов очень многих металлов.

Путем обратимых реакций:

aA + bB + …→ gG + hH +…, где gG – вещество, кристаллы которого нужно вырастить (продукт), aA – сырье. Стадии: 1)гетерогенная реакция на исходно твердом веществе, 2)перенос летучих компонент газом,3) гетерогенная реакция образования кристалла. Зависит от давления: 1) должна быть ~ 100 Па, 2) если от 100 Па до 0,3 МПа – происходит диффузия, 3) от 0,3 МПа – тепловая конвекция.

М етод выращивания кристаллов циркония: Zr_s + 2I_2(g) ZrI_4(g). При нагреве Zr до 450⁰ С реакция сдвигается вправо. Н- насос, н.в. – вольфрамовая нить, п – проволока.