Введение

Последние полвека усиленно исследуется явление эпитаксии: механизм зарождения, ориентации и формирования пленки, образование в ней дефектов. Вызвано это тем, что в процессе эпитаксиального роста образуются монокристаллические ориентированные пленки, которые используются в электронике, микроэлектронике и других областях современной техники для изготовления полупроводниковых приборов самого разнообразного назначения.

Исследования позволили достигнуть существенных успехов в понимании эпитаксии. Обнаружено много важных фактов, вскрывающих различные стороны эпитаксиального роста, особенно с помощью электронно-микроскопического наблюдения, например при помощи растрового электронного микроскопа, в основе работы которого лежит сканирование поверхности образца электронным зондом и детектирование возникающего при этом широкого спектра излучений; это позволяет получать информацию о морфологии поверхности и определять химический состав образца.

Вместе с тем эти наблюдения выявили большую сложность эпитаксиального роста, его крайнюю чувствительность к многочисленным и тонким параметрам процесса, влияния на него особенностей и состояний различных кристаллизующихся материалов и самих подложек. Именно это многообразие затрудняет создание общей аналитической модели явления эпитаксии, которая могла бы быть положена в основу конкретных экспериментальных работ над получением монокристаллических эпитаксиальных пленок.

Касаемо исследования форм кристаллов NaCl, образуемых при сублимации из водного раствора, следует отметить, что работы в этой область были начаты ещё в начале прошлого века, однако интерес к этому вопросу жив до сих пор.